小面积低功率上电复位电路制造技术

本申请涉及小面积低功率上电复位电路。本申请讨论了用于提供上电复位(POR)电路的技术。该技术利用了小尺寸的有源器件，消耗很少的电流，并且可以使用天然NMOS晶体管来提供温度和电压变化的稳定参考。

Small area low power up power reset circuit

The application relates to a small area low power on reset circuit. This application discusses the technology used to provide power on reset (POR) circuits. The technology takes advantage of small size active devices, consumes very little current, and can use natural NMOS transistors to provide stable reference for temperature and voltage changes.

【技术实现步骤摘要】
小面积低功率上电复位电路
提供了一种上电复位(POR)电路的方法和装置，更具体地说，涉及一种低功率、稳健到甚至非常缓慢的斜坡率、并且空间有效的POR电路。
技术介绍
上电复位(POR)电路通常提供控制信号，当电源输出达到最小电压时，随着电源上电，使处理电路处于空闲状态，然后改变控制信号的状态。POR电路用于确保在初始启动设备时，响应于控制信号的设备的处理电路在已知状态下开始其各自的功能。在没有POR电路的情况下，一些处理电路可以在不同的时间开始处理其他处理电路，因为一些处理电路可以在比其他处理电路低的电源电压下变为有效。这种情况可以允许一些电路开始处理来自其他电路的信号，然而，信号可能不是有效的。在加电时加入电源故障，例如从其他电路之前开始的某些处理电路，并且设备的初始状态可能变得不可预测。然而，添加POR电路还增加了能够限制设备的其他资源或特性的功耗和电路空间。
技术实现思路
本申请讨论了用于提供上电复位(POR)电路的技术。在某些示例中，该技术仅基于使用有源器件，因此与依赖于例如电阻器、电容器或存储器电路的常规技术相比，消耗较少的面积。此外，有源器件通常消耗很少的电流，并且可以使用天然晶体管来提供关于温度和电压变化的稳定参考。在某些示例中，这些技术不使用存储器电路，因此即使在非常缓慢的电源斜坡率下也能够提供稳健性能。在一个例子中，用于提供上电复位信号的电路可包括：配置为产生指示电压阈值的参考电流的第一天然NMOS晶体管；和具有耦合天然NMOS晶体管的比较器晶体管，所述比较器晶体管配置为比较感测电流与所述参考电流，其中感测电流表示电路的电源电压的电平。比较器晶体管的第一节点可被配置为当参考电流大于感测电流时保持第一状态。比较器晶体管的第一节点可被配置为当感测电流大于参考电流时保持第二状态。本
技术实现思路
旨在提供本专利申请的主题的概述。本专利技术不是提供专门的或详尽的解释。包括详细描述以提供有关本主题的进一步信息。附图说明在不一定按比例绘制的附图中，相同的数字可以在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似的数字可以表示相似组件的不同实例。附图通过举例而不是限制的方式说明本文件中讨论的各种实施例。图1根据本主题的各种示例通常描述示例性上电复位(POR)电路。图2根据本主题的各种示例通过与POR电路相关联的电压和电流信号的曲线图以图形方式描述POR电路的操作。图3根据本主题的各种示例通常描述操作上电复位(POR)电路的示例性方法的流程图。具体实施方式本专利技术人已经认识到提供功率有效率并且使用非常少的电路不动产的上电复位(POR)电路的技术。在某些示例中，POR电路可以利用有源器件的小尺寸和效率，使得其占用也不大于0.01mm2平均消耗42纳安(nA)或更小的电流。最大电流可以为约70nA。这样的电路可以为许多电路应用提供面积和功率改进，所述电路应用包括例如在诸如但不限于与物联网(IoT)设备相关联的节点的有限电源上进行中继的低功率应用。图1总体上示出了根据本主题的各种示例的上电复位(POR)电路100的示例。在某些例子中，该电路产生一个相对独立于电源电压(VBAT)的参考电流，并将该参考电流与电源电压强烈变化的电流进行比较。由于电感电压(感测电流)的电流大于参考电流，所以POR电路100的跳变点交叉，POR电路100的输出可以改变状态。在某些示例中，除了连接电路元件的迹线之外，POR电路100不包括任何无源器件，例如电阻器或电容器。在某些示例中，POR电路100由金属氧化物半导体(MOS)器件实现，因此它是非常空间有效的。此外，电路100不使用可能需要额外处理或在过程库中默认情况下不可用的特殊活动设备。再次参考图1，POR电路100可以包括参考电流发生器101、电流镜102和比较器晶体管(M5)。在某些实例中，参考电流发生器101可以包括具有耦合到地的控制节点的第一天然NMOS晶体管(M2)。在这种配置中，第一天然NMOS晶体管(M2)可以产生具有非常弱的电源电压(VBAT)功能的参考电流，或者相对独立于电源电压(VBAT)。在某些实例中，额外的天然NMOS晶体管(M1、M6)可以包括在参考电流发生器中，以调节或补偿第一天然NMOS晶体管(M2)和比较器晶体管(M5)的工艺和温度变化。此外，额外的天然NMOS晶体管(M1、M6)可以通过参考电流调节阈值电压。例如，可以以源退化方式添加第一天然NMOS器件(M2)。通过第一天然NMOS器件提供的参考电流(IM2)可以描述为：其中，Is是晶体管的规模电流，vth是晶体管的阈值电压，n是晶体管的斜率因子，vf是源节点的电压，Vt是与第一天然NMOS晶体管(M2)相关的热电压。与第一天然NMOS晶体管串联耦合的第二天然NMOS晶体管(M1)的电阻可以表示为因此，第二天然NMOS晶体管(M1)的调节效应可以使参考电流(IM2)具有电源电压(vBAT)的弱功能。随着电源电压(vBAT)从零伏特的上升，当电源电压(VBAT)变得大于电流镜晶体管(M3、M4)的阈值电压时，电流镜102可以开始反射参考电流(IM2)。在某些实例中，比较器晶体管(M5)可以是标准的NMOS器件。随着电源电压(vBAT)的进一步增加，比较器晶体管(M5)的控制节点处的电压(v1)也可以通过电流镜的感测体管(M3)跟随电源电压(vBAT)。当比较器晶体管(M5)的控制节点处的电压(v1)继续上升时，比较器晶体管可以被接通。注意，由于构成了镜像晶体管(M4)的电流，而不是比较器晶体管(M5)的电流，比较器晶体管(M5)的漏极电压高，导致比较器晶体管(M5)在饱和区域。通过比较器晶体管(M5)提供的电流可以表示为其中“vs5”是比较器晶体管(M5)源的电压。注意，比较器晶体管(M5)提供的感测电流(IM5)具有通过感测体管的源电压(v1)的电源电压的强功能，如上所述，可以跟踪电源电压(VBAT)。还要注意，当通过比较器晶体管(M5)提供的感测电流(IM5)变得大于镜像参考电流时，比较器晶体管(M5)的漏极或POR电路的输出可以被拉低，并且最终从逻辑高状态变为逻辑低电平，指示电源电压(VBAT)已经达到最小电平。在某些示例中，POR电路可以可选地包括缓冲器或逆变器106，以当电源电压(vBAT)已经超过参考电流(IM2)建立的最小阈值电平时，提供缓冲器输出和高电平有效输出逻辑电平(OUT)。图2以图形方式示出了通过与POR电路相关联的电压和电流信号的曲线，根据本主题的各种示例的POR电路的操作。曲线图200包括电源电压的第一曲线201，例如，该电源电压包括根据本主题的各种示例的包括上电复位(POR)电路的装置、上面参考图1讨论的参考电流的第二曲线202、与比较器晶体管相关的感测电流的第三曲线203、以及POR电路的缓冲器输出和反相输出信号的第四曲线204。电源电压的曲线显示电源电压，因为它可能会在首次上电设备时长时间出现。与感测电流203的强烈变化相反，参考电流201随着电源电压201的上升而变弱。在一个示例中，参考电流201可以保持在温度上，使得在-40℃至125℃的温度范围内，POR电路的相关跳闸电压不会超过330毫伏(mV)。当感测电流203变得大于参考电流201时，可以将比较器晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于提供上电复位信号的电路，所述电路包括：配置为产生指示电压阈值的参考电流的第一天然NMOS晶体管；具有耦合所述天然NMOS晶体管的控制节点的比较器晶体管，所述比较器晶体管配置为比较感测电流与所述参考电流，其中所述感测电流表示所述电路的电源电压的电平；其中所述比较器晶体管的第一节点被配置为当所述参考电流大于所述感测电流时保持第一状态；和其中所述第一节点被配置为当所述感测电流大于所述参考电流时保持第二状态。

