半导体激光装置制造方法及图纸
Semiconductor laser device
In the TWDM PON network, such as the burst mode, such as the NG PON, the invention is required to select 2 laser guided wavelengths with different oscillating wavelengths in a laser diode chip to select a very narrow wavelength semiconductor laser fabrication process, to improve the wavelength output rate of the chip, and to participate in the communication of a laser guided wave tube. The wavelength change caused by the change of the current of the guided wave tube laser injected into the burst mode action involved in the communication is modulated and injected into the current injected into the guided wave tube that is not involved in the communication, thus stabilizing the wavelength of the oscillation of the laser guided wave tube that participates in the communication, so that the burst mode communication of the DWDM level can be carried out.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置
本专利技术是涉及以突发模式(burstmode)运行的半导体激光装置的专利技术。
技术介绍
最近，正在以NG-PON2的名称标准化的通信方式采用TWDM(timewavelengthdivisionmultiplexing，时间波分复用)方式。TWDM方式是指通过TDM(timedivisionmultiplexing，时分多路复用)方法共享光纤维的方法，其中TDM(timedivisionmultiplexing，时分多路复用)方法如下：同时连接于一个光纤维的多个用户可任意选定允许4个或8个波长频道中的一个，并且使用相同波长频道的多个用户只在相互决定的时间收发时间。为了能够任意选择波长频道，进行TWDM方式的通信的光元件应该具有可变振荡波长的可变特性，并且相同波长通道段的其他用户正在进行通信时，则应该不进行通信并且不使激光振荡。如此，在适用时分复用(timedivisionmultiplexing)技法的情况下半导体激光在未发光的状态下突然转换为发光的状态，并在这称为突发模式动作。但是，在半导体激光中，若从激光未发光的状态流动电流变换为发光的状态...
【技术保护点】
一种半导体激光装置，包括在一个半导体激光二极管芯片独立运行的至少两个的激光导波管，其特征在于，包括：多个光栅，具有相互不同的周期；及至少两个激光导波管，形成在各个所述光栅上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.23 KR 10-2016-00788691.一种半导体激光装置，包括在一个半导体激光二极管芯片独立运行的至少两个的激光导波管，其特征在于，包括：多个光栅，具有相互不同的周期；及至少两个激光导波管，形成在各个所述光栅上。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，为了抵消在所述至少两个激光导波管中参与通信的某一激光导波管在“开启”与“关闭”时发生的温度变化，在未参与通信的剩余激光导波管中的至少一个激光导波管中流动的电...
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