具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法技术

切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。

【技术实现步骤摘要】
具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及一种制造半导体晶片的方法、一种半导体晶片、一种制造半导体器件的方法、一种半导体器件以及一种光伏电池。
技术介绍
在制造过程中无意中引入半导体器件的污染物对器件功能和可靠性有不利的影响。吸杂技术旨在通过为空闲器件区域中的污染物提供合适的收集位置来使污染物远离半导体器件的有源器件区域。例如，在丘克拉斯基硅中，过饱和氧形成了形成半导体器件的大批半导体晶片中的收集位置。喷砂、PBS(多晶硅背封，PolysiliconBackSealing)、激光损伤和其它方法可能在半导体晶片的背部上形成吸杂位置。PBS的吸杂效率通常取决于晶粒尺寸以及沉积条件并且随着热处理和氧化的时间的延长而恶化。需要可靠地使污染物远离半导体晶片和半导体器件的有源器件区域。
技术实现思路
本公开涉及一种制造半导体晶片的方法，其中，所述方法包括：切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和平行于所述前侧表面的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。在所述后侧表面上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成阻挡层。根据一个可选的实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体晶片的方法，包括：切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片；直接在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上形成钝化层；以及在所述后侧表面上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成阻挡层。

【技术特征摘要】
2016.11.11 DE 102016121680.11.一种制造半导体晶片的方法，包括：切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片；直接在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上形成钝化层；以及在所述后侧表面上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成阻挡层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层直接形成在所述后侧表面上。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层在形成所述阻挡层之前直接形成在至少所述后侧表面上。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在形成所述阻挡层之前，直接在所述后侧表面上由多晶硅形成辅助层。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：在形成所述阻挡层之前，在所述后侧表面上由多晶硅形成辅助层。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述钝化层通过所述半导体切片的氧化形成。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述钝化层的在所述前侧表面上的一部分由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述半导体切片是从圆柱形半导体晶锭切割的。9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述半导体切片是从具有与纵向轴线正交的多边形横截面的半导体晶锭切割的。10.一种半导体晶片，包括：具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片；在所述后侧表面上的由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层；以及直接在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上的钝化层。11.根据权利要求10所述的半导体晶片，其中所述阻挡层直接在所述半导体切片上。12.根据权利要求10所述的半导体晶片，其中所述钝化层位于所述前侧表面和所述后侧表面上。13.根据权利要求10所述的半导体晶片，其中，所述半导体晶片还包括：在所述后侧表面与所述阻挡层之间的由多晶硅形成的辅助层。14.根据权利要求10至13中任一项所述的半导体晶片，其中所述钝化层由热半导体氧化物形成。15.根据权利要求10至13中任一项所述的半导体晶片，其中所述钝化层的在所述前侧表面上的一部分由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成。16.根据权利要求10至15中任一项所述的半导体晶片，其中所述半导体切片是圆柱形的，并且外侧向表面包括平坦部和凹口中的至少一个。17.根据权利要求10至15中任一项所述的半导体晶片，其中所述半导体切片的外侧向表面包括四个正交区段。18.一种制造半导体器件的方法，包括：在包括半导体切片的半导体晶片的前侧处形成半导体元件，以及在与所述前侧相反的背部上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成阻挡层；以及在所述前侧处形成电连接到所述半导体元件的前侧金属化部。19.根据权利要求18所述的方法，其中形成所述阻挡层包括离子束合成和随后的热处理，所述离子束合成包括在所述半导体切片的背部上注入(i)碳和(ii)氮和过渡金属原子中的至少一种，所述热处理形成碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种的微晶。20.根据权利要求18和19中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述半导体晶片的后侧处理之前去除所述阻挡层的至少一个区段，其中，所述后侧处理包括以下中的至少一种：通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·鲁普，F·J·桑托斯罗德里格斯，HJ·舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE