IB－IIIA－VIA*黄铜矿类固溶体化合物制造技术

ⅠＢ－ⅢＡ－ⅥＡ↓［２］黄铜矿类固溶体化合物，它涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿类化合物。现有黄铜矿类化合物的吸收带边都是固定的，限制了这些材料的应用范围。本发明专利技术ⅠＢ－ⅢＡ－ⅥＡ↓［２］黄铜矿类固溶体化合物为，在原有黄铜矿类化合物ⅠＢ－ⅢＡ－ⅥＡ↓［２］中，由Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ任选其中两种共同占据上述化学式中ⅥＡ元素的位置所形成的化合物，该化合物的分子式为ⅠＢ－ⅢＡ－（Ｓ↓［１－ｘ］Ｓｅ↓［ｘ］）↓［２］或ⅠＢ－ⅢＡ－（Ｓ↓［１－ｘ］Ｔｅ↓［ｘ］）↓［２］或ⅠＢ－ⅢＡ－（Ｔｅ↓［１－ｘ］Ｓｅ↓［ｘ］）↓［２］，其中ｘ的取值范围为：０＜Ｘ＜１，通过调节Ｘ取值，可以改变化合物组成和化合物吸收带边，从而增加了这些材料的应用范围，利于推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿类固溶体化合物。
技术介绍
黄铜矿类半导体晶体材料具有两个突出的优点非线性光学系数和远红外区透过率很高，利用它们作为光参量振荡、光参量放大、二次谐波、四次谐波等的非线性介质材料，可以在中、远红波段的频率转换方面，尤其是对激光功率要求较高的领域，获得广阔的应用前景，如红外光谱、红外医疗器械、药物检测、红外光刻、大气中有害物质的监测、远距离化学传感、红外激光定向干扰、夜视仪等。美国Sanders公司、Inrad公司、海军实验室、斯坦福大学非线性光学材料中心、俄罗斯Tomsk大学、光监测研究院(Institute of Optic Monitoring)的科研人员生长了一些IB-IIIA-VIA2黄铜矿类材料。但是，他们生长的这些材料中由Se、Te、S其中一种元素占据上述化学式中VIA元素位置，这样这些材料的组成、吸收带边都是固定的，不可调的，限制了这些材料的应用范围。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一类黄铜矿类固溶体化合物，通过调节化合物组成，从而调节化合物的吸收带边，IB-IIIA-VIA2黄铜矿类固溶体化合物，在原有黄铜矿类化合物IB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ⅠＢ－ⅢＡ－ⅥＡ↓［２］黄铜矿类固溶体化合物，其特征在于在原有黄铜矿类化合物ⅠＢ－ⅢＡ－ⅥＡ↓［２］中，由Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ任选其中两种共同占据上述化学式中ⅥＡ元素的位置所形成的固溶体化合物，该化合物的分子式为ⅠＢ－ⅢＡ－（Ｓ↓［１－ｘ］Ｓｅ↓［ｘ］）↓［２］或ⅠＢ－ⅢＡ－（Ｓ↓［１－ｘ］Ｔｅ↓［ｘ］）↓［２］或ⅠＢ－ⅢＡ－（Ｔｅ↓［１－ｘ］Ｓｅ↓［ｘ］）↓［２］，其中ｘ的取值范围为：０＜Ｘ＜１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春晖，王锐，朱崇强，王佳，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]