自旋轨道转矩型磁化反转元件、磁存储器及高频磁性器件制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种能够容易地磁化反转的自旋轨道转矩型磁化反转元件。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸并与上述铁磁性金属层接合，在从上述第一方向观察时，以穿过上述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，上述自旋轨道转矩配线在上述第二方向为非对称，其中上述第二方向正交于上述第一方向及上述层叠方向。

【技术实现步骤摘要】
自旋轨道转矩型磁化反转元件、磁存储器及高频磁性器件
本专利技术涉及自旋轨道转矩型磁化反转元件、磁存储器及高频磁性器件。
技术介绍
已知有由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨磁阻(GMR)元件及在非磁性层中使用了绝缘层(隧道势垒层、势垒层)的隧道磁阻(TMR)元件。一般而言，与GMR元件相比，TMR元件的元件电阻较高，但磁阻(MR)比比GMR元件大。因此，作为磁传感器、高频部件、磁头及非挥发性随机存取存储器(MRAM)用的元件，TMR元件备受关注。当夹持绝缘层的两个铁磁性层彼此的磁化的朝向变化时，MRAM利用TMR元件的元件电阻变化的特性读写数据。作为MRAM的写入方式，已知有利用电流产生的磁场进行写入(磁化反转)的方式、或利用沿磁阻效应元件的层叠方向流通电流而产生的自旋转移转矩(STT)进行写入(磁化反转)的方式。从能量的效率的视点考虑，使用了STT的TMR元件的磁化反转是有效的，但用于进行磁化反转的反转电流密度高。从TMR元件的长寿命的观点出发，优选该反转电流密度较低。该点对于GMR元件也一样。因此，近年来，作为降低反转电流的方法，利用了通过自旋轨道相互作用生成的纯自旋流的磁化反转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，其具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述铁磁性金属层接合，在从所述第一方向观察时，以穿过所述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，所述自旋轨道转矩配线在所述第二方向为非对称，其中，所述第二方向正交于所述第一方向及所述层叠方向。

【技术特征摘要】
2016.10.27 JP 2016-210534;2017.07.14 JP 2017-138381.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，其具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述铁磁性金属层接合，在从所述第一方向观察时，以穿过所述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，所述自旋轨道转矩配线在所述第二方向为非对称，其中，所述第二方向正交于所述第一方向及所述层叠方向。2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，将所述自旋轨道转矩配线的所述第二方向上的端部设为第一端部及第二端部，作为所述铁磁性金属层的所述第二方向的端部，将接近第一端部的一侧的端部设为第三端部，接近第二端部的一侧的端部设为第四端部，此时，所述第一端部和所述第三端部的距离与所述第二端部和所述第四端部的距离不同。3.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，所述第一端部和所述第三端部的距离以及所述第二端部和所述第四端部的距离分别大于0，且至少任一者的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木智生，盐川阳平，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP