选择性镀膜装置制造方法及图纸

一种选择性镀膜装置，其特征在于，包含有： 一真空腔室，一旋转支撑组件，至少一蒸镀源，至少一个承盘接设于该旋转支撑组件，以及至少一个基材整合体；其组合结构中，该蒸镀源于球心位置，该承盘为球面位置，该基材整合体贴付于该承盘的内表面。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种镀膜装置。然而，大多数的制程都是将被镀物(42)(即晶圆)置于市售的热电阻丝蒸镀机(Thermal Coater)或电子束蒸镀机(E-Beam Coater)的承盘(3A)上，其中旋转支撑组件(2)包含一马达(21)与若干支撑架(22)。而承盘(3A)装设于该支撑架(22)而位于蒸镀空间的上方，将薄膜物质置于该机器的蒸镀源(5)处，(如附图说明图1所示)，其中蒸镀源(5)为球心即形成有一半径(51)的半球形体(53)，关闭蒸镀机的门，开始抽真空，待真空度到达后，再将蒸镀源(5)内的材料加热(用电阻方式或E-Beam方式)，将材料蒸汽化而生成一蒸镀路径(52)，就可镀在被镀物位置的半导体材料表面。接著，取出已镀膜的被镀物(42)，必需再依照微影技术(如图2所示)，其步骤如(A)-(J)(A)将光阻均匀涂布在被镀物的薄膜上。(B)进行低温烤乾光阻，以增加光阻对紫外线的敏感度。(C)将涂布好的被镀物置于光罩机(Mask aligner)中，以事先设计好图案的光罩对光阻进行紫外线曝光，图案即是选择那些局部位置的薄膜要留在被镀物上，那些位置的薄膜要利用(F)中的化学蚀剂将薄膜去除，这样的流程即是选择薄膜位置的方法。(D)光阻经过紫外线曝光后，就会形成曝光区及未曝光区，光阻在显影液体中能将曝光区或未曝光区的光阻留下(光阻性质不同决定，曝光已留在薄膜上或未曝光区留下)。(E)留下的光阻需进行N2(氮气)烤箱中进行高温烤干，以增加光阻对薄膜的附著力。(F)进行化学蚀剂，选择正确的化学药品将无光阻之处的薄膜进行蚀剂将该位置的薄膜去除，仅留下有光阻保护位置的薄膜。(G)将被镀物上的化学药品洗净。(H)先留下薄膜上的光阻去除。(I)再将被镀物的化学药品洗净。(J)用干净的N2将被镀物吹干，方可进行以下制程继续完成产品。以上十个程序目的就是在选择薄膜镀在设计产品时预定要留下的位置，目前产业界，特别是多层复杂的电路产品，大都采用上述方式生产半导体产品。此方式由于程序复杂，需消耗冗长时间，对于简单单层电路的产品，如发光二极管，上述方式就显得大材小用，有浪费之疑。为实现上述目的，本技术提供的选择性装置，包含有一真空腔室，一旋转支撑组件，至少一蒸镀源，至少一个承盘接设于该旋转支撑组件，以及至少一个基材整合体；其组合结构中，该蒸镀源于球心位置，该承盘为球面位置，该基材整合体贴付于该承盘的内表面。其中该蒸镀源的加热方式为电阻式蒸镀法或电子束蒸镀法。其中该真空腔室的形状为长方体、正方体、球体或圆柱体等。其中该旋转支撑组件具有一马达和一连接器。其中该蒸镀源设置于该真空腔室的几何中心位置。其中该承盘和该旋转支撑组件的连接器连结。其中该承盘以该蒸镀源为圆心形成球面型状。其中该承盘贴附于以该蒸镀源为中心的几何形体的内表面上或内切面上。其中该基材整合体包括一金属薄膜、一被镀物，一磁铁和一夹具依序组合而成。其中该金属薄膜具有磁性或可被磁性吸附。其中该金属薄膜具有至少一穿透孔洞。其中该被镀物供设计的电路蒸镀于其表面上。其中该被镀物为半导体材料、陶瓷材料或塑胶材料。其中该磁铁为具有磁性的物质。其中该夹具装设于该承盘上，用以夹持固定磁体。其中该穿透孔洞的形状依蒸镀于该被镀物的电路形状。其中，该旋转支撑组件(2)包含一马达(21)与若干支撑架(22)。该各基材整合体(4)，如图4所示，则包含一具有孔洞(411)及磁性的金属薄膜(41)，一被镀物(42)，一磁铁(43)以及一夹具(44)，其中该夹具(44)由一第一夹件(441)及一第二夹件(442)所组成。该支撑架(22)和承盘(3)连结，该基材整合体(4)放置于该承盘(3)内。由于本装置的承盘(3)较常用装置(图1)的承盘深度略浅，盘面较大，可尽量装置于以蒸镀源(5)为中心的半球形体(53)的球面上，或是切于半球形体的切面上。置于盘内的各基材整合体(4)因此和蒸镀源(5)的距离几近相等，为半径(51)，致使蒸镀源(5)的蒸镀物至各基材整合体的蒸镀路径(52)几乎一样。因此，蒸镀物可均匀一致的分配给各基材整合体。