阵列基板及阵列基板的制备方法技术

一种阵列基板的制备方法，包括：提供基板(101)；在基板(101)的表面上形成第一金属层，并将第一金属层图案化，以形成栅极(102)和第一电极(103)，其中，栅极(102)和第一电极(103)间隔设置；形成覆盖栅极(102)及第一电极(103)的第一绝缘层(104)；在第一绝缘层(104)上形成对应栅极(102)设置的有源层(105)，并对有源层(105)进行退火；形成覆盖有源层(105)的第二绝缘层(106)；对应第一电极(103)开设第一贯孔(1041)，以使得部分部分第一电极(103)通过第一贯孔(1041)显露出来，对应有源层(105)开设间隔设置的第二贯孔(1061)及第三贯孔(1062)，以使部分有源层(105)分别通过第二贯孔(1061)及第三贯孔(1062)显露出来；及形成通过第一贯孔(1041)与第一电极(103)相连的第二电极(107)，通过第二贯孔(1061)与有源层(105)相连的源极(108)，以及通过第三贯孔(1062)和有源层(105)相连的漏极(109)，第二电极(107)、源极(108)和漏极(109)间隔设置，其中，第二电极(107)和第一电极(103)构成电容的一个电极板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及阵列基板的制备方法
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的制备方法。
技术介绍
在显示装置中，薄膜晶体管显示装置(ThinFilmTransistordisplay)由于具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和辐射小等优点，在当前的平板显示装置市场占据了主导地位。阵列基板是薄膜晶体管显示装置的重要组成部分之一。阵列基板和彩膜基板之间设置液晶分子层，通过对设置于阵列基板上的公共电极和像素电极施加电压，即可改变液晶分子的排列，从而控制光线的透过率，在每个像素上设置不同的电压并配合均匀的背光源，即可实现不同灰阶的显示，经过彩膜基板上的红、绿、蓝三种色阻形成的不同的光强的组合，即可显示出特定的彩色画面。阵列基板通过包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)和电容(比如存储电容等)，每个薄膜晶体管均包括栅极、栅极绝缘层、有源层、钝化层、及源极和漏极等。目前在制备阵列基板时，通常制备出来的阵列基板的性能不佳，比如，在制备电容的时候，覆盖在和薄膜晶体管的栅极同时形成的电极(为了方便描述，简称第一电极)上的绝缘层上先形成通孔，所述通孔用于将部分第一电极显露出来，接着，在栅极绝缘层上形成有源层，并对有源层进行退火时，容易造成电容中显露出来的第一电极氧化，从而会影响到所述电容的性能，进而导致所述阵列基板的性能降低。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管和电容，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：101，提供基板；102，在所述基板的表面上形成第一金属层，并将所述第一金属层进行图案化，以形成栅极和第一电极，其中，所述栅极和所述第一电极间隔设置；103，形成覆盖在所述栅极及所述第一电极的第一绝缘层；104，在所述第一绝缘层上形成对应所述栅极设置的有源层，并对所述有源层进行退火；105，形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；106，对应所述第一电极开设第一贯孔，以使得部分第一电极通过第一贯孔显露出来，对应所述有源层开设间隔设置的第二贯孔及第三贯孔，以使部分有源层分别通过第二贯孔及所述第三贯孔显露出来；及107，形成通过所述第一贯孔与所述第一电极相连的第二电极，通过所述第二贯孔与所述有源层相连的源极，以及通过所述第三贯孔和所述有源层相连的漏极，所述第二电极、所述源极和所述漏极间隔设置，其中，所述第二电极和所述第一电极构成所述电容的一个电极板。相较于现有技术，本专利技术的阵列基板的制备方法先在所述第一绝缘层上形成对应所述栅极设置的有源层，并对所述有源层进行退火，再对应所述第一电极开设第一贯孔，以使得部分第一电极通过所述第一贯孔显露出来，因此，克服了现有技术中先形成将第一电极显露出来的通通孔之后再形成有源层并对有源层进行退火时，造成的对显露出来的第一电极的氧化的技术问题，因此，本专利技术的阵列基板的制备方法制备出来的阵列基板的性能较高。