一种用于冗余修复的控制电路及其冗余修复方法技术

本发明专利技术公开了一种用于冗余修复的控制电路及其冗余修复方法，所述控制电路根据损坏的存储子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征确定高压控制信号INNERCELL的极性，本发明专利技术可以克服现有技术中RDN修复时的限制，提高RDN修复的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于冗余修复的控制电路及其冗余修复方法
本专利技术涉及存储单元冗余修复
，特别是涉及一种用于冗余修复的控制电路及其冗余修复方法。
技术介绍
图1、图2为现有技术的冗余阵列RDN和主存储阵列示意图，当操作A7＝0对应的子块(sector)的第一列时，如果操作CG0<0>这一行的第一列，则位线BL1<0>加高压而位线BL0<0>加低压，如果操作CG1<0>这一行的第一列，则位线BL1<0>加低压而位线BL0<0>加高压；而操作A7＝1对应的子块(sector)的第一列时，如果操作CG0<1>这一行的第一列，则位线BL1<0>加低压而位线BL0<0>加高压，如果操作CG1<1>这一行的第一列，则位线BL1<0>加高压而位线BL0<0>加低压。从加高压的角度看，操作A7＝0对应的偶数子块(sector)的第一列的CG0行所加位线电压与操作A7＝1对应的奇数子块(sector)的第一列的CG1行所加位线电压相同，定义这样的相邻子块的单元为外侧存储单元Outer-cell，高压控制信号INNERCELL置高；而操作A7＝0对应的偶数子块(sector)的第一列的CG1行所加位线电压与操作A7＝1对应的奇数子块(sector)的第一列的CG0行所加位线电压相同，定义这样的相邻子块的单元为内侧存储单元Inner-cell，高压控制信号INNERCELL置低。这里需说明的是，地址A7和A6只是具体举个例子，实际可以是其他地址，如果CG(CG0和CG1)的地址是AX，WL的地址就是AX+1。正因为位线电压的限制，当A7＝0对应的偶数子块(sector)损坏时，只能选择相同奇偶特征的冗余子块来替换，即选择RDN0/2/4……这样的偶数冗余子块(sector)来修复，而当A7＝0对应的奇数子块(sector)损坏时，只能选择相同奇偶特征的子块来替换，即选择RDN1/3/5……这样的奇数冗余子块(sector)来修复。这种修复限制将造成冗余阵列的浪费。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的不足，本专利技术之目的在于提供一种用于冗余修复的控制电路及其冗余修复方法，以克服RDN修复时的限制，提高RDN修复的利用率。为达上述及其它目的，本专利技术提出一种用于冗余修复的控制电路，所述控制电路根据损坏的存储子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征确定高压控制信号INNERCELL的极性。进一步地，所述控制电路包括与非门I0、非门I411、I1、I5以及或非门I441、I2、I3、I4，冗余子块选择信号RDNSEL<0>、RDNSEL<2>连接至所述或非门I441的输入端，所述或非门I441的输出端连接至所述非门I411的输入端，所述非门I411的输出端连接至所述与非门I0的一输入端，AX+1连接至所述与非门I0的另一输入端，所述与非门I0的输出端连接至所述非门I1的输入端，所述非门I1的输出端连接至所述或非门I4的一输入端；冗余子块选择信号RDNSEL<1>、RDNSEL<3>连接至所述或非门I2的输入端，所述或非门I2的输出端连接至所述或非门I3的输入端，AX+1连接至所述或非门I3的另一输入端，所述或非门I3的输出端连接至所述或非门I4的另一输入端；所述或非门I4的输出端连接至所述非门I5的输入端，所述非门I5的输出端即内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE。进一步地，当AX+1＝0对应的偶数子块损坏时，如果选择偶数冗余行子块进行修复时，即RDNSEL<0>或者RDNSEL<2>为高，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为低，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出不改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。进一步地，当AX+1＝1对应的奇数子块损坏时，如果选择奇数冗余行子块进行修复时，即RDNSEL<1>或者RDNSEL<3>为高，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为低，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出不改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。进一步地，当AX+1＝0对应的偶数子块损坏时，如果选择奇数冗余行子块(sector)进行修复时，即RDNSEL<1>或者RDNSEL<3>为高而RDNSEL<0>或者RDNSEL<2>为低，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为高，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出会改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在相反的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。进一步地，当AX+1＝1对应的奇数子块损坏时，如果选择偶数冗余行子块进行修复时，即RDNSEL<0>或者RDNSEL<2>为高而RDNSEL<1>或者RDNSEL<3>为低，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为高，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出会改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在相反的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。为达到上述目的，本专利技术还提供一种用于冗余修复的控制电路的冗余修复方法，包括如下步骤：步骤一，确定损坏的子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征；步骤二，根据损坏的子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征来确定高压控制信号INNERCELL的极性。进一步地，于步骤二中，当AX+1＝0对应的偶数子块损坏时，如果选择偶数冗余行子块进行修复时，即RDNSEL<0>或者RDNSEL<2>为高，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为低，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出不改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。进一步地，于步骤二中，当AX+1＝1对应的奇数子块损坏时，如果选择奇数冗余行子块进行修复时，即RDNSEL<1>或者RDNSEL<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于冗余修复的控制电路，其特征在于：所述控制电路根据损坏的存储子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征确定高压控制信号INNERCELL的极性。

【技术特征摘要】
1.一种用于冗余修复的控制电路，其特征在于：所述控制电路根据损坏的存储子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征确定高压控制信号INNERCELL的极性。2.如权利要求1所述的一种用于冗余修复的控制电路，其特征在于：所述控制电路包括与非门I0、非门I411、I1、I5以及或非门I441、I2、I3、I4，冗余子块选择信号RDNSEL<0>、RDNSEL<2>连接至所述或非门I441的输入端，所述或非门I441的输出端连接至所述非门I411的输入端，所述非门I411的输出端连接至所述与非门I0的一输入端，AX+1连接至所述与非门I0的另一输入端，所述与非门I0的输出端连接至所述非门I1的输入端，所述非门I1的输出端连接至所述或非门I4的一输入端；冗余子块选择信号RDNSEL<1>、RDNSEL<3>连接至所述或非门I2的输入端，所述或非门I2的输出端连接至所述或非门I3的输入端，AX+1连接至所述或非门I3的另一输入端，所述或非门I3的输出端连接至所述或非门I4的另一输入端；所述或非门I4的输出端连接至所述非门I5的输入端，所述非门I5的输出端即内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE。3.如权利要求2所述的一种用于冗余修复的控制电路，其特征在于：当AX+1＝0对应的偶数子块损坏时，如果选择偶数冗余行子块进行修复时，即RDNSEL<0>或者RDNSEL<2>为高，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为低，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出不改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。4.如权利要求3所述的一种用于冗余修复的控制电路，其特征在于：当AX+1＝1对应的奇数子块损坏时，如果选择奇数冗余行子块进行修复时，即RDNSEL<1>或者RDNSEL<3>为高，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为低，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出不改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。5.如权利要求4所述的一种用于冗余修复的控制电路，其特征在于：当AX+1＝0对应的偶数子块损坏时，如果选择奇数冗余行子块(sector)进行修复时，即RDNSEL<1>或者RDNSEL<3>为高而RDNSEL<0>或者RDNSEL<2>为低，所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为高，其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出会改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平，译码电路按逻辑在相反的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。6.如权利要求5所述的一种用于冗余修复的控制电路，其特征在于：当AX+1＝1对应的奇数子块损坏时，如果选择偶数冗余行子块进行修复...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31