一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。通过本发明专利技术的制造方法制造的片式导电聚合物钽电容器阴极引导层来进一步制备的片式聚合物钽电容器具有高容量引出率、低损耗、低等效串联电阻和漏电流小的特性。

Method for manufacturing cathode conductive layer of chip conductive polymer tantalum capacitor

The invention discloses a manufacturing method for the cathode guide layer of a sheet type conductive polymer tantalum capacitor, including the following steps: impregnating an anode tantalum block with a surface attached to the Ta2O5 medium layer in a treatment liquid, impregnating 1 to 20min at a rate of 0.01 to 5.0mm/min, and placing 5 ~ 30min at a temperature of 20~30, and at 50~260 degrees C. A sheet type conductive polymer tantalum capacitor cathode guide layer is formed by drying film, in which the solution contains 0.005 to 2% silane coupling agents, 0.01 to 0.1% gas phase silica, 3 to 15% water and residual solvents. The sheet type polymer tantalum capacitor, which is further prepared by the cathode guide layer of the flake conductive polymer tantalum capacitor made by the manufacturing method of the invention, has the characteristics of high capacity extraction rate, low loss, low equivalent series resistance and small leakage current.

【技术实现步骤摘要】
一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法
本专利技术涉及一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法。
技术介绍
由于Ta2O5介质氧化膜具有憎油性，且介质膜微孔大小分布不均，对于未制备引导层的大孔径(＞300nm)介质微孔，这类微孔表面着床吸附溶液重量较少或因重力作用而流挂到其它部位，因此聚合形成的导电聚合物层不连续、不致密，降低了聚合物层的导电性能。未进行阴极层载体制造的钽阳极块，即便是被覆了聚合物层，受热冲击后容易发生层间界面分离导致层间接触电阻增大而使产品的等效串联电阻(ESR)变大。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，通过本专利技术的制造方法制造的片式导电聚合物钽电容器阴极引导层来进一步制备的片式聚合物钽电容器具有高容量引出率、低损耗、低等效串联电阻和漏电流小的特性。为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术公开了一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。

【技术特征摘要】
1.一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述溶剂包括醇类、酮类、醚类中的至少一种。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、十二醇、丙酮、丁酮、异佛尔酮、甲醚、乙醚、丁醚、乙二醇单丁醚、甲基叔丁醚、甲乙醚、苯甲醚中的至少一种。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂的通式为RnSiX4-n，其中R为辛烯基、十二烷基、脲基、碳烷氧基、阳离子烃基、乙烯基、氨基、环氧基、巯基或丙烯酰氧丙基，X为烷氧基、芳氧基、酰基、甲氧基或乙氧基。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷、巯基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、丙烯酰氧丙基硅烷、十二烷基硅烷中的至少一种。6.根据权利要求1至5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾台彪，齐兆雄，吴维芬，曾宪旦，方金富，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44