自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器制造技术

本发明专利技术提供一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，能够容易进行磁化反转。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其与所述铁磁性金属层接合；界面应变供给层，其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合。

【技术实现步骤摘要】
自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器
本专利技术涉及自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器。
技术介绍
已知有由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨大磁阻(GMR)元件及使用绝缘层(隧道势垒层、势垒层)作为非磁性层的隧道磁阻(TMR)元件。通常，TMR元件虽然元件电阻比GMR元件高，但TMR元件的磁阻(MR)比大于GMR元件的MR比。因此，作为磁传感器、高频部件、磁头及非易失性随机存取存储器(MRAM)用的元件，TMR元件备受关注。MRAM利用夹着绝缘层的两个铁磁性层彼此的磁化方向发生变化时，TMR元件的元件电阻变化这种特性来读写数据。作为MRAM的写入方式，已知有利用电流制作的磁场进行写入(磁化反转)的方式、利用通过在磁阻效应元件的层叠方向上流通电流而产生的自旋转移转矩(STT)进行写入(磁化反转)的方式。从能效的观点来考虑时，使用了STT的TMR元件的磁化反转是高效的，但用于进行磁化反转的反转电流密度高。从TMR元件的长寿命的观点来看，希望该反转电流密度低。这一点对GMR元件来说也同样。因此，近年来，作为降低反转电流的手段，利用通过自旋轨道相互作用而生成的纯自旋流的磁化反转被关注(例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，其具有：铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其与所述铁磁性金属层接合；以及界面应变供给层，其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合。

【技术特征摘要】
2016.10.27 JP 2016-2105321.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，其具有：铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其与所述铁磁性金属层接合；以及界面应变供给层，其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合。2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述自旋轨道转矩配线和所述界面应变供给层的晶格不匹配度为5％以上。3.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述自旋轨道转矩配线和所述界面应变供给层的晶格不匹配度为5％以上且10％以下。4.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构，所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。5.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构，所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。6.根据权利要求3所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述自旋轨道转矩配线具有fcc结构，所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构或金红石结构的任一种。7.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述自旋轨道转矩配线具有bcc结构，所述界面应变供给层具有NaCl结构、刚玉结构、金红石结构或尖晶石结构的任一种。8.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述自旋轨道转矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：盐川阳平，佐佐木智生，及川亨，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP