有机发光装置中具有合并间隔件的装置制造方法及图纸

本揭露涉及一种有机发光装置中具有合并间隔件的装置。更具体而言，本揭露涉及一种包含逻辑装置的有机发光装置及一种相关联的制造方法，所述逻辑装置包括虚设图案及合并间隔件。在一些实施例中，所述有机发光装置放置于衬底上方。所述逻辑装置耦合到所述有机发光装置且包括放置于所述衬底内且通过沟道区域分离的一对源极/漏极区域。栅极结构上覆所述沟道区域且包括栅极电极及通过合并间隔件与所述栅极电极分离的虚设图案。通过将所述虚设图案及所述合并间隔件布置于所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间，放大所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间的距离，且因此减小栅极诱发的漏极泄漏GIDL效应。

【技术实现步骤摘要】
有机发光装置中具有合并间隔件的装置
本专利技术实施例涉及有机发光装置中具有合并间隔件的装置。
技术介绍
有机发光装置(OLED)因为有机材料的固有性质(例如其的可挠性，其使有机材料特别适合于制造在可挠衬底上)而变得愈加受期望。OLED利用在跨装置施加电压时发光的薄的有机膜。OLED正变成用于例如平板显示器、照明及背光照明的应用的愈加受欢迎技术。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及一种集成电路，其包括：有机发光装置(OLED)，其放置于衬底上方；及晶体管，其耦合到所述有机发光装置，所述晶体管包括：一对源极/漏极区域，其放置于所述衬底内且通过沟道区域分离；及栅极结构，其上覆所述沟道区域；其中所述栅极结构包括栅极电极及通过合并间隔件而与所述栅极电极分离的虚设图案。本专利技术的实施例涉及一种包含有机发光装置(OLED)的集成电路，其包括：一对源极/漏极区域，其放置于衬底上；栅极结构，其放置于所述对源极/漏极区域之间及所述衬底上方，所述栅极结构包括：栅极电极，其通过栅极电介质与所述衬底分离；及虚设图案，其设置于所述栅极电极旁边；及合并间隔件，其放置于所述栅极电极与所述虚设图案之间且邻接所述栅极电极及所述虚设图案。本专利技术的实施例涉及一种用于制造包含有机发光装置(OLED)的集成电路的方法，所述方法包括：在衬底上方形成栅极介电层及多晶硅层；根据一或多个硬掩模层图案化所述多晶硅层及所述栅极介电层以同时形成多晶硅栅极及虚设多晶硅图案；在所述衬底上方及所述多晶硅栅极与所述虚设多晶硅图案之间形成保护层；及执行回蚀过程以沿所述衬底移除所述保护层且沿所述多晶硅栅极及所述虚设多晶硅图案减小所述保护层的厚度，以形成所述多晶硅栅极与所述虚设多晶硅图案之间的合并间隔件。附图说明当结合附图阅读时，自以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业中的标准实践，未按比例绘制各种装置。事实上，为了论述的清楚起见，各种装置的尺寸可任意增大或缩小。图1绘示包含具有发光组件及逻辑装置的OLED的集成电路的一些实施例的示意图。图2绘示包含合并间隔件的图1的集成电路的逻辑装置的一些实施例的横截面图。图3绘示包含合并间隔件的图2的逻辑装置的一些实施例的俯视图。图4到10绘示展示形成包含具有合并间隔件的逻辑装置的集成电路的方法的横截面图的一些实施例。图11绘示形成包含具有合并间隔件的逻辑装置的集成电路的方法的一些实施例的流程图。具体实施方式以下揭示提供用于实施所提供的目标的不同装置的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不意欲为限制性的。例如，在下文描述中，第一装置形成在第二装置上方或上可包含其中第一装置及第二装置直接接触形成的实施例，且还可包含其中额外装置可形成于第一装置与第二装置之间，使得第一装置与第二装置可能未直接接触的实施例。此外，本揭露可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复为出于简单及清楚的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或构形之间的关系。此外，为便于描述，空间相对术语(例如“底下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及类似者)可在本文中用于描述一个组件或装置与另一(些)组件或装置的关系，如图中所绘示。除了图中所描绘的定向之外，所述空间相对术语还意欲涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)，且同样可相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。愈加受期望的有机发光装置利用在跨膜施加电压时发光的薄的有机膜。有机发光装置受逻辑装置控制，例如依8V到10V的偏压范围操作的中电压晶体管。由于针对不同技术节点按比例调整装置，所以减小栅极电介质及沟道长度。逻辑装置的挑战的一者为其栅极诱发的漏极泄漏(被称作GIDL)。GIDL归因于栅极与漏极重叠的场耗尽区域中的带间漏极到衬底穿隧电流的泄漏机制。GIDL引入关闭状态泄漏，此在装置设计中造成严重限制。本揭露涉及一种包含逻辑装置的有机发光装置及一种相关联的制造方法，所述逻辑装置包括虚设图案及合并间隔件以延伸逻辑装置的栅极电极与漏极区域之间的距离。在一些实施例中，所述有机发光装置放置于衬底上方。所述逻辑装置耦合到所述有机发光装置且包括放置于所述衬底内且通过沟道区域分离的一对源极/漏极区域。栅极结构上覆所述沟道区域且包括栅极电极及通过合并间隔件而与所述栅极电极分离的虚设图案。通过将所述虚设图案及所述合并间隔件布置于所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间，放大所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间的距离，借此减小栅极诱发的漏极泄漏(GIDL)效应。图1展示用于OLED装置的集成电路100的示意图。在一些实施例中，电路100包含耦合到逻辑装置(例如驱动晶体管110及选择晶体管108)的OLED照明组件102。在一些实施例中，选择晶体管108连接于数据线104与驱动晶体管110的栅极电极之间。选择晶体管108的栅极电极连接到选择线106，使得施加到选择线106的适当电压将接通选择晶体管108，从而容许数据线104上的电压施加到驱动晶体管110的栅极电极，且接通驱动晶体管110。在一些实施例中，OLED照明组件102具有直接连接到驱动晶体管110的源极/漏极区域的一者的阳极(或阴极)。在一些实施例中，驱动晶体管110的另一源极/漏极区域连接到偏压源Vdd。存储电容器112可连接于偏压源Vdd与驱动晶体管110的栅极电极之间。结果，当驱动晶体管110通过选择晶体管108接通时，足够电压施加到驱动晶体管110，使得足够高的电流可流过OLED照明组件102以产生光。在一些实施例中，集成电路100可为矩阵显示器中的单元模块。如将结合后图更详细说明，逻辑装置(例如驱动晶体管110或选择晶体管108)可具有与其栅极电极邻接布置且通过合并间隔件分离的虚设图案，使得栅极电极与漏极区域隔开，借此减小栅极诱发的漏极泄漏(GIDL)效应且改进OLED装置的效率及敏感度。图2绘示包含合并间隔件的图1的集成电路100的逻辑装置200的一些实施例的横截面图。如上文提及，逻辑装置200可为间接或直接耦合到OLED照明组件的晶体管，例如图1的驱动晶体管110或选择晶体管108。在一些实施例中，逻辑装置200包括放置于衬底202内的一对源极/漏极区域206a、206b。所述对源极/漏极区域206a、206b通过沟道区域204分离。在一些实施例中，衬底202可包括经配置以提供如模/数转换、放大、存储、滤波等的此些功能的互补金属氧化物半导体(CMOS)装置。在一些实施例中，衬底202可为块体半导体衬底，例如经轻度掺杂的单晶衬底。衬底202还可实施为二元复合衬底(例如，GaAs晶片)、三元复合衬底(例如，AlGaAs)或更高级复合晶片，以及其它。此外，衬底202还可包含非半导体材料，例如绝缘体上硅(SOI)中的氧化物、部分SOI衬底、多晶硅、非晶硅或有机材料，以及其它。在一些实施例中，所述对源极/漏极区域206a、206b具有与衬底202的第二掺杂类型(例如，p型掺杂)不同的第一掺杂类型(例如，n型掺杂)。沟道区域204还可具有第二掺杂类型。所述对源极/漏极区域206a、206b可具有比沟道区域204及衬底202(或逻辑装置的本体区域)的掺杂浓度大的掺杂浓度。栅极结构209本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，其包括：有机发光装置OLED，其放置于衬底上方；及晶体管，其耦合到所述有机发光装置，所述晶体管包括：一对源极/漏极区域，其放置于所述衬底内且通过沟道区域分离；及栅极结构，其上覆所述沟道区域；其中所述栅极结构包括栅极电极及通过合并间隔件而与所述栅极电极分离的虚设图案。

【技术特征摘要】
2016.11.15 US 15/352,1721.一种集成电路，其包括：有机发光装置OLED，其放置于衬底上方；及晶体管，其耦合到所述有机发...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕寰，范富杰，郑光茗，霍克孝，叶力瑄，赵堉斌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71