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本发明在要求突发模式的如NG‑PON2等的TWDM‑PON网中，在要求选择非常窄的波长的半导体激光制作工艺中，在一个激光二极管芯片分别形成振荡波长不同的2个的激光导波管来改善芯片的波长产出率，在某一激光导波管参与通信时，向注入于参与通信的突...
该专利属于光速株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过光速株式会社授权不得商用。

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