双V型夹紧晶托制造技术
Double V clamping gripper
The utility model discloses a double V type clamping crystal holder, including a rectangular body shaped body, which comprises an upper surface and a lower surface. The middle position of the upper surface is provided with a groove through the upper surface, and the two ends of the upper surface are also provided with a V clamping groove. The utility model not only adopts the common clamps of the grooves, but also is locked by the V groove on both sides, so that the front and rear end of the crystal hold is kept on the same plane, the displacement of the front and the right sides is not produced during the high speed cutting process of the crystal rod, and the overall quality of the silicon wafer is improved.
【技术实现步骤摘要】
双V型夹紧晶托
本技术涉及到硅片加工设备领域，具体涉及到一种双V型夹紧晶托。
技术介绍
现在光伏行业硅片制造已经逐步转变为金刚线切割，传统的砂浆切割在成本和出片上不及金刚线生产，因为金刚线机的切割速度快。但是也需要想对应的晶棒粘接和机位夹紧装置，否则晶棒容易在高速切割中产生移位，影响硅片的整体质量。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种双V型夹紧晶托，将晶棒锁的更紧，在高速切割过程中不产生移位。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种双V型夹紧晶托，包括长方体状的本体，所述本体包括上表面和下表面，所述上表面中间位置开设有一条贯穿上表面的凹槽，所述上表面两端分别还开设有一条V型夹紧槽。进一步地，所述V型夹紧槽的宽度为10-12mm，深度为5-7mm。进一步地，所述V型夹紧槽相对于凹槽对称设置。进一步地，所述V型夹紧槽距离凹槽的距离为20-22mm。进一步地，所述本体的侧面开设有用于安装支撑杆的定位孔。本技术的有益效果是：本技术既采用凹槽普通夹紧，又通过两侧的V型槽定位锁紧，使得晶托前后端保持在同一平面上，在晶棒高速切割的过程中不产生前后左右的位移，提高了硅片的整体质量。附图说明下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。图1是本技术的结构示意图。图中1、本体，2、上表面，3、下表面，4、凹槽，5、V型夹紧槽，6、定位孔。具体实施方式为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明。如图1所示的一种双V型夹紧晶托，包括长方体状的本体1，本体1包括上表面2和下表面3，上表面2中间位置开设有一...
【技术保护点】
一种双V型夹紧晶托，包括长方体状的本体(1)，所述本体(1)包括上表面(2)和下表面(3)，所述上表面(2)中间位置开设有一条贯穿上表面(2)的凹槽(4)，其特征在于：所述上表面(2)两端分别还开设有一条V型夹紧槽(5)。
【技术特征摘要】
1.一种双V型夹紧晶托，包括长方体状的本体(1)，所述本体(1)包括上表面(2)和下表面(3)，所述上表面(2)中间位置开设有一条贯穿上表面(2)的凹槽(4)，其特征在于：所述上表面(2)两端分别还开设有一条V型夹紧槽(5)。2.根据权利要求1所述的双V型夹紧晶托，其特征在于：所述V型夹紧槽(5)的宽度为10-12mm，深度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：林玉往，常清，高浩金，
申请(专利权)人：常州有则新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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