一种简易的对讲机保护模块制造技术

本发明专利技术公开了一种简易的对讲机保护模块，包括电阻一、反相器、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一及P沟道增强型绝缘栅型场效应管二，电阻一两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二源极连接，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极接地，P沟道增强型绝缘栅型场效应管二为二极管连接的MOS管。反相器的输入端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二漏极连接，反相器的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极连接，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与电阻一之间的线路上连接有直流电压输入线。本发明专利技术采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且本发明专利技术能在输入过高时进行泄压，从而避免输入对讲机内芯片的电压过高而导致芯片损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种简易的对讲机保护模块
本专利技术涉及通信设备，具体是一种简易的对讲机保护模块。
技术介绍
对讲机是一种双向移动通信工具，主要应用于团体成员间的联络和指挥调度，以提高沟通效率和提高处理突发事件的快速反应能力。现有对讲机内芯片常常会因整流输出的电压过高而损坏，这就造成大量资源浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了能抑制输入对讲机内电压过高的一种简易的对讲机保护模块。本专利技术的目的主要通过以下技术方案实现：一种简易的对讲机保护模块，包括电阻一、反相器、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一及P沟道增强型绝缘栅型场效应管二，所述电阻一两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二源极连接，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极接地，所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管二为二极管连接的MOS管，所述反相器的输入端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二漏极连接，反相器的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极连接，所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与电阻一之间的线路上连接有直流电压输入线。本专利技术中二极管连接的MOS管是将MOS管的栅极和漏极连接在一起，由于MOS管在一定电压下存在漏电流，所以本专利技术中二极管连接的MOS管用来模拟一个阻值很大的电阻，并且可以通过调整MOS管的参数来实现对阻值的控制。本专利技术中的直流电压输入线接收对讲机整流后的电压，输入的电压经过本专利技术处理后从P沟道增强型绝缘栅型场效应管二与电阻一之间线路上外接的线路输出。一种简易的对讲机保护模块，还包括N沟道增强型绝缘栅型场效应管一、N沟道增强型绝缘栅型场效应管二及N沟道增强型绝缘栅型场效应管三，所述N沟道增强型绝缘栅型场效应管一、N沟道增强型绝缘栅型场效应管二及N沟道增强型绝缘栅型场效应管三三者的栅极均连接在P沟道增强型绝缘栅型场效应管二源极与电阻一之间的线路上，所述N沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二漏极和反相器之间的线路连接，N沟道增强型绝缘栅型场效应管二的源极和漏极分别与N沟道增强型绝缘栅型场效应管三漏极和N沟道增强型绝缘栅型场效应管一源极连接，N沟道增强型绝缘栅型场效应管三源极接地。所述电阻一为压敏电阻。本专利技术通过压敏电阻的作用，能进一步对本专利技术进行过压保护。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术整体结构简单，便于实现，且本专利技术在工作时若电压过高，可通过P沟道增强型绝缘栅型场效应管一进行泄压，进而能避免对讲机输入电压过高。附图说明图1为本专利技术实施例的结构示意图。附图中附图标记所对应的名称为：R1—电阻一，P1—P沟道增强型绝缘栅型场效应管一，P2—P沟道增强型绝缘栅型场效应管二，N1—N沟道增强型绝缘栅型场效应管一，N2—N沟道增强型绝缘栅型场效应管二，N3—N沟道增强型绝缘栅型场效应管三，N4—第四NMOS管，INV1—反相器，1—直流电压输入线。具体实施方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步的详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例：如图1所示，一种简易的对讲机保护模块，包括电阻一R1、反相器INV1及五个MOS管，其中，电阻一R1为压敏电阻，五个MOS管包括两个PMOS管和三个NMOS管，其中，两个PMOS管分别为P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2，三个NMOS管分别为N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1、N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2及N沟道增强型绝缘栅型场效应管三N3。电阻一R1两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1漏极和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2源极连接，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1的源极接地，P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2为二极管连接的MOS管，具体为P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2的栅极与其漏极连接。反相器INV1的输入端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2漏极连接，反相器INV1的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1栅极连接，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1漏极与电阻一R1之间的线路上连接有直流电压输入线1。N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1、N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2及N沟道增强型绝缘栅型场效应管三N3三者的栅极均连接在P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2源极与电阻一R1之间的线路上，N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1漏极与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2漏极和反相器INV1之间的线路连接，N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2的源极和漏极分别与N沟道增强型绝缘栅型场效应管三N3漏极和N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1源极连接，N沟道增强型绝缘栅型场效应管三N3源极接地。以上所述的具体实施方式，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已，并不用于限定本专利技术的保护范围，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种简易的对讲机保护模块，其特征在于：包括电阻一（R1）、反相器（INV1）、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）及P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2），所述电阻一（R1）两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）漏极和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2）源极连接，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）的源极接地，所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2）为二极管连接的MOS管，所述反相器（INV1）的输入端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2）漏极连接，反相器（INV1）的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）栅极连接，所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）漏极与电阻一（R1）之间的线路上连接有直流电压输入线（1）。

【技术特征摘要】
1.一种简易的对讲机保护模块，其特征在于：包括电阻一（R1）、反相器（INV1）、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）及P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2），所述电阻一（R1）两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）漏极和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2）源极连接，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）的源极接地，所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2）为二极管连接的MOS管，所述反相器（INV1）的输入端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管二（P2）漏极连接，反相器（INV1）的输出端与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）栅极连接，所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一（P1）漏极与电阻一（R1）之间的线路上连接有直流电压输入线（1）。2.根据权利要求1所述的一种简易的对讲机保护模块，其特征在于：还包括N沟道增强型...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾国春，
申请(专利权)人：曾国春，
类型：发明
国别省市：四川,51