底端防溅射靶制造技术

本发明专利技术涉及一种用于地面电推进试验等离子空间环境模拟设备中的防溅射系统技术领域，尤其是涉及一种底端防溅射靶。底端防溅射靶包括底端防溅射靶骨架主体和底端防溅射靶翅片组；底端防溅射靶骨架主体包括第三管、第四管和第二冷却管；第三管上连接有第二进液口，第四管上连接有第二出液口；第二冷却管有多个，多个第二冷却管沿垂直于长度方向间隔设置；多个第二冷却管通过第三管和第四管固定连接，第三管、第四管和多个第二冷却管之间相连通；底端防溅射靶翅片组与第二冷却管连接，以封堵相邻第二冷却管之间的空隙。本发明专利技术在于提供一种底端防溅射靶，解决现有技术中存在的防溅射靶对溅射产物及返流污染物的降低效果不佳的技术问题。

Anti sputtering target at the bottom end

The invention relates to the technical field of anti sputtering system in the simulation equipment of the plasma space environment of the ground electric propulsion test, in particular to an anti sputtering target at the bottom end. The bottom end anti sputtering target includes the base anti sputtering target skeleton body and the bottom anti sputtering target fin group, and the bottom anti sputtering target skeleton body consists of third tubes, fourth tubes and second cooling tubes, the third pipes are connected with second inlet ports, and the fourth tubes are connected with second liquid ports, and the second cooling tubes have multiple and many second cooling tubes along the vertical. The second cooling tubes are connected through third tubes and fourth tubes, the third tube, the fourth tube and the multiple second cooling tubes are connected, and the bottom anti sputtering target fin group is connected with the second cooling tube to block the air gap between the adjacent second cooling pipes. The invention provides an anti sputtering target at the bottom end to solve the technical problem that the anti sputtering target in the existing technology has poor effect on the reduction of sputtering products and reflux pollutants.

