The utility model discloses a switching circuit based on the MOS tube, including resistance R1, resistance R2, capacitance C1, MOS tube Q1 and MOS tube Q2; the other end of the resistance R1 is connected with the Q1 source of MOS tube, the leakage of the MOS tube and the gate of the tube, and the other end of the resistor and the leakage pole of the transistor. Then, the source control module of the MOS tube Q2 is connected to the power end, and the source of the MOS tube Q1 is grounded. The switch circuit based on the MOS tube of the utility model makes the MOS tube's conduction resistance slowly decreases when the switch is guided, and finally reduces to the minimum to fully guide, and the current will not be abruptly changed at the moment of switch conduction, thus avoiding the large capacitance charging of the module, resulting in the short instant of the whole power supply circuit. Road, resulting in system crash, reset, program running and other phenomena.
【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS管的开关电路
本技术涉及一种电路控制
,尤其涉及一种基于MOS管的开关电路。
技术介绍
目前,简单增强型NMOS管和PMOS管构成的可控电源开关,因为MOS管的导通电阻很小和导通速度快,如果控制的模块电路有比较大的电容,就有可能MOS管导通的瞬间,由于模块的大电容充电,整个电源电路相当于瞬间出现短路,有可能会造成系统死机、复位、程序跑飞等现象。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术的目的在于提供一种基于MOS管的开关电路,其能解决控制开关的技术问题。本技术的目的采用如下技术方案实现:一种基于MOS管的开关电路,包括电阻R1、电阻R2、电容C1、MOS管Q1和MOS管Q2;所述电阻R1的一端与单片机控制端相接,所述单片机控制端与MOS管Q1的栅极相接,电阻R1的另一端与MOS管Q1的源极相接,MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的栅极与电阻R2的一端相接,电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极相接,MOS管Q2的漏极与一电压端相接,MOS管Q1的源极通过电容C1与MOS管Q2的源极相接,所述MOS管Q2的源极受控模块电源端相接,所述MOS管Q1的源极接地。进一步地,还包括电阻R3和电容C2,所述MOS管Q1的漏极通过电阻R3与MOS管Q2的栅极相接,所述MOS管Q2的栅极通过电容C2接地。进一步地,所述电压端的电压为3.3V。进一步地,所述MOS管Q1为NMOS管,所述MOS管Q2为PMOS管。进一步地,所述电阻R1的阻值为10KΩ,所述电阻R2的阻值为470Ω,所述电容C1的电容量为220uF。进一步地,所述电阻R3的阻值 ...
【技术保护点】
一种基于MOS管的开关电路,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电容C1、MOS管Q1和MOS管Q2;所述电阻R1的一端与单片机控制端相接,所述单片机控制端与MOS管Q1的栅极相接,电阻R1的另一端与MOS管Q1的源极相接,MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的栅极与电阻R2的一端相接,电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极相接,MOS管Q2的漏极与一电压端相接,MOS管Q1的源极通过电容C1与MOS管Q2的源极相接,所述MOS管Q2的源极受控模块电源端相接,所述MOS管Q1的源极接地。
【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管的开关电路,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电容C1、MOS管Q1和MOS管Q2;所述电阻R1的一端与单片机控制端相接,所述单片机控制端与MOS管Q1的栅极相接,电阻R1的另一端与MOS管Q1的源极相接,MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的栅极与电阻R2的一端相接,电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极相接,MOS管Q2的漏极与一电压端相接,MOS管Q1的源极通过电容C1与MOS管Q2的源极相接,所述MOS管Q2的源极受控模块电源端相接,所述MOS管Q1的源极接地。2.如权利要求1所述的基于MOS管的开关电路,其特征在于,还包括电阻R3和电容C2...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘勇,
申请(专利权)人:广州市锐芯电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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