一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器制造技术

本实用新型专利技术公开一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，涉及石英晶体谐振器领域，石英晶片的一对角线上的两个角落设置金属层，金属层包括设置在石英晶片上表面的上金属层和设置在石英晶片下表面的下金属层；上金属层和石英晶片上设有贯穿的通孔一，封装基座的一对角线上的两个角落分别设有通孔二和通孔三，当石英晶片安装在封装基座上后，通孔一和通孔二的贯通，通孔三和下金属层接触；通孔一、通孔二和通孔三的内壁均镀覆有金属层，且内部均填充有密封介质。本实用新型专利技术解决了现有的全石英晶体谐振器石英晶片一对角线的两个端点处设置的半圆环结构镀覆的金属材料容易脱落，脱落后的金属层在导电时导致稳定性变差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器
本技术涉及石英晶体谐振器领域，尤其涉及一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器。
技术介绍
石英晶体振荡器又名石英谐振器，简称晶振，是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的反应。利用这种特性，就可以用石英谐振器取代LC(线圈和电容)谐振回路、滤波器等。由于石英谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，被应用于家用电器和通信设备中。石英谐振器因具有极高的频率稳定性，故主要用在要求频率十分稳定的振荡电路中作谐振元件。专利号为201521073610.0的技术专利公开了一种具有圆形晶片结构的石英晶体谐振器，它由石英晶片、封装盖和封装基座封装而成，石英晶片包括圆形构件、连接部和保护框，圆形构件可在封装后的腔体内自由振荡，圆形构件上设置有电极区，连接部和保护框上设置有金属层A，保护框上的定位孔内设置有金属层B，封装基座上设置有引脚，电极区通过金属层A、金属层B与引脚电连接。这种全石英谐振器可用于小型化谐振器的低成本批量化生产，并能够增强石英片中心能陷效应、大幅度提升产品一致性。但是，这一全石英晶体谐振器具有以下缺点：在石英晶片上，石英晶片一对角线的两个端点处设置有半圆环结构，此半圆环结构上镀覆有金属材料，此金属材料作为外引线连通电机区的金属层和封装基座上的引脚，引脚再连接有外电路，但是，金属材料作为引线设置在封装基座的外部，容易导致金属层脱落，脱落后的金属层在导电时导致稳定性变差；另外，石英晶片上的石英晶片中心区域为圆形，相应的电极的形状为圆形，圆形电极在设置时，由于圆的大小只和半径大小，在设计晶片时，只有晶片半径和电极半径两个参数，设计有局限性。
技术实现思路
本技术的目的在于：为解决现有的全石英晶体谐振器石英晶片一对角线的两个端点处设置的半圆环结构镀覆的金属材料容易脱落，脱落后的金属层在导电时导致稳定性变差的问题，本技术提供一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器。本技术的技术方案如下：一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，包括封装盖、石英晶片、封装基座，封装盖的下表面设有封装盖凹面平台，石英晶片包括的上表面和下表面均包括石英晶片中央区域和通槽,石英晶片中央区域的表面覆盖有中心双面镀覆带电极，中心双面镀覆电极包括上表面镀覆电极和下表面镀覆电极，中心双面镀覆电极与金属引线层连接，金属引线包括上金属引线和下金属引线。所述封装基座的上表面设有封装基座凹面平台，封装基座的下表面的角落处设有引脚。所述石英晶片的一对角线上的两个角落设置金属层，金属层包括设置在石英晶片上表面的上金属层和设置在石英晶片下表面的下金属层，上金属层与上金属引线连接，下金属层与下金属引线连接；上金属层和石英晶片上设有贯穿的通孔一，封装基座的一对角线上的两个角落分别设有通孔二和通孔三，当石英晶片安装在封装基座上后，通孔一和通孔二的位置相对应，通孔三和下金属层接触。通孔一、通孔二和通孔三的内壁均镀覆有金属层，且通孔一、通孔二和通孔三均填充有密封介质。优选地，所述通孔一、所述通孔二和所述通孔三的内壁镀覆的金属层材料为银、铬、铜、金等金属材料，原则上，只要是能够导电的金属材料，都可以用于本技术中金属材料。优选地，所述密封介质为低温玻璃，密封介质为低温玻璃，低温玻璃具有低的软化温度或低的熔化温度，在具体封装时不会对器件造成损坏，且成本低下。在另外的实施方式中，密封介质也可为普通的金属或者其他的非金属材料。进一步地，所述上表面镀覆电极和下表面镀覆电极的形状为矩形或正方形。矩形或者正方形对于圆形来说，具有两个可调控的参数，能够在保证调控方式简单的前提下实现更加精准的调控。采用上述方案后，本专利技术的有益效果在于：(1)与现有的技术相比，将电极电流的传导路径移到了晶体内部而不是晶体边缘，通孔一、通孔二和通孔三内壁的金属层不易脱落，增加了电流的稳定性，并且，能够保证上表面镀覆电极和下表面镀覆电极通电的一致性，使得全石英晶体谐振器的效果更加优异。通孔一、通孔二和通孔三均填充有密封介质，保证了全石英晶体谐振器的内部的严密封装，气密性更好。(2)密封介质为低温玻璃，低温玻璃具有低的软化温度或低的熔化温度，在具体封装时不会对器件造成损坏，且成本低下。在另外的实施方式中，密封介质也可为普通的金属或者其他的非金属材料。(3)上表面镀覆电极和下表面镀覆电极的形状为矩形或正方形，矩形或者正方形对于圆形来说，具有两个可调控的参数，能够在保证调控方式简单的前提下实现更加精准的调控。附图说明图1为本技术未封装组合时的结构示意图；图2为本技术的石英晶片的俯视图；图中标记：1-封装盖，101-封装盖凹面平台，2-石英晶片，201-石英晶片中央区域，202-通槽，203a-上表面镀覆电极，203b-下表面镀覆电极，204-通孔一，205a-上金属层，205b-下金属层，206a-上金属引线，206b下-金属引线，3-封装基座，301-封装基座凹面平台，302a-通孔二，302b-通孔三，303-引脚。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本实施例的改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，包括封装盖1、石英晶片2、封装基座3，封装盖1的下表面设有封装盖凹面平台101，石英晶片2包括的上表面和下表面均包括石英晶片中央区域201和通槽202,石英晶片中央区域201的表面覆盖有中心双面镀覆带电极，中心双面镀覆电极包括上表面镀覆电极203a和下表面镀覆电极203b，中心双面镀覆电极与金属引线层连接，金属引线包括上金属引线206a和下金属引线206b所述封装基座3的上表面设有封装基座凹面平台301，封装基座3的下表面的角落处设有引脚303。石英晶片2的一对角线上的两个角落设置金属层，金属层包括设置在石英晶片2上表面的上金属层205a和设置在石英晶片2下表面的下金属层205b，上金属层205a与上金属引线206a连接，下金属层205b与下金属引线206b连接；上金属层205a和石英晶片2上设有贯穿的通孔一204，封装基座3的一对角线上的两个角落分别设有通孔二302a和通孔三302b，当石英晶片2安装在封装基座3上后，通孔一204和通孔二302a的贯通，通孔三302b和下金属层205b接触。通孔一204、通孔二302a和通孔三302b的内壁均镀覆有金属层，且通孔一204、通孔二302a和通孔三302b均填充有密封介质。在本技术的改进电极连接结构的全石英晶体谐振器中，对于面镀覆电极203a与上金属引线206a连接，上金属引线206a再和上金属层205a连接，通孔一204、通孔二302a镀覆有金属层，该金属层与上金属层205a连接后将电流导通至引脚303，引脚303与外部电路板连接，从而实现了上表面镀覆电极203a的通电，对于镀覆电极203本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，包括封装盖(1)、石英晶片(2)、封装基座(3)，石英晶片中央区域(201)的表面覆盖有中心双面镀覆电极，上下表面的中心双面镀覆电极分别与上金属引线(206a)和下金属引线(206b)连接，其特征在于，所述石英晶片(2)的一对角线上设有位于石英晶片(2)上表面的上金属层(205a)和位于石英晶片(2)下表面的下金属层(205b)，上金属层(205a)与上金属引线(206a)连接，下金属层(205b)与下金属引线(206b)连接；上金属层(205a)和石英晶片(2)上设有贯穿的通孔一(204)，封装基座(3)的一对角线上的两个角落分别设有通孔二(302a)和通孔三(302b)，当石英晶片(2)安装在封装基座(3)上后，通孔一(204)和通孔二(302a)的位置相对应，通孔三(302b)和下金属层(205b)接触；通孔一(204)、通孔二(302a)和通孔三(302b)的内壁均镀覆有金属层，且通孔一(204)、通孔二(302a)和通孔三(302b)均填充有密封介质。

【技术特征摘要】
1.一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，包括封装盖(1)、石英晶片(2)、封装基座(3)，石英晶片中央区域(201)的表面覆盖有中心双面镀覆电极，上下表面的中心双面镀覆电极分别与上金属引线(206a)和下金属引线(206b)连接，其特征在于，所述石英晶片(2)的一对角线上设有位于石英晶片(2)上表面的上金属层(205a)和位于石英晶片(2)下表面的下金属层(205b)，上金属层(205a)与上金属引线(206a)连接，下金属层(205b)与下金属引线(206b)连接；上金属层(205a)和石英晶片(2)上设有贯穿的通孔一(204)，封装基座(3)的一对角线上的两个角落分别设有通孔二(302a)和通孔三(302b)，当石英晶片(2)安装在封装基座(3)上后，通孔一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆旺，雷晗，
申请(专利权)人：成都泰美克晶体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51