一种ESD器件串联电阻的电阻结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种ESD器件串联电阻的电阻结构，把多晶硅电阻分成N个小部分，每一小部分均通过各自对应的Contact连接到上部金属层；每一小部分所对应的Contact及连接到上部金属层构成了一个独立单元；所述上部金属层采用金属铝材料；所述Contact采用金属铝材料或铝合金材料；利用金属铝的热容特性，巧妙利用现有结构，在通过同样的ESD电流而导致发热时，不会导致电阻被损坏，同时，能大大缩小ESD器件所在电路整体尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种ESD器件串联电阻的电阻结构
本技术涉及一种ESD器件串联电阻的电阻结构，特别是涉及一种半导体芯片电路中的ESD串联电阻的电阻结构。
技术介绍
在半导体芯片电路中，有时，我们需要在ESD器件之前串一个10欧姆到200欧姆的ploy（多晶硅）电阻，这个电阻的作用是增加ESD结构对芯片外部噪声的免疫力，在接地噪声和电源噪声的环境中，更不容易使ESD被正偏。由于这个poly电阻被串联在ESD路径中，所以，当ESD发生的时候，会有安培级的电流通过它。因此，为了保证在ESD发生时，电阻不被损坏，这个poly电阻的面积通常需要被设计得相当大，来吸收掉在ESD发生时所发出的热，从而防止电阻器件的损坏。在ESD发生时，使电阻器件损坏的主要原因是因为瞬间功率过大导致电阻过热。对于poly电阻来说，它的厚度往往比较薄（例如，在.18工艺中，大概是0.2um~0.3um厚）。因此同等面积下它的热容有限。假如它的面积不够大，ESD电流流过它的时候发出的能量会使它快速发热，超过其熔点导致损毁，因此，很大程度上制约了该电阻电路的版图尺寸。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种能大大缩小ESD器件所在电路整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ESD器件串联电阻的电阻结构，其特征在于：把多晶硅电阻分成N个小部分，每一小部分均通过各自对应的Contact连接到上部金属层；每一小部分所对应的Contact及连接到上部金属层构成了一个独立单元；所述上部金属层采用金属铝材料；所述Contact采用金属铝材料或铝合金材料；所述N为大于等于2的自然数。

【技术特征摘要】
1.一种ESD器件串联电阻的电阻结构，其特征在于：把多晶硅电阻分成N个小部分，每一小部分均通过各自对应的Contact连接到上部金属层；每一小部分所对应的Contact及连接到上部金属层构成了一个独立单元；所述上部金属层采用金属铝材料；所述Contact采用金属铝材料或铝合金材料；所述N为大于等于2的自然数。2.根据权利要求1所述的ESD器件串联电阻的电阻结构，其特征在于：还包括Via结构，每一小部分均通过各自对应的Contact和Via连接到上部金属层；每一小部分所对应的Contact和Via及连接到上部金属层构成了一个独立单元；所述Via和上部金属层采用金属铝材料；所述Contact采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伊珂，李涅，
申请(专利权)人：清华四川能源互联网研究院，
类型：新型
国别省市：四川,51