【技术特征摘要】
2016.10.28 US 15/337,5871.用于提供上电复位信号的电路，所述电路包括：配置为产生指示电压阈值的参考电流的第一天然NMOS晶体管；具有耦合所述天然NMOS晶体管的控制节点的比较器晶体管，所述比较器晶体管配置为比较感测电流与所述参考电流，其中所述感测电流表示所述电路的电源电压的电平；其中所述比较器晶体管的第一节点被配置为当所述参考电流大于所述感测电流时保持第一状态；和其中所述第一节点被配置为当所述感测电流大于所述参考电流时保持第二状态。2.权利要求1所述的电路，包括配置为将所述参考电流镜像到所述比较器晶体管的节点的电流镜。3.权利要求2所述的电路，其中所述电流镜包括感测晶体管和镜像体管；和其中所述比较器晶体管的控制节点耦合所述感测体管的控制节点和所述镜像晶体管的控制节点。4.权利要求1所述的电路，包括与所述第一天然NMOS晶体管和接地参考串联耦合的第二天然NMOS晶体管，所述第二天然NMOS晶体管具有耦合所述电源电压的控制节点，所述第二天然NMOS晶体管被配置为控制由所述第一天然NMOS晶体管设置的参考电流的变化。5.权利要求4所述的电路，包括与所述比较器晶体管和所述接地参考串联耦合的第三天然NMOS晶体管，所述第三天然NMOS晶体管具有耦合所述电源电压的控制节点。6.权利要求5所述的电路，其中所述第二天然NMOS晶体管包括以堆叠布置的多个天然NMOS晶体管。7.权利要求5所述的电路，其中所述第三天然NMOS晶体管包括以堆叠布置的多个天然NMOS晶体管。8.权利要求5所述的电路，其中所述电路占据面积小于0.01mm2。9.权利要求5所述的电路，其中所述电路被配置为平均使用42纳安(nA)或更小。10.权利要求5所述的电路，其中与所述参考电流相关联的阈值电压被配置为在-40℃至125℃的温度范围内变化小于330毫伏(mV)。11.上电复位电路，包括：第一天然NMOS晶体管，被配置为产生参考电流；电流镜，被配置为镜像所述参考电流；比较器晶体管，被配置为接收和比较所述参考电流与表示电源电压的感测电流；和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·K·辛格，S·加尼萨恩，
申请(专利权)人：亚德诺半导体集团，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛,BM