太阳能电池及其制造方法技术

太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极设置在所述第一导电半导体层上。使所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域暴露。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
本专利技术涉及太阳能电池及其制造方法，并且更具体地，涉及具有改进结构的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
最近，由于诸如石油和煤炭这样的现有能源资源枯竭，用替代能源取代现有能源的兴趣日益增加。最重要的是，太阳能电池是受欢迎的下一代电池，用于将阳光转换成电能。可以通过基于特定设计形成各个层和电极来制造太阳能电池。可以通过各个层和电极的设计来确定太阳能电池的效率。为了使太阳能电池商业化，必须克服其低效率。因此，需要使太阳能电池的效率最大化。此外，制造太阳能电池的方法包括分割半导体基板的处理。在该半导体基板分割处理中，可以使用激光来分割半导体基板。然而，使用激光进行的分割处理会由于激光而造成太阳能电池劣化。
技术实现思路
根据本公开的一方面，可以通过提供一种太阳能电池来实现以上和其它目的，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极设置在所述第一导电半导体层上，其中，所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域被暴露，并且在所述第一表面的被暴露的区域中，所述半导体基板具有沿着其深度方向一致的掺杂浓度。根据本公开的另一方面，提供了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在具有多个单元部分和位于所述单元部分之间的划线部分的半导体基板的所述划线部分上设置掩模；在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域；在所述第一导电区域上形成第一电极，以便电连接到所述第一导电区域；去除所述掩模，以便去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分；以及沿着所述划线部分来分割所述半导体基板。附图说明根据结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其它目的、特征和其它优点，其中：图1是根据本公开的一些实现方式的太阳能电池的截面图；图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是用于说明根据本公开的一些实现方式的制造太阳能电池的方法的截面图和平面图；图12是根据本公开的一些实现方式的太阳能电池的截面图；图13、图14、图15、图16、图17和图18是用于说明根据本公开的一些实现方式的制造太阳能电池的方法的截面图和平面图；图19是例示根据本公开的一些实现方式的太阳能电池的截面图；图20、图21、图22和图23是用于说明根据本公开的一些实现方式的制造太阳能电池的方法的截面图和平面图；以及图24是例示根据本公开的一些实现方式的太阳能电池的截面图。具体实施方式现在将详细地参考本公开的实现方式，在附图中例示了这些实现方式的示例。然而，本公开不限于这些实现方式，而是当然可以按各种形式来改变在附图中，为了清楚和简要地说明本公开，省略了对与描述没有关联的元件的例示，并且在整篇说明书中用相同的参考标号来指定相同或极其相似的元件。另外，在附图中，为了更清楚地说明，夸大或减小了厚度、宽度等，并且本公开的厚度、宽度等不限于附图的例示。另外，在整篇说明书中，当一个元件被称为“包括”另一个元件时，只要没有特别冲突的描述，该元件就不应该被理解为排除了其它元件，并且该元件可以包括至少一个其它元件。另外，将理解，当诸如层、膜、区域或基板这样的元件被称为“在”另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。另一方面，当诸如层、膜、区域或基板这样的元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，这意指在它们之间没有中间元件。下文中，将参照附图来详细地描述根据本公开的一些实现方式的太阳能电池。图1是根据本公开的一些实现方式的太阳能电池的截面图。参照图1，根据本实现方式的太阳能电池100可以包括：半导体基板110，该半导体基板110包括基底区域10；第一钝化层52，该第一钝化层52形成在半导体基板110的第一表面上；第二钝化层54，该第二钝化层54形成在半导体基板110的第二表面上；第一导电区域20，该第一导电区域20形成在半导体基板110的第一表面侧的第一钝化层52上；第二导电区域30，该第二导电区域30形成在半导体基板110的第二表面侧的第二钝化层54上；第一电极42，该第一电极42与第一导电区域20电连接；以及第二电极44，该第二电极44与第二导电区域30电连接。虽然第一表面和第二表面可以彼此相对并且第一表面可以是太阳能电池100的光入射表面，但是本公开的技术特征不限于此。在本实现方式中，半导体基板110的第一表面和第二表面中的每一个包括第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2以及位于第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2之间的单元区域CA。第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2中的每一个可以是与侧表面NS相邻的区域，侧表面NS将半导体基板110的第一表面和第二表面彼此连接。在本实现方式中，半导体基板110的第一表面的第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2可以是其中没有设置导电区域或没有设置钝化层的区域，并且半导体基板110的第一表面的单元区域CA可以是其中设置有诸如钝化层这样的半导体层的区域。因此，在本实现方式中，可以通过第一表面的第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2使半导体基板110暴露。另外，半导体基板110的第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2可以具有沿着深度方向相同的掺杂浓度，并且在第一表面的第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2以及第二表面的第一边缘区域EA1和第二边缘区域EA2之间，半导体基板110的晶体结构可以不同。随后将提供与其相关的更详细的描述。半导体基板110可由晶体半导体形成。在一个示例中，半导体基板110可以由单晶或多晶半导体(例如，单晶或多晶硅)形成。特别地，半导体基板110可以由单晶半导体(例如，单晶半导体晶圆，并且更具体地，单晶硅晶圆)形成。当半导体基板110由单晶半导体(例如，单晶硅)形成时，太阳能电池100构成单晶半导体太阳能电池(例如，单晶硅太阳能电池)。此太阳能电池100可以具有优异的电特性，因为它是基于具有高结晶度并因此具有低缺陷的半导体基板110的。在本实现方式中，半导体基板110可以只包括基底区域10，而不包括单独的掺杂区域。当半导体基板110不包括掺杂区域时，例如，可以防止在形成掺杂区域时可能出现的半导体基板110受损或缺陷数量增加，由此半导体基板110可以具有优异的钝化特性。由此，可以使可能在半导体基板110的表面中出现的表面复合最小化。在本实现方式中，半导体基板110或基底区域10可以用作为基底掺杂物的第一导电掺杂物以低掺杂浓度进行掺杂，因此具有第一导电类型。此时，相比于具有与半导体基板110或基底区域10相同的导电类型的第一导电区域20，半导体基板110或基底区域10可以具有较低的掺杂浓度、较高的电阻或较低的载流子浓度。为了防止反射，半导体基板110的第一表面和/或第二表面可以经受纹理化。由此，半导体基板110的第一表面和第二表面二者可以防止引入到其中的光被反射。因此，本实现方式的具有双面结构的太阳能电池100能够有效地减本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面不同的第二表面，其中，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层被设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极与所述第一导电半导体层联接，其中，所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域包括暴露区域，并且其中，所述半导体基板的与所述暴露区域对应的部分具有沿着第一方向一致的掺杂浓度。

【技术特征摘要】
2016.11.23 KR 10-2016-01567901.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面不同的第二表面，其中，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层被设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极与所述第一导电半导体层联接，其中，所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域包括暴露区域，并且其中，所述半导体基板的与所述暴露区域对应的部分具有沿着第一方向一致的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一表面的所述第二边缘区域被暴露。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板的所述第二表面的所述第一边缘区域和所述第二边缘区域包括非暴露区域。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域包括第一晶体结构，并且其中，所述半导体基板的所述第二表面的所述第一边缘区域包括与所述第一晶体结构不同的第二晶体结构。5.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板的划线部分上设置掩模，其中，所述半导体基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：河廷珉，赵成衍，朴相昱，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR