一种发声装置及电子设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种发声装置及电子设备，包括壳体、设置在壳体内的振膜，以及两个对称设置在振膜两侧的磁路系统，振膜的中心区域设置有镂空，还包括覆盖在振膜镂空区域的FPCB板；两个音圈分别记为第一音圈、第二音圈，第一音圈、第二音圈各有一根引线分别连接在FPCB板上，且该两个引线从各自音圈上的引出点相对于FPCB板中心对称。本实用新型专利技术的发声装置，即使振膜发生较大的位移，音圈依然可以与磁路系统中磁密度较高的区域配合在一起，从而可以大大降低发生装置的低频失真。而且磁路系统采用双磁路结构，提高了振膜振动的灵敏度。另外，采用FPCB板作为振膜的球顶使用，这有利于发声装置内部信号的引出。

【技术实现步骤摘要】
一种发声装置及电子设备
本技术涉及电声转换领域，更具体地说，涉及一种发声装置；本技术还涉及一种电子设备。
技术介绍
扬声器是电子设备中重要的声学器件，其包括壳体、安装在壳体中振膜、固定连接在振膜上的音圈及磁路系统。其中，音圈位于磁路系统形成的磁间隙中，当音圈在接收到音频信号时，其在磁路系统的作用下带动振膜振动，从而策动周围空气发声，进而实现电能至声能的转换。这种传统的扬声器结构，当其工作在低频条件时，音圈会产生较大的位移。此时磁路系统对音圈的作用力大大减弱，加上此时振膜劲度系数的影响，会造成较大的低频THD失真。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供了一种发声装置。根据本技术的一个方面，提供一种发声装置，包括壳体、设置在壳体内的振膜，以及两个对称设置在振膜两侧的磁路系统，所述磁路系统包括磁轭以及设置在磁轭上的磁铁，在所述磁铁上还设置有华司；还包括两个对称分布在振膜两侧的音圈，每个音圈的一端连接在振膜上，另一端与对应的磁路系统配合在一起；所述振膜的中心区域设置有镂空，还包括覆盖在振膜镂空区域的FPCB板；两个音圈分别记为第一音圈、第二音圈，所述第一音圈、第二音圈各有一根引线分别连接在FPCB板上，且该两个引线从各自音圈上的引出点相对于FPCB板中心对称。可选地，第一音圈、第二音圈中的另一根引线反向弯曲呈U形，并从壳体中伸出。可选地，所述壳体包括对称分布在振膜两侧的第一壳体、第二壳体，所述振膜夹持在第一壳体、第二壳体之间；且两个磁路系统分别设置在第一壳体、第二壳体上。可选地，所述每个磁路系统中的磁轭设置有四个，该四个磁轭围成一矩形结构。可选地，所述每个磁路系统中的磁轭设置有一个。可选地，所述磁路系统为单磁路结构或者双磁路结构。可选地，所述华司与壳体注塑在一起，且所述华司从壳体上露出；所述磁路系统中的磁铁贴装在华司上。可选地，所述华司设置有一个，其呈环状。可选地，所述振膜为平面型振膜。根据本技术的另一方面，还提供了一种电子设备，其包括上述的发声装置。本技术的发声装置，由于采用了两个对称分布在振膜两侧的磁路系统，无论当振膜朝向哪一侧发生较大的位移时，总有一侧的音圈可以深入到磁路系统的磁间隙中；也就是说，即使振膜发生较大的位移，音圈依然可以与磁路系统中磁密度较高的区域配合在一起，从而可以大大降低发生装置的低频失真。而且磁路系统采用双磁路结构，提高了振膜振动的灵敏度。另外，采用FPCB板作为振膜的球顶使用，这有利于发声装置内部信号的引出。通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本技术的实施例，并且连同说明书一起用于解释本技术的原理。图1是本技术发声装置的剖面图。图2是本技术发声装置的部分结构爆炸图。图3是本技术磁路系统第一种实施结构示意图。图4是本技术磁路系统第二种实施结构示意图。图5是本技术发声装置另一实施结构的剖面图。图6是本技术华司与壳体的结构示意图。图7是本技术磁路系统第三种实施结构示意图。图8是本技术音圈与振膜的爆炸示意图。图9、图10是振膜与磁路组件匹配的两种不同的实施示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本技术提供了一种发声装置，其包括壳体、振膜，以及磁路组件，其中，磁路组件包括两个对称设置在振膜两侧的磁路系统。振膜可安装在壳体中，磁路系统分布在振膜的相对两侧，使得该两个磁路系统相对于振膜对称。在振膜的两侧还分别设置有一音圈，每个音圈的一端连接在振膜上，另一端与该侧的磁路系统配合在一起。当两个音圈通入交流电后，两个音圈分别与各自的磁路系统配合在一起，从而共同驱动振膜发声。本技术的发声装置，其可以是受话器、扬声器或者本领域技术人员所熟知的其它发声装置。该发声装置可以应用到电子设备中，例如手机、电脑、IPAD、播放器等。为此，本技术还提供了一种电子设备，其包括上述的发声装置。本技术的发声装置，由于采用了两个对称分布在振膜两侧的磁路系统，无论当振膜朝向哪一侧发生较大的位移时，总有一侧的音圈可以深入到磁路系统的磁间隙中；也就是说，即使振膜发生较大的位移，音圈依然可以与磁路系统中磁密度较高的区域配合在一起，从而可以大大降低发生装置的低频失真。测量发声装置内部重要设计量的Bl(x)曲线、kms(x)曲线和Rms(v)曲线，是以振膜的位移x及其导数即速度v为变量的，所以需要近似的把THD用位移x表示。对于磁路系统而言，当音圈在磁间隙中移动时，距离磁间隙中心越远，磁场强度B越小，Bl值越小。因此发声装置中的磁路组件的Bl(x)曲线是非线性的。另外，当音圈在平衡位移移动时，位移x比较小，回复力主要由折环形变提供，回复力比较小；当音圈位移x越大，折环形变越大，材料越拉伸越大，回复力越大，因此，劲度系数k＝f/x随着位移x增加而增加，即Kms(x)是一条非线性的曲线。再者，发声装置振动系统的机械阻尼Rms(v)随着振膜振动速度的不同而变化，振膜振动速度v是位移x的一阶导数。因此机械阻尼Rms(v)是一非线性的曲线当发声装置在低频时，振幅x较大，速度v较小，发声装置的阻尼力Rms(v)v可忽略，回复力达最大值。此时，驱动力Bl(x)i和回复力Kms(x)x为低频谐波失真的主要影响因素，不考虑振膜产生分割振动或者偏振的情况下，扬声器的振动系统可以简化为一质点的振动，其受到的合力为：F(x)＝Bl(x)i-Kms(x)x。当处于低频ω时，位移x相对较大，F(x)不随着位移x的变大而偏离F(x)＝-ω2x的线性关系，就会降低发声装置的失真。本专利技术的发声装置，由于磁路组件为两个对称设置在振膜两侧的磁路系统，这就使得该磁路组件提供的Bl(x)曲线相对于位移X原点是对称的，而且通过调节音圈长度及与其配合的磁间隙的尺寸，使得BL(X)是平坦的直线，或者是随着位移X的增大而逐渐向上弯曲的曲线。这就使得可以较为容易地选用相应的振膜来与磁路组件配合在一起，二者共同作用从而可以降低发声装置的低频谐波失真。参考图9，例如当磁路组件的BL(X)是随着位移X的增大而逐渐向上弯曲的曲线时，则可以选用平面型振膜，平面型振膜的Kms(x)曲线自身就是随着位移X的增大而逐渐向上弯曲的。二者配合在一起，从而使得F(x)＝Bl(x)i-Kms(x)x可以不偏离F(x)＝-ω2x的线性关系。参考图10，而当磁路组件的BL(X)为平坦的直线时，则可以选用具有平坦Kms(x本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发声装置，其特征在于：包括壳体、设置在壳体内的振膜，以及两个对称设置在振膜两侧的磁路系统，所述磁路系统包括磁轭以及设置在磁轭上的磁铁，在所述磁铁上还设置有华司；还包括两个对称分布在振膜两侧的音圈，每个音圈的一端连接在振膜上，另一端与对应的磁路系统配合在一起；所述振膜的中心区域设置有镂空，还包括覆盖在振膜镂空区域的FPCB板；两个音圈分别记为第一音圈、第二音圈，所述第一音圈、第二音圈各有一根引线分别连接在FPCB板上，且该两个引线从各自音圈上的引出点相对于FPCB板中心对称。

【技术特征摘要】
1.一种发声装置，其特征在于：包括壳体、设置在壳体内的振膜，以及两个对称设置在振膜两侧的磁路系统，所述磁路系统包括磁轭以及设置在磁轭上的磁铁，在所述磁铁上还设置有华司；还包括两个对称分布在振膜两侧的音圈，每个音圈的一端连接在振膜上，另一端与对应的磁路系统配合在一起；所述振膜的中心区域设置有镂空，还包括覆盖在振膜镂空区域的FPCB板；两个音圈分别记为第一音圈、第二音圈，所述第一音圈、第二音圈各有一根引线分别连接在FPCB板上，且该两个引线从各自音圈上的引出点相对于FPCB板中心对称。2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于：第一音圈、第二音圈中的另一根引线反向弯曲呈U形，并从壳体中伸出。3.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于：所述壳体包括对称分布在振膜两侧的第一壳体、第二壳体，所述振膜夹...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍亮，刘岩涛，
申请(专利权)人：歌尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37