【技术实现步骤摘要】
底端防溅射靶
本专利技术涉及一种用于地面电推进试验等离子空间环境模拟设备中的防溅射系统
，尤其是涉及一种底端防溅射靶。
技术介绍
电推进羽流主要由气体电离形成的等离子体组成，包含束流等离子体和电荷交换等离子体，会对航天器产生溅射污染效应，既包括带电粒子和中性粒子的沉积污染，又有高速带电粒子对航天器表面溅射刻蚀造成的溅射污染。在地面电推进试验中，当高能束流离子和电荷交换离子碰撞于真空舱舱壁材料表面时，只要离子能量大于被碰撞材料的溅射阈值就会产生溅射污染，从而影响真空舱内粒子分布情况，严重影响实验结果。因此，需要对防溅射分子沉进行合理设计。国际上一些适用于电推进的大型真空舱的防溅射分子沉结构的设计结构主要有平板式，异形式两种。但是现有的的防溅射分子沉结构的防溅射靶的结构简单，且在进行长时间地面电推进实验以及沉积污染物成分、质量分析时，溅射产物的空间分布及返流污染物都会对实验结果造成影响。因此，本申请针对上述问题提供一种新的底端防溅射靶。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种底端防溅射靶，以解决现有技术中存在的防溅射靶对溅射产物及返流污染物的降低效果不佳的技术问题。基于上述目的，本专利技术提供一种底端防溅射靶，包括底端防溅射靶骨架主体和底端防溅射靶翅片组；所述底端防溅射靶骨架主体包括第三管、第四管和第二冷却管；所述第三管上连接有第二进液口，所述第四管上连接有第二出液口；所述第二冷却管有多个，且多个所述第二冷却管沿垂直于长度方向间隔设置；多个所述第二冷却管通过所述第三管和所述第四管固定连接，且所述第三管、所述第四管和多个所述第二冷却管之间均相连通；所述底端防溅射靶翅片组与所述第二冷却管连接，以封堵相邻所述第二冷却管之间的空隙。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术所述第三管的中心线和所述第四管的中心线均呈圆弧状；所述第三管的中心线和所述第四管的中心线共圆，且所述第三管和所述第四管对称设置于所共圆的圆形沿径向方向的两端；所述第二冷却管沿延伸方向的两端分别连通所述第三管和所述第四管。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术所述第二冷却管包括冷却直管；所述冷却直管沿轴线方向的一端通过第一连接弯管连通所述第三管，另一端通过第二连接弯管连通所述第四管；且多个所述第二冷却管的冷却直管沿所述第三管的延伸方向均匀设置。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术所述底端防溅射靶为立式结构；所述第三管位于所述第四管的底端；所述第二进液口位于所述第三管沿延伸方向的中间位置；和/或，所述第二出液口位于所述第四管沿延伸方向的中间位置。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术所述第三管上还设置有缓冲管；所述缓冲管连与所述第二进液口连通。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术所述底端防溅射靶翅片组包括第三翅片和第四翅片；所述冷却直管沿径向方向的一端连接有所述第三翅片，另一端连接有所述第四翅片；沿所述第三管的延伸方向，所述第三翅片和所述第四翅片依次间隔设置；相邻所述冷却直管之间的所述第三翅片和所述第四翅片之间相配合，以令所述底端防溅射靶翅片组封闭。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术沿所述第三管的中心线所在圆形的轴线方向，所述冷却直管的一端连接有所述第三翅片，另一端连接有所述第四翅片。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术沿所述第三翅片的宽度方向，所述第三翅片包括相对应的第五连接端和第六连接端，所述第五连接端与所述冷却直管连接，所述第五连接端呈弧形，且与所述冷却直管相对应；和/或，沿所述第四翅片的宽度方向，所述第四翅片包括相对应的第七连接端和第八连接端，所述第七连接端与所述冷却直管连接，所述第七连接端呈弧形，且与所述冷却直管相对应。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术沿所述第三管的中心线所在圆形的轴线方向，所述第六连接端和所述第八连接端分别向两侧弯折，且所述第六连接端与所述第八连接端相对应。在上述任一技术方案中，进一步地，本专利技术所述的底端防溅射靶，还包括底端防溅射靶包覆层；所述底端防溅射靶包覆层设置于底端防溅射靶翅片组的外侧；所述底端防溅射靶包覆层的材料为碳纤维毡。采用上述技术方案，本专利技术具有如下有益效果：使用时，通过在第二进液口和第二出液口之间连接冷却剂循环系统，以令冷却剂从第二进液口进入第三管，由于第三管、第四管和第二冷却管之间连通，冷却剂继而经过第二冷却管，从第四管的第二出液口排出，完成了冷却剂的一次循环过程。冷却剂在循环过程中，与第二冷却管连接的底端防溅射靶翅片组也被传热降温。在地面电推进试验中，将底端防溅射靶放入真空舱内，且令底端防溅射靶与舱底相对应，真空舱内具有较高能量的粒子溅射至底端防溅射靶翅片组上，底端防溅射靶翅片组对粒子进行降温冷却作用，以降低粒子的能量，从而降低粒子的溅射速度，以降低对真空舱的破坏；另一方面，具有较低温度的底端防溅射靶翅片组能够在一定程度上对打在底端防溅射靶翅片组表面的粒子进行低温吸附，有效降低溅射产物的含量及分布范围。综上所述，底端防溅射靶翅片组降低离子束对舱底的溅射，降低溅射产物中铁元素含量。同时能够对返流污染物进行低温吸附，降低返流污染物含量，保证试验效果。解决了现有技术中存在的防溅射靶对溅射产物及返流污染物的降低效果不佳的技术问题。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例提供的底端防溅射靶的底端防溅射靶骨架主体的主视图；图2为本专利技术实施例提供的底端防溅射靶的底端防溅射靶骨架主体的侧视图；图3为本专利技术实施例提供的底端防溅射靶的底端防溅射靶骨架主体的俯视图；图4为本专利技术实施例提供的底端防溅射靶的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的底端防溅射靶的第四翅片和冷却直管的连接结构示意图。图标：201-第三管；202-第四管；203-第二冷却管；2031-冷却直管；2032-第一连接弯管；2033-第二连接弯管；211-第二进液口；212-第二出液口；221-缓冲管；231-第三翅片；232-第四翅片；233-第五翅片；2321-第七连接端；2322-第八连接端。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种底端防溅射靶，其特征在于，包括底端防溅射靶骨架主体和底端防溅射靶翅片组；所述底端防溅射靶骨架主体包括第三管、第四管和第二冷却管；所述第三管上连接有第二进液口，所述第四管上连接有第二出液口；所述第二冷却管有多个，且多个所述第二冷却管沿垂直于长度方向间隔设置；多个所述第二冷却管通过所述第三管和所述第四管固定连接，且所述第三管、所述第四管和多个所述第二冷却管之间均相连通；所述底端防溅射靶翅片组与所述第二冷却管连接，以封堵相邻所述第二冷却管之间的空隙。

【技术特征摘要】
1.一种底端防溅射靶，其特征在于，包括底端防溅射靶骨架主体和底端防溅射靶翅片组；所述底端防溅射靶骨架主体包括第三管、第四管和第二冷却管；所述第三管上连接有第二进液口，所述第四管上连接有第二出液口；所述第二冷却管有多个，且多个所述第二冷却管沿垂直于长度方向间隔设置；多个所述第二冷却管通过所述第三管和所述第四管固定连接，且所述第三管、所述第四管和多个所述第二冷却管之间均相连通；所述底端防溅射靶翅片组与所述第二冷却管连接，以封堵相邻所述第二冷却管之间的空隙。2.根据权利要求1所述的底端防溅射靶，其特征在于，所述第三管的中心线和所述第四管的中心线均呈圆弧状；所述第三管的中心线和所述第四管的中心线共圆，且所述第三管和所述第四管对称设置于所共圆的圆形沿径向方向的两端；所述第二冷却管沿延伸方向的两端分别连通所述第三管和所述第四管。3.根据权利要求2所述的底端防溅射靶，其特征在于，所述第二冷却管包括冷却直管；所述冷却直管沿轴线方向的一端通过第一连接弯管连通所述第三管，另一端通过第二连接弯管连通所述第四管；且多个所述第二冷却管的冷却直管沿所述第三管的延伸方向均匀设置。4.根据权利要求2所述的底端防溅射靶，其特征在于，所述底端防溅射靶为立式结构；所述第三管位于所述第四管的底端；所述第二进液口位于所述第三管沿延伸方向的中间位置；和/或，所述第二出液口位于所述第四管沿延伸方向的中间位置。5.根据权利要求1所述的底端防溅射靶，其特征在于，所述第三管上还设...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁惠焱，郑鸿儒，李鑫，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京,11