【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种物理汽相沉积技术。属于物理汽相沉积技术的有传统真空镀膜，阴极溅射和离子镀膜。目前，现有技术中的美国专利US-3793179采用了金属蒸发法离子镀膜技术，由于此项技术中只有阴极底座，阳极壳体，阴极底座中未加永久磁铁，因此没有利用霍耳加速效果，待金属蒸发后，蒸汽中所含微滴多，产品光洁度差，质量降低，对装饰用途影响很大，产品轰击清洗效果差，膜层附着力较低，金属镀膜寿命短，大大降低了产品的质量。此技术中的引弧丝为常闭态，因此，可靠性差，且镀膜材料的表面初始形状为平面，引弧后，燃烧效果也很不稳定，使镀膜技术的广泛应用和质量提高受到限制。本专利技术注重加速器设计的物理本质，采用合理的设计，克服了上述缺陷，是一种有广泛应用前途的新型离子镀膜装置。本专利技术是一种离子镀膜装置，使用带有圆柱状永久磁铁3的霍耳型等离子体加速器11作为蒸发离化源，加速器11的阴极底座4中放入永久磁铁3，在弧区中产生了一定空间分布的外加磁场，磁场的轴向分量与放电电流的径向分量作用，产生很强的环向霍耳电流该霍耳电流数值在本装置条件下，比未加磁场时的放电电流高10～20倍，该霍耳电流再与外加磁场的径向分量作用，就可以产生很高的轴向的等离子体加速度，使粒子具有相应的动能和工件表面相作用。环向电流还可进一步使蒸发物质电离从而克服了微粒多，微粒大的现象，与上述美国专利相比能产生更好的表面膜层质量。永久磁铁3可在±2cm范围内前后微调以改变总的场强及分布形态。圆柱状永久磁铁3与筒屏蔽8和平面屏蔽9相匹配，产生稳定运行所需的磁场分布和镀膜所要求的粒子加速度以及粒子分布效果，以保证加速器11的正常...
【技术保护点】
一种离子镀膜装置，其特征在于：它使用带有圆柱状永久磁铁３的霍耳型等离子体加速器１１作为蒸发离化源。加速器１１的阴极底座４中放入永久磁铁３，把永久磁铁３与筒屏蔽８和平面屏蔽９相匹配产生稳定运行所需的磁场分布和镀膜所要求的粒子的加速度以及粒子分布效果。
【技术特征摘要】
1.一种离子镀膜装置，其特征在于它使用带有圆柱状永久磁铁3的霍耳型等离子体加速器11作为蒸发离化源。加速器11的阴极底座4中放入永久磁铁3，把永久磁铁3与筒屏蔽8和平面屏蔽9相匹配产生稳定运行所需的磁场分布和镀膜所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王殿儒，田大准，
申请(专利权)人：北京工业学院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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