具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈以及相关装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈以及相关装置，该射频线圈包括第一射频埠、一第二射频埠以及耦接于该第一射频埠与该第二射频埠之间的多个局部布线，该多个局部布线包括：第一组局部布线，耦接于第一射频埠，第二组局部布线，耦接于第二射频埠，以及第三组局部布线，耦接于该第一组局部布线和该第二组局部布线之间，由该第一组局部布线以及该第二组局部布线包围形成的一第二区域不同于由该第三组局部布线包围形成的第一区域，以对该射频线圈提供该不平衡磁场抵消架构。本发明专利技术提供的具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈以及相关装置可以解决一个或多个射频线圈设计来实作电子产品时，电子产品可能会产生一些副作用的问题。

【技术实现步骤摘要】
具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈以及相关装置
本专利技术是关于集成电路(integratedcircuits，IC)的改善、一种具备不平衡磁场抵消(imbalancedmagnetic-cancelling，IMC)架构的射频线圈以及相关的装置。本专利技术主张美国临时申请号62/430,876(申请日西元2016年12月6日)的优先权，以上申请案的所有内容以引用方式纳入。
技术介绍
为了减少线圈或电感器，尤其是晶片型射频线圈所造成的元件之间的相互电磁干扰(electromagnetic(EM)interference)，现有技术提出了一些解决方案，然而一些问题(如副作用)亦随之产生。例如，这些解决方案通常需要将电感的对称中心对齐才能发挥磁场抵消的作用，进而产生抗干扰的效果。此外，现有技术亦提出一些射频线圈设计来试图降低上述相互电磁干扰效应。然而，当有人根据这些射频线圈设计中的一个或多个射频线圈设计来实作电子产品时，电子产品可能会产生一些副作用，例如：因对齐电感对称中心线的限制，而无法实现最佳化的电路版图规划(floor-plan)。传统抗干扰射频线圈设计而导致的一些其架构下必然的固有缺陷。因此，需要一种新颖的结构来适当地、在无副作用或者较少副作用的情况下解决现有技术所面临的问题。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种具备不平衡磁场抵消(imbalancedmagnetic-cancelling，IMC)架构的射频线圈以及相关装置，以解决现有技术所面临的上述问题。本专利技术的另一目的在于提供一种具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈以及相关装置，以强化集成电路的效能。本专利技术的至少一实施例提供了一种具备不平衡磁场抵消(imbalancedmagnetic-cancelling，IMC)架构的射频线圈，其中该射频线圈应用于一电子装置。该射频线圈包括一第一射频埠、一第二射频埠以及多个局部布线(partialwiring)。该第一射频埠用以将该射频线圈耦接至该电子装置的一电路的一射频埠，该第二射频埠用以将射频线圈耦接至该电子装置的该电路的另一射频埠，且该多个局部布线耦接于该第一射频埠与该第二射频埠之间。该多个局部布线包括：一第一组局部布线，其中该第一组局部布线耦接至该射频线圈的该第一射频埠；一第二组局部布线，其中该第二组局部布线耦接至该射频线圈的该第二射频埠；以及一第三组局部布线，其中该第三组局部布线耦接在该第一组局部布线和该第二组局部布线之间。此外，由该第一组局部布线以及该第二组局部布线包围形成的一第二区域不同于由该第三组局部布线包围形成的一第一区域，以对该射频线圈提供该不平衡磁场抵消架构。本专利技术的至少一实施例提供了一种用于进行磁场抵消的装置，其中该装置应用于一电子装置。该装置包含具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈，该射频线圈包含一第一射频埠、一第二射频埠以及多个局部布线。该第一射频埠用以将该射频线圈耦接至该电子装置的一电路的一射频埠，该第二射频埠用以将该射频线圈耦接至该电子装置的该电路的另一射频埠，且该多个局部布线耦接于该第一射频埠与该第二射频埠之间，其中该多个局部布线包含：串联的一第一组局部布线，其中该第一组局部布线耦接于该射频线圈的该第一射频埠；串联的一第二组局部布线，其中该第二组局部布线耦接于该射频线圈的该第二射频埠；以及串联的一第三组局部布线，其中该第三组局部布线耦接于该第一组局部布线与该第二组局部布线之间。此外，由该第一组局部布线以及该第二组局部布线包围形成的一第二区域不同于由该第三组局部布线包围形成的一第一区域，以对该射频线圈提供该不平衡磁场抵消架构。本专利技术的射频线圈以及相关装置可在无副作用或者较少副作用的情况下解决现有技术所面临的问题。当有人根据本专利技术的射频线圈以及相关装置来实作电子产品时，他/她将不会遭遇现有技术所面临的上述问题。举例来说，本专利技术的射频线圈可被组态成降低或消除因一邻近射频线圈(RFcoil)诸如位于该射频线圈附近的线圈所导致的电磁干扰(例如不想要的磁力线干扰)，无论这个线圈是位于哪个地方、且无论这个线圈是否位于该射频线圈的任何一个轴(例如其任何一个对称轴或是其任何一个参考轴(referenceaxis))上。在一些例子中，上述邻近线圈紧邻于本专利技术的射频线圈。附图说明图1为根据本专利技术一实施例的具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈的示意图。图2为根据本专利技术另一实施例的具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈的示意图。图3为根据本专利技术一实施例的关于具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈的离轴(off-axis)不平衡磁场抵消方案的示意图，其中图3所示的射频线圈可作为图1所示的射频线圈的一例。图4为根据本专利技术一实施例的关于图3所示的射频线圈的在轴(on-axis)不平衡磁场抵消方案的示意图。图5为根据本专利技术一实施例的关于具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈的偶数圈不平衡磁场抵消(even-turnIMC，ETIMC)方案的示意图，其中图5所示的射频线圈可作为图2所示的射频线圈的一例。图6为根据本专利技术一实施例的关于具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈的电磁模拟设定的示意图，其中图6所示的射频线圈可作为图2所示的射频线圈的一例。图7为根据本专利技术一实施例的一第一偶数圈不平衡磁场抵消射频线圈掩膜设计的一第一层的示意图。图8为图7所示实施例中的该第一偶数圈不平衡磁场抵消射频线圈掩膜设计的一第二层的示意图。图9为图7所示实施例中的该第一偶数圈不平衡磁场抵消射频线圈掩膜设计的一第三层的示意图。图10为根据本专利技术另一实施例的一第二偶数圈不平衡磁场抵消射频线圈掩膜设计的一第一层的示意图。图11为图10所示实施例中的该第二偶数圈不平衡磁场抵消射频线圈掩膜设计的一第二层的示意图。图12为图10所示实施例中的该第二偶数圈不平衡磁场抵消射频线圈掩膜设计的一第三层的示意图。图13为根据本专利技术另一实施例的具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈的示意图。附图标号100、100V、200、200V、400、500射频线圈110第一组局部布线120第二组局部布线130第三组局部布线100-1、100-2、200-1、200-2封闭回圈版本BP(0)、BP(1)、BP(2)、BP(10)、BP(11)、BP(12)断口301、302、401、402轴510、610第一层520、620第二层530、630第三层Aggressor(1)、Aggressor(2)侵犯者线圈A第一射频埠B第二射频埠Crossing(1)交叉点具体实施方式图1为根据本专利技术一实施例的具备不平衡磁场抵消(imbalancedmagnetic-cancelling，IMC)架构的射频线圈100的示意图。射频线圈100应用于一电子装置。举例来说，射频线圈100可应用于所述电子装置中的一集成电路(integratedcircuit，IC)，且射频线圈100可实作为所述集成电路中多个元件的其中之一。射频线圈100可用来降低因一邻近线圈(coil)诸如位于射频线圈100附近的线圈所导致的电磁干扰(例如不想要的电磁干扰)。根据一些实施例，所述邻近线圈可紧邻于本专利技术的射频线圈(例如射频线圈100)。所述集成电路的例子可包含(但不限定于)：蓝牙收发器前端电路(transceiverfront-ends)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈，其特征在于，所述射频线圈应用于一电子装置，所述射频线圈包括：一第一射频埠，用以将所述射频线圈耦接至所述电子装置的一电路的一射频埠；一第二射频埠，用以将射频线圈耦接至所述电子装置的所述电路的另一射频埠；以及多个局部布线，耦接于所述第一射频埠与所述第二射频埠之间，其中所述多个局部布线包括：串联的一第一组局部布线，其中所述第一组局部布线耦接至所述射频线圈的所述第一射频埠；串联的一第二组局部布线，其中所述第二组局部布线耦接至所述射频线圈的所述第二射频埠；以及串联的一第三组局部布线，其中所述第三组局部布线耦接在所述第一组局部布线和所述第二组局部布线之间；其中由所述第一组局部布线以及所述第二组局部布线包围形成的一第二区域不同于由所述第三组局部布线包围形成的一第一区域，以对所述射频线圈提供所述不平衡磁场抵消架构。

【技术特征摘要】
2016.12.06 US 62/430,876;2017.02.16 US 15/435,2401.一种具备不平衡磁场抵消架构的射频线圈，其特征在于，所述射频线圈应用于一电子装置，所述射频线圈包括：一第一射频埠，用以将所述射频线圈耦接至所述电子装置的一电路的一射频埠；一第二射频埠，用以将射频线圈耦接至所述电子装置的所述电路的另一射频埠；以及多个局部布线，耦接于所述第一射频埠与所述第二射频埠之间，其中所述多个局部布线包括：串联的一第一组局部布线，其中所述第一组局部布线耦接至所述射频线圈的所述第一射频埠；串联的一第二组局部布线，其中所述第二组局部布线耦接至所述射频线圈的所述第二射频埠；以及串联的一第三组局部布线，其中所述第三组局部布线耦接在所述第一组局部布线和所述第二组局部布线之间；其中由所述第一组局部布线以及所述第二组局部布线包围形成的一第二区域不同于由所述第三组局部布线包围形成的一第一区域，以对所述射频线圈提供所述不平衡磁场抵消架构。2.根据权利要求1所述的射频线圈，其特征在于，所述第一组局部布线的一端点耦接于所述射频线圈的所述第一射频埠；以及所述第二组局部布线的一端点耦接于所述射频线圈的所述第二射频埠。3.根据权利要求2所述的射频线圈，其特征在于，所述第三组局部布线耦接于所述第一组局部布线的另一端点与所述第二组局部布线的另一端点之间。4.根据权利要求1所述的射频线圈，其特征在于，所述射频线圈包含：一第一圈布线，其中所述第一圈布线包含所述第一组局部布线、所述第二组局部布线、以及所述第三组局部布线；以及一第二圈布线，其中所述第二圈布线包含多组局部布线，所述多组局部布线分别用以模拟所述第一圈布线中的所述第一组局部布线、所述第二组局部布线以及所述第三组局部布线。5.根据权利要求4所述的射频线圈，其特征在于，所述第一圈布线于所述第一圈布线的一断口处分为两个子圈布线且所述第二圈布线插入于位于所述第一圈布线的所述断口的一侧的所述两个子圈布线中的一子圈布线的一端点以及位于所述第一圈布线的所述断口的另一侧的所述两个子圈布线中的另一子圈布线的一端点之间。6.根据权利要求5所述的射频线圈，其特征在于，所述第一圈布线以及所述第二圈布线的组合提供：一电流路径，其中所述电流路径起始自所述第一射频埠，途经所述两个子圈布线中的所述子圈布线、所述第二圈布线、以及所述两个子圈布线中的所述另一子圈布线，且到达所述第二射频埠。7.根据权利要求4所述的射频线圈，其特征在于，所述射频线圈包含：一第一群组布线，其中所述第一群组布线包含所述第一圈布线以及所述第二圈布线；以及一第二群组布线，其中所述第二群组布线包含多圈布线，所述多圈布线用以分别模拟所述第一圈布线以及所述第二圈布线。8.根据权利要求7所述的射频线圈，其特征在于，所述第一群组布线于所述第一群组布线的一断口处分为两个子群组；以及所述第二群组布线插入在位于所述第一群组布线的所述断口的一侧的所述两个子群组中的一子群组的一端点以及位于所述第一群组布线的所述断口的另一侧的所述两个子群组中的另一子群组的一端点之间。9.根据权利要求8所述的射频线圈，其特征在于，所述第一群组布线以及所述第二群组布线的组合提供了：一电流路径，其中所述电流路径起始自所述第一射...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旻珓，李道一，李宗霖，
申请(专利权)人：聚睿电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71