The present disclosure relates to fluid ejection devices, printheads and printers. A jet device for a fluid includes a solid body, which consists of a first semiconductor body, including a chamber for holding a fluid, a nozzle connected with a chamber fluid, and an actuator connected to the chamber operable to generate one or more pressure waves in the fluid in use, so that the fluid is ejected from the nozzle; and The second semiconductor main body includes a channel for feeding the fluid to the chamber coupled to the first semiconductor body, so that the channel is connected with the chamber fluid. Second the semiconductor main body is integrated with a damping cavity, and a damping film is extended above the damping cavity. The damping chamber and the damping film extend laterally to the channel to feed the fluid.
【技术实现步骤摘要】
流体喷射装置、打印头和打印机
本公开涉及具有用于减少交叉干扰(“串扰”)的元件的流体喷射装置、包括打印装置的打印头、以及包括打印头的打印机。
技术介绍
在现有技术中,已知多个类型的流体喷射装置,特别是用于打印应用的“喷墨”装置。具有适当修改的类似装置也可以例如在生物或生物医学领域的应用领域中,用于排放各种类型的流体,用以在制造传感器期间局部喷射生物材料(例如,DNA)用于生物分析。具有已知类型的压电致动的喷射器元件的示例在图1中示出,并用附图标记1表示。多个喷射器元件1至少部分地形成打印装置(“打印头”)。参考图1,处理例如半导体材料或金属的第一晶片或板极2,以在其上形成一个或多个压电致动器3,一个或多个压电致动器3能够使部分延伸悬置在一个或多个室10上的膜7的偏转,室10适于临时容纳在使用期间被排出的流体6。处理半导体材料的第二晶片或板极4,以形成用于压电致动器3的一个或多个容纳室5,以在使用时将压电致动器3与待排出的流体6隔离。被配置为布置在第二板极4之上的半导体材料的第三晶片或板极12被处理,以形成用于流体6(“出口”孔)的排出孔13。被配置为布置在第二板极 ...
【技术保护点】
一种喷射装置,其特征在于,包括:主体,包括:被配置为保持流体的室;与所述室流体连通的喷嘴;致动器,操作性地耦合到所述室,以在使用时在流体中生成一个或多个压力波,使得所述流体从所述喷嘴喷射;流体路径,与所述室流体连通、并被配置为将所述流体提供给所述室;以及阻尼腔和悬置在所述阻尼腔上的阻尼膜,所述阻尼腔至少部分地布置在所述流体路径的上游,并且被配置为在将所述流体提供到所述流体路径之前接收所述流体。
【技术特征摘要】
2017.03.28 IT 1020170000341341.一种喷射装置,其特征在于,包括:主体,包括:被配置为保持流体的室;与所述室流体连通的喷嘴;致动器,操作性地耦合到所述室,以在使用时在流体中生成一个或多个压力波,使得所述流体从所述喷嘴喷射;流体路径,与所述室流体连通、并被配置为将所述流体提供给所述室;以及阻尼腔和悬置在所述阻尼腔上的阻尼膜,所述阻尼腔至少部分地布置在所述流体路径的上游,并且被配置为在将所述流体提供到所述流体路径之前接收所述流体。2.根据权利要求1所述的喷射装置,其特征在于,所述主体还包括流体耦合到所述流体路径的入口孔,所述阻尼膜横向于所述入口孔而被布置。3.根据权利要求1所述的喷射装置,其特征在于,所述主体包括:容纳所述室、所述喷嘴和所述致动器的第一结构元件,以及耦合到所述第一结构元件的第二结构元件,所述流体路径、所述阻尼腔和所述阻尼膜被集成在所述第二结构元件中。4.根据权利要求3所述的喷射装置,其特征在于,所述第二结构元件是单片体,所述阻尼腔被掩埋在所述单片体中,并且所述阻尼膜被集成在所述单片体中。5.根据权利要求3所述的喷射装置,其特征在于,所述第二结构元件具有第一表面、和与所述第一表面相对的第二表面,所述第二表面面向所述第一结构元件的所述室,所述阻尼膜在所述阻尼腔和所述第二结构元件的所述第一表面之间延伸。6.根据权利要求1所述的喷射装置,其特征在于,所述阻尼膜的厚度在0.5μm和50μm之间。7.根据权利要求1所述的喷射装置,其特征在于,包括集成在所述主体中、并且至少部分地在所述流体路径中延伸的过滤器。8.根据权利要求7所述的喷射装置,其特征在于,所述过滤器具有形成多个孔径的晶格结构,所述多个孔径具有亚微米或微米尺寸。9.根据权利要求7所述的喷射装置,其特征在于,所述过滤器和所述阻尼膜至少部分地...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·朱斯蒂,M·费雷拉,C·L·佩瑞里尼,S·多德,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,意法半导体公司,
类型:新型
国别省市:意大利,IT
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