此外基材整合体(4)的夹具(44)锁固于承盘(3)并夹持磁铁(43)，可稳定的吸附被镀物(42)及金属薄膜(41)于承盘(3)上。由于金属薄膜上可选择性的开设不同孔洞以因应被镀物上不同形式电路的需求，前述由蒸镀源(5)出发的蒸镀物经过蒸镀路径(52)至金属薄膜(41)时，通过在金属薄膜(41)上的孔洞(411)而蒸镀于被镀物(42)上所设定电路的位置，被镀物上其他的位置，则因金属薄膜的阻隔，而无法将蒸镀金属物蒸镀于被镀物。换言之，因为有选择性的孔洞在金属薄膜上造成在被镀物上只有电路所需部分才会被蒸镀物蒸镀于上，其他部分则因金属薄膜(41)的阻绝，并无蒸镀物残留其上。因此，利用本装置在被镀物上制造电路时，不需要处理蒸镀物残留于电路以外部分的程序，不但可以缩短制成时间，并可大量节省清洗残留蒸镀物过程所需的化学药品，符合环保要求。以上所述是由实施例说明本技术的特点，其目的在使熟习该技术的能了解本技术的内容并据以实施，而非限定其专利范围，凡其他未脱离本技术所述精神所完成的等效修饰或修改，仍应包含在所述的申请专利范围中。权利要求1.一种选择性镀膜装置，其特征在于，包含有一真空腔室，一旋转支撑组件，至少一蒸镀源，至少一个承盘接设于该旋转支撑组件，以及至少一个基材整合体；其组合结构中，该蒸镀源于球心位置，该承盘为球面位置，该基材整合体贴付于该承盘的内表面。2.如权利要求1所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该蒸镀源为电阻或电子束加热。3.如权利要求1所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该真空腔室的形状为长方体、正方体、球体或圆柱体等。4.如权利要求1所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该旋转支撑组件具有一马达和一连接器。5.如权利要求1所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该蒸镀源设置于该真空腔室的几何中心位置。6.如权利要求4所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该承盘和该旋转支撑组件的连接器连结。7.如权利要求1所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该承盘以该蒸镀源为圆心形成球面型状。8.如权利要求1所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该承盘贴附于以该蒸镀源为中心的几何形体的内表面上或内切面上。9.如权利要求1所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该基材整合体包括一金属薄膜、一被镀物，一磁铁和一夹具依序组合而成。10.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该金属薄膜具有磁性或被磁性吸附。11.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该金属薄膜具有至少一穿透孔洞。12.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该被镀物供设计的电路蒸镀于其表面上。13.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该被镀物为半导体材料、陶瓷材料或塑胶材料。14.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该磁铁为具有磁性的物质。15.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该夹具装设于该承盘上。16.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该夹具夹持固定磁体。17.如权利要求9所述的选择性镀膜装置，其特征在于，该穿透孔洞的形状依蒸镀于该被镀物的电路形状。专利摘要一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明祥，
申请(专利权)人：新知科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：