一种太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池，通过在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层，改善传统单层透明导电层结构，使得具有较好的宽带减反射效果，可以有效增加光学透过性能，提高薄膜的光电性能；而氢化非晶氧化硅层中的氢原子在后续退火工艺中渗透进透明导电层，从而提高薄膜电导率，增加电池的短路电流，使得最终电池的转换效率得以提高。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池
本技术涉及光伏电池加工领域，尤其涉及一种太阳能电池。
技术介绍
HIT(Hetero-junctionwithIntrinsicThinlayer)异质结非晶硅/晶硅太阳能电池由于其高效的转换效率，高稳定性，低温度系数，双面发电等优点得到越来越多的关注，有望成为未来主流光伏技术之一。透明导电氧化物ITO(氧化铟锡)由于其在可见光波段的高透过性及其高电导率，被广泛用于HIT电池中起到收集电流和减少反射光的作用。然而透明导电氧化物的光学性能和电学性能是一对矛盾体。电导率的提高往往是载流子浓度的提高，而载流子浓度过高会影响光学透过性，这是因为过高的载流子浓度在红外波段引起的光吸收所造成的。因此，如何保证较高电导率的同时，也能保证较高光学透过性，是亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种太阳能电池，以解决现有技术中的问题，保证较高电导率的同时，也能保证较高光学透过性。本技术提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次设置在单晶体硅一侧表面的非晶硅层、透明导电层，所述太阳能电池还包括设置在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层、镶嵌在所述氢化非晶氧化硅层中的栅线电极，且所述栅线电极与所述透明导电层接触。作为优选，所述透明导电层厚度为60-100nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。作为优选，所述透明导电层厚度为120-180nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。作为优选，所述非晶硅层包括依次设置的本征非晶硅层与n型非晶硅层，且所述本征非晶硅层设置在所述单晶体硅一侧表面。作为优选，所述太阳能电池还包括依次设置在单晶体硅另一侧表面的本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层、氢化非晶氧化硅层。作为优选，所述透明导电层为ITO薄膜层。作为优选，所述透明导电层的折射率为2.0，所述氢化非晶氧化硅层的折射率为1.4。作为优选，所述栅线电极的方块电阻为10～50Ω，厚度为50～80nm。本技术提供的太阳能电池，通过在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层，改善传统单层透明导电层结构，使得具有较好的宽带减反射效果，可以有效增加光学透过性能，提高薄膜的光电性能；而氢化非晶氧化硅层中的氢原子在后续退火工艺中渗透进透明导电层，从而提高薄膜电导率，增加电池的短路电流，使得最终电池的转换效率得以提高。附图说明图1为本技术实施例提供的太阳能电池的结构示意图。附图标记说明：1-单晶体硅，2-本征非晶硅层，3-n型非晶硅层，4-透明导电层，5-氢化非晶氧化硅层，6-p型非晶硅层，7-栅线电极。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。如图1所示，本技术实施例提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次设置在单晶体硅1一侧表面的非晶硅层、透明导电层4，所述太阳能电池还包括设置在透明导电层4上的氢化非晶氧化硅层5、镶嵌在所述氢化非晶氧化硅层5中的栅线电极7，且所述栅线电极7与所述透明导电层4接触。其中，氢化非晶氧化硅层5一般为SiOx:H薄膜；可用激光等方式对氢化非晶氧化硅层5SiOx:H的结构进行除膜处理，后续采用丝网印刷栅线电极7，使透明导电层4与栅线电极7接触，从而引出电流。作为优选，所述透明导电层4为ITO薄膜层。作为优选，所述非晶硅层包括依次设置的本征非晶硅层2与n型非晶硅层3，且所述本征非晶硅层2设置在所述单晶体硅1一侧表面。作为优选，所述栅线电极7的方块电阻为10～50Ω，厚度为50～80nm。本技术提供的太阳能电池，通过在透明导电层4上的氢化非晶氧化硅层5，改善传统单层透明导电层4结构，使得具有较好的宽带减反射效果，可以有效增加光学透过性能，提高薄膜的光电性能；而氢化非晶氧化硅层5中的氢原子在后续退火工艺中渗透进透明导电层4，从而提高薄膜电导率，增加电池的短路电流，使得最终电池的转换效率得以提高。作为优选，在波长为632.8nm时，透明导电层4折射率为2.0，氢化非晶氧化硅层5SiOx:H折射率为1.4，根据薄膜光学原理，折射率匹配的减反膜主要有两种结构：本技术实施例中，方案一：V型结构，即λ/4～λ/4结构。通过PVD(PhysicalVaporDeposition)物理气相沉积法溅射制备厚度为60-100nm透明导电层4后，再在PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)等离子体增强化学的气相沉积法制备一层厚度为100～130nmSiOx:H薄膜。方案二：W型结构，即λ/4～λ/2结构，PVD溅射制备厚度为120nm-180透明导电层4后，再在PECVD中制备一层厚度为100～130nmSiOx:H薄膜。作为优选，所述太阳能电池还包括依次设置在单晶体硅1另一侧表面的本征非晶硅层2、p型非晶硅层6、透明导电层4、氢化非晶氧化硅层5。其中，在单晶体硅1另一侧表面设置本征非晶硅层2、p型非晶硅层6、透明导电层4，同样道理，在透明导电层4上设置一层氢化非晶氧化硅层5，整体形成双层减反射膜，提高光的有效透过，提高电池的短路电流；同时提高了薄膜电导率，最终的转化效率可以得到有效提升。以上依据图式所示的实施例详细说明了本技术的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本技术的较佳实施例，但本技术不以图面所示限定实施范围，凡是依照本技术的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次设置在单晶体硅一侧表面的非晶硅层、透明导电层，其特征在于，所述太阳能电池还包括设置在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层、镶嵌在所述氢化非晶氧化硅层中的栅线电极，且所述栅线电极与所述透明导电层接触。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次设置在单晶体硅一侧表面的非晶硅层、透明导电层，其特征在于，所述太阳能电池还包括设置在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层、镶嵌在所述氢化非晶氧化硅层中的栅线电极，且所述栅线电极与所述透明导电层接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层厚度为60-100nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层厚度为120-180nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述非...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆海川，龙巍，董刚强，郁操，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11