一种工业级以太网光交换机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种工业级以太网光交换机，其结构包括芯片基板、USB卡槽、安装件、接线端口、单片机端口、电源插座、机体、静电抑制装置，所述机体为圆角长方体中空结构，所述机体上下板横向长度大于左右板竖直长度，所述机体上板与左板相互垂直，左板与下板相互垂直，下板与右板相互垂直，右板与上板相互垂直，所述机体左右两侧下端与安装件内侧相互垂直，本实用新型专利技术设有静电抑制装置，通过分子材料腔特性能够在静电电压超过器件的触发电压时，内部分子迅速产生尖端对尖端的放电，利用内触线将静电在瞬间泄放到地底，在静电放电情况下依然可以稳定工作，起到静电防护效果。

An industrial Ethernet optical switch

The utility model discloses an industrial Ethernet optical switch, which consists of a chip substrate, a USB slot, an installation, a connection port, a single chip port, a power outlet, an airframe and an electrostatic suppression device. The body is a hollow structure with a round angle long cube, and the horizontal length of the upper and lower plates on the body is larger than the vertical length of the left and right plates. The upper plate of the body is perpendicular to the left plate, the left plate is perpendicular to the lower plate, the lower plate is perpendicular to the right plate, the right plate is perpendicular to the upper plate, and the lower end of the left and right sides of the body is perpendicular to the inside of the installation part. The utility model has an electrostatic suppression device, and the electrostatic voltage exceeds the static voltage through the characteristics of the molecular material cavity. When the device triggers the voltage, the internal molecules quickly produce the tip discharge to the tip, and use the inner touch line to discharge the static electricity at the bottom of the ground in a moment, and still work steadily in the case of electrostatic discharge, and play an electrostatic protection effect.

【技术实现步骤摘要】
一种工业级以太网光交换机
本技术是一种工业级以太网光交换机，属于电子设备

技术介绍
以太网交换机是基于以太网传输数据的交换机，以太网采用共享总线型传输媒体方式的局域网。以太网交换机的结构是每个端口都直接与主机相连，并且一般都工作在全双工方式。交换机能同时连通许多对端口，使每一对相互通信的主机都能像独占通信媒体那样，进行无冲突地传输数据。现有技术公开了申请号为：201220642709.8的一种工业级以太网光交换机，包括单片机处理单元、存储单元、串行接口单元、交换单元和以太网接口单元；单片机处理单元与存储单元、串行接口单元以及交换单元分别双向信号电连接；交换单元与以太网接口单元双向信号电连接；使用时串行接口单元与相关设备电连接；以太网接口单元与以太网电连接。单元机处理单元的核心元件CPU芯片为基于ARM9的32位嵌入式处理器，存储单元包括同步动态随机存储器和闪存。本技术能够较好地适应恶劣工作环境，工作可靠性强，接口齐全，现场使用时与设备间的互通互联方便。但是其不足之处在于电子元件产生电磁干扰，现代生产高速化，使得静电能积累，造成严重危害。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种工业级以太网光交换机，以解决电子元件产生电磁干扰，现代生产高速化，使得静电能积累，造成严重危害的问题。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种工业级以太网光交换机，其结构包括芯片基板、USB卡槽、安装件、接线端口、单片机端口、电源插座、机体、静电抑制装置，所述机体为圆角长方体中空结构，所述机体上下板横向长度大于左右板竖直长度，所述机体上板与左板相互垂直，左板与下板相互垂直，下板与右板相互垂直，右板与上板相互垂直，所述机体左右两侧下端与安装件内侧相互垂直，所述机体左右两侧下端与安装件内侧采用焊接配合方式固定连接，安装件外框为圆角长方形，所述机体内腔设有芯片基板，所述USB卡槽与机体相连通，所述机体前表面右侧上设有接线端口，所述单片机端口设在机体前表面右侧上，所述机体前表面左侧设有相连通的电源插座，所述机体左侧设有静电抑制装置。所述静电抑制装置由内触线、分子材料腔、防护壳、连件组成，所述内触线一端伸进分子材料腔后穿出，所述分子材料腔与防护壳采用密封配合方式连接，所述防护壳左右两侧设有连件，所述内触线共设有三条，其中一端接入芯片基板触发电压端。进一步地，所述芯片基板右侧设有USB卡槽。进一步地，所述接线端口内接芯片基板。进一步地，所述电源插座内接芯片基板。进一步地，所述芯片基板内接单片机端口。进一步地，所述安装件左侧竖直下方设有静电抑制装置。进一步地，所述连件为圆角三角形，直线侧面与防护壳侧壁长度相等。进一步地，所述内触线传输电流为静电流。本技术的有益效果为设有静电抑制装置，通过分子材料腔特性能够在静电电压超过器件的触发电压时，内部分子迅速产生尖端对尖端的放电，利用内触线将静电在瞬间泄放到地底，在静电放电情况下依然可以稳定工作，起到静电防护效果。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显。图1为本技术一种工业级以太网光交换机的结构示意图。图2为本技术的静电抑制装置示意图。图中：芯片基板-1、USB卡槽-2、安装件-3、接线端口-4、单片机端口-5、电源插座-6、机体-7、静电抑制装置-8、内触线-801、分子材料腔-802、防护壳-803、连件-804。具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。请参阅图1-图2，本技术提供一种技术方案：一种工业级以太网光交换机，其结构包括芯片基板1、USB卡槽2、安装件3、接线端口4、单片机端口5、电源插座6、机体7、静电抑制装置8，所述机体7为圆角长方体中空结构，所述机体7上下板横向长度大于左右板竖直长度，所述机体7上板与左板相互垂直，左板与下板相互垂直，下板与右板相互垂直，右板与上板相互垂直，所述机体7左右两侧下端与安装件3内侧相互垂直，所述机体7左右两侧下端与安装件3内侧采用焊接配合方式固定连接，安装件3外框为圆角长方形，所述机体7内腔设有芯片基板1，所述USB卡槽2与机体7相连通，所述机体7前表面右侧上设有接线端口4，所述单片机端口5设在机体7前表面右侧上，所述机体7前表面左侧设有相连通的电源插座6，所述机体7左侧设有静电抑制装置8。所述静电抑制装置8由内触线801、分子材料腔802、防护壳803、连件804组成，所述内触线801一端伸进分子材料腔802后穿出，所述分子材料腔802与防护壳803采用密封配合方式连接，所述防护壳803左右两侧设有连件804，所述内触线801共设有三条，其中一端接入芯片基板1触发电压端，所述芯片基板1右侧设有USB卡槽2，所述接线端口4内接芯片基板1，所述电源插座6内接芯片基板1，所述芯片基板1内接单片机端口5，所述安装件3左侧竖直下方设有静电抑制装置8。在进行使用时，首先将静电抑制装置8利用连件804尽量放置在机体7需要保护的端口附近，在静电电压超过器件的触发电压时，分子材料腔802的内部分子迅速产生尖端对尖端的放电，利用内触线801将静电在瞬间泄放到地底，无极性、反应速度快，在静电放电情况下依然可以稳定工作，起到静电防护效果。本专利所说的分子材料腔802由Polymer高分子材料制成，内部菱形分子以规则离散状排列，特点是反应速度快0.5ns～1ns、非常低的极间电容0.05pf～3pf，很小的漏电流1μA。本技术的芯片基板1、USB卡槽2、安装件3、接线端口4、单片机端口5、电源插座6、机体7、静电抑制装置8，部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知，本技术解决的问题是电子元件产生电磁干扰，现代生产高速化，使得静电能积累，造成严重危害，本技术通过上述部件的互相组合，可以通过分子材料腔特性能够在静电电压超过器件的触发电压时，内部分子迅速产生尖端对尖端的放电，利用内触线将静电在瞬间泄放到地底，在静电放电情况下依然可以稳定工作，起到静电防护效果。具体如下所述。内触线801一端伸进分子材料腔802后穿出，所述分子材料腔802与防护壳803采用密封配合方式连接，所述防护壳803左右两侧设有连件804，所述内触线801共设有三条，其中一端接入芯片基板1触发电压端。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工业级以太网光交换机，其结构包括芯片基板(1)、USB卡槽(2)、安装件(3)、接线端口(4)、单片机端口(5)、电源插座(6)、机体(7)、静电抑制装置(8)，所述机体(7)为圆角长方体中空结构，所述机体(7)上下板横向长度大于左右板竖直长度，所述机体(7)上板与左板相互垂直，左板与下板相互垂直，下板与右板相互垂直，右板与上板相互垂直，所述机体(7)左右两侧下端与安装件(3)内侧相互垂直，其特征在于：所述机体(7)左右两侧下端与安装件(3)内侧采用焊接配合方式固定连接，安装件(3)外框为圆角长方形，所述机体(7)内腔设有芯片基板(1)，所述USB卡槽(2)与机体(7)相连通，所述机体(7)前表面右侧上设有接线端口(4)，所述单片机端口(5)设在机体(7)前表面右侧上，所述机体(7)前表面左侧设有相连通的电源插座(6)，所述机体(7)左侧设有静电抑制装置(8)；所述静电抑制装置(8)由内触线(801)、分子材料腔(802)、防护壳(803)、连件(804)组成，所述内触线(801)一端伸进分子材料腔(802)后穿出，所述分子材料腔(802)与防护壳(803)采用密封配合方式连接，所述防护壳(803)左右两侧设有连件(804)，所述内触线(801)共设有三条，其中一端接入芯片基板(1)触发电压端。...

【技术特征摘要】
1.一种工业级以太网光交换机，其结构包括芯片基板(1)、USB卡槽(2)、安装件(3)、接线端口(4)、单片机端口(5)、电源插座(6)、机体(7)、静电抑制装置(8)，所述机体(7)为圆角长方体中空结构，所述机体(7)上下板横向长度大于左右板竖直长度，所述机体(7)上板与左板相互垂直，左板与下板相互垂直，下板与右板相互垂直，右板与上板相互垂直，所述机体(7)左右两侧下端与安装件(3)内侧相互垂直，其特征在于：所述机体(7)左右两侧下端与安装件(3)内侧采用焊接配合方式固定连接，安装件(3)外框为圆角长方形，所述机体(7)内腔设有芯片基板(1)，所述USB卡槽(2)与机体(7)相连通，所述机体(7)前表面右侧上设有接线端口(4)，所述单片机端口(5)设在机体(7)前表面右侧上，所述机体(7)前表面左侧设有相连通的电源插座(6)，所述机体(7)左侧设有静电抑制装置(8)；所述静电抑制装置(8)由内触线(801)...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂保春，吕世龙，徐超，
申请(专利权)人：河南铭视科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41