本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管和电容，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：201，提供基板；202，在所述基板的表面上形成第一金属层，并将所述第一金属层进行图案化，以形成栅极和第一电极，其中，所述栅极和所述第一电极间隔设置；203，形成覆盖在所述栅极及所述第一电极的第一绝缘层；204，在所述第一绝缘层上形成对应所述栅极设置的有源层，并对所述有源层进行退火；205，形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；206，在所述第一绝缘层上及所述第二绝缘层上分别对应所述第一电极开设第一子贯孔及第二子贯孔，所述第一子贯孔与所述第二子贯孔连通以形成所述第一贯孔，以使得部分第一电极通过所述第一贯孔显露出来；207，形成覆盖所述第二绝缘层的有机材料层，且在所述有机材料层上对应所述第一电极开设第一有机材料通孔，所述第一有机材料通孔与所述第一贯孔连通，在所述有机材料层上对应所述有源层开设间隔设置的第二有机材料通孔及第三有机材料通孔；208，对应所述第二有机材料通孔在所述第二绝缘层上开设第二贯孔，以使得部分有源层通过所述第二贯孔及所述第二有机材料通孔显露出来，以及对应所述第三有机材料通孔在所述第二绝缘层上开设第三贯孔，以使得部分有源层通过所述第三贯孔及所述第三有机材料通孔显露出来；及209，形成通过所述第一贯孔与所述第一电极相连的第二电极，通过所述第二贯孔与所述有源层相连的源极，以及通过所述第三贯孔和所述有源层相连的漏极，所述第二电极、所述源极和所述漏极间隔设置，其中，所述第二电极和所述第一电极构成所述电容的一个电极板。相较于现有技术，本专利技术的阵列基板的制备方法先在所述第一绝缘层上形成对应所述栅极设置的有源层，并对所述有源层进行退火，再在所述第一绝缘层上及所述第二绝缘层上分别对应所述第一电极开设第一子贯孔及第二子贯孔，以使得部分第一电极通过所述第一贯孔显露出来，因此，克服了现有技术中先形成将第一电极显露出来的通通孔之后再形成有源层并对有源层进行退火时，造成的对显露出来的第一电极的氧化的技术问题，因此，本专利技术的阵列基板的制备方法制备出来的阵列基板的性能较高。进一步地，由于在所述第二绝缘层上覆盖有机材料层，有机材料层的应力比较小，在制备出来的阵列基板弯折的时候有机材料层不容易产生裂纹，从而起到对阵列基板中的其他膜层的保护作用，进一步提高了制备出的阵列基板的性能。本专利技术还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管和电容，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；邻近所述基板的同一表面设置的栅极和第一电极，其中，所述栅极和所述第一电极间隔设置；覆盖所述栅极和所述第一电极的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层远离所述栅极的表面的有源层；覆盖所述有源层及第一绝缘层的第二绝缘层；覆盖在所述第二绝缘层上的有机材料层；所述第一绝缘层上设置有对应所述第一电极的第一子贯孔，所述第二绝缘层上设置对应所述第一电极的第二子贯孔，所述第二子贯孔与所述第一子贯孔连通形成第一贯孔，且所述第二绝缘层上设置对应所述有源层的两端设置的第二贯孔及第三贯孔，所述有机材料层上设置第一有机材料通孔、第二有机材料通孔及第三有机材料通孔，所述第一有机材料通孔与所述第一贯孔连通，所述第二有机材料通孔与所述第二贯孔连通，所述第三有机材料通孔与所述第三贯孔连通；第二电极，设置在有机材料层上且通过所述第一有机材料通孔及所述第一贯孔与所述第一电极相连；源极，设置在有机材料层上且通过所述第二有机材料通孔及所述第二贯孔与所述有源层的一端相连；及漏极，设置在所述有机材料层上且通过所述第三有机材料通孔及所述第三贯孔与所述有源层的另一端相连，且所述漏极、所述源极及所述第二电极间隔设置，其中，所述第二电极和所述第一电极构成所述电容的一个电极板。相较于现有技术，本专利技术的阵列基板的述第二绝缘层上覆盖有机材料层，有机材料层的应力比较小，在制备出来的阵列基板弯折的时候有机材料层不容易产生裂纹，从而起到对阵列基板中的其他膜层的保护作用，从而提高了所述阵列基板的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管和电容，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：101，提供基板；102，在所述基板的表面上形成第一金属层，并将所述第一金属层进行图案化，以形成栅极和第一电极，其中，所述栅极和所述第一电极间隔设置；103，形成覆盖在所述栅极及所述第一电极的第一绝缘层；104，在所述第一绝缘层上形成对应所述栅极设置的有源层，并对所述有源层进行退火；105，形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；106，对应所述第一电极开设第一贯孔，以使得部分第一电极通过第一贯孔显露出来，对应所述有源层开设间隔设置的第二贯孔及第三贯孔，以使部分有源层分别通过第二贯孔及所述第三贯孔显露出来；及107，形成通过所述第一贯孔与所述第一电极相连的第二电极，通过所述第二贯孔与所述有源层相连的源极，以及通过所述第三贯孔和所述有源层相连的漏极，所述第二电极、所述源极和所述漏极间隔设置，其中，所述第二电极和所述第一电极构成所述电容的一个电极板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管和电容，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：101，提供基板；102，在所述基板的表面上形成第一金属层，并将所述第一金属层进行图案化，以形成栅极和第一电极，其中，所述栅极和所述第一电极间隔设置；103，形成覆盖在所述栅极及所述第一电极的第一绝缘层；104，在所述第一绝缘层上形成对应所述栅极设置的有源层，并对所述有源层进行退火；105，形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；106，对应所述第一电极开设第一贯孔，以使得部分第一电极通过第一贯孔显露出来，对应所述有源层开设间隔设置的第二贯孔及第三贯孔，以使部分有源层分别通过第二贯孔及所述第三贯孔显露出来；及107，形成通过所述第一贯孔与所述第一电极相连的第二电极，通过所述第二贯孔与所述有源层相连的源极，以及通过所述第三贯孔和所述有源层相连的漏极，所述第二电极、所述源极和所述漏极间隔设置，其中，所述第二电极和所述第一电极构成所述电容的一个电极板。2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤105包括：形成仅覆盖所述有源层的第二绝缘层；所述步骤106包括：在所述第一绝缘层上对应所述第一电极开设第一贯孔，以使得部分第一电极通过第一贯孔显露出来；在所述第二绝缘层上对应所述有源层开设间隔设置的第二贯孔及第三贯孔，以使得部分有源层分别通过第二贯孔及所述第三贯孔显露出来；所述步骤107包括：在所述第二绝缘层及所述第一绝缘层的表面形成第二金属层，并将所述第二金属层进行图案化，以形成通过所述第一贯孔与所述第一电极相连的第二电极，通过所述第二贯孔与所述有源层相连的源极，以及通过所述第三贯孔和所述有源层相连的漏极，所述第二电极、所述有源层和所述漏极间隔设置，其中，所述第二电极和所述第一电极构成所述电容的一个电极板。3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤105包括：形成覆盖所述有源层及所述第一绝缘层的第二绝缘层；所述步骤106包括：在所述第一绝缘层上及所述第二绝缘层上分别对应所述第一电极开设第一子贯孔及第二子贯孔，所述第一子贯孔与所述第二子贯孔连通以形成所述第一贯孔，以使得部分第一电极通过所述第一贯孔显露出来；在所述第二绝缘层上对应所述有源层开设间隔设置的第二贯孔及第三贯孔，以使得部分有源层分别通过第二贯孔及所述第三贯孔显露出来。4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一子贯孔及所述第二子贯孔通过干蚀刻工艺形成。5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤105包括：形成覆盖所述有源层及所述第一绝缘层的第二绝缘层；所述步骤106包括：在所述第一绝缘层上及所述第二绝缘层上分别对应所述第一电极开设第一子贯孔及第二子贯孔，所述第一子贯孔与所述第二子贯孔连通以形成所述第一贯孔，以使得部分第一电极通过所述第一贯孔显露出来；且在所述第二绝缘层上对应所述有源层开设间隔设置的第二贯孔及第三贯孔，以使得部分有源层分别通过第二贯孔及所述第三贯孔显露出来；其中，形成所述第一贯孔、第二贯孔及所述第三贯孔在同道光罩中形成。6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤105包括：形成覆盖所述有源层及所述第一绝缘层的第二绝缘层；所述步骤106包括：形成覆盖所述第二绝缘层的光阻层；利用半灰阶光罩工艺在对应所述第一电极的光阻层上形成第一光阻通孔，在对应所述有源层的光阻层上形成间隔设置的第一凹槽及第二凹槽，且在所述第一绝缘层及所述第二绝缘层对应所述第一光阻通孔形成对应第一电极的第一贯孔；在所述第一凹槽的位置形成第二光阻通孔，在所述第二凹槽的位置形成第三光阻通孔，且对应所述第二光阻通孔在所述第二绝缘层上形成第二贯孔，对应所述第三光阻通孔在所述第二绝缘层上形成第三贯孔；移除剩余的光阻层。7.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤105包括：形成覆盖所述有源层及所述第一绝缘层的第二绝缘层；在所述步骤105及所述步骤106之间，所述阵列基板的制备方法还包括：形成覆盖所述第二绝缘层的有机材料层；在所述有机材料层上对应所述第一电极开设第一有机材料通孔，在所述有机材料层上对应所述有源层开设间隔设置的第二有机材料通孔及第三有机材料通孔；所述步骤106包括：对应所述第一有机材料通孔，在所述第一绝缘层上及所述第二绝缘层上分别对应所述第一电极开设第一子贯孔及第二子贯孔，所述第一子贯孔与所述第二子贯孔连通以形成所述第一贯孔，以使得部分第一电极通过所述第一贯孔及第一有机材料通孔显露出来，对应所述第二有机材料通孔在所述第二绝缘层上开设第二贯孔，以使得部分有源层通过所述第二贯孔及所述第二有机材料通孔显露出来，以及对应所述第三有机材料通孔在所述第二绝缘层上开设第三贯孔，以使得部分有源层通过所述第三贯孔及所述第三有机材料通孔显露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚琼，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44