用于器件制造的通过对氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻制造技术

说明了用于器件制造的通过氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻以及所得到的器件。在示例中，一种对膜进行蚀刻的方法，包括使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应。该方法还包括去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供过渡金属物质的氧化表面层。该方法还包括使过渡金属物质的氧化表面层与分子蚀刻剂反应。该方法还包括通过挥发去除过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。

Transition metal dry etching for device fabrication by removing atomic layer from oxide layer.

The transition metal dry etching of the atomic layer removed from the oxide layer for device fabrication and the devices obtained are described. In the example, a method for etching the film includes reacting the surface layer of the transition metal material containing the transition metal with the molecular oxidant substance. The method also includes removing the volatile fragments of the reacted molecular oxidant material to provide the oxidation surface layer of the transition metal material. The method also includes reacting the oxide surface layer of the transition metal material with the molecular etchant. The method also includes the oxidation surface layer after reaction and the reaction molecule etchant after volatilization.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于器件制造的通过对氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻
本专利技术的实施例属于半导体结构和工艺领域，具体而言，用于器件制造的通过对氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻以及所得到的器件。
技术介绍
过去几十年中，集成电路中的特征的缩放是日益增长的半导体工业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征实现了在半导体芯片的有限基板面上的功能单元的密度的增大。在第一方面，集成电路通常包括导电的微电子结构，它们在本领域中称为过孔，用以将过孔上方的金属线或其它互连件电连接到过孔下方的金属线或其它互连件。过孔典型地通过光刻工艺形成。有代表性地，可以将光致抗蚀剂层旋涂在电介质层上，使光致抗蚀剂层通过经图案化的掩模曝光于经图案化的光化辐射，随后可以对经曝光的层进行显影以便在光致抗蚀剂层中形成开口。接下来，通过将光致抗蚀剂层中的开口用作蚀刻掩模可以在电介质层中蚀刻用于过孔的开口。这个开口被称为过孔开口。最后，可以用一种或多种金属或其它导电材料填充过孔开口以形成过孔。在过去，逐步减小了过孔的尺寸和间隔，预计将来过孔的尺寸和间隔会继续逐步减小，至少对于一些类型的集成电路(例如，高级微处理器、芯片组部件、图形芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对膜进行蚀刻的方法，所述方法包括：使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应；去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供所述过渡金属物质的氧化表面层；使所述过渡金属物质的所述氧化表面层与分子蚀刻剂反应；以及通过挥发去除所述过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种对膜进行蚀刻的方法，所述方法包括：使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应；去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供所述过渡金属物质的氧化表面层；使所述过渡金属物质的所述氧化表面层与分子蚀刻剂反应；以及通过挥发去除所述过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：使所述包含过渡金属的膜的所述过渡金属物质的第二表面层与所述分子氧化剂物质反应；去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供所述过渡金属物质的第二氧化表面层；使所述过渡金属物质的所述第二氧化表面层与所述分子蚀刻剂反应；以及通过挥发去除所述过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。3.根据权利要求2所述的方法，其中，重复所述反应、所述去除、所述反应和所述去除，直到蚀刻掉所述包含过渡金属的膜的目标厚度为止。4.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述包含过渡金属的膜的所述过渡金属物质的所述表面层反应包括：使从钴、铁、镍、铂和钌构成的组中选择的过渡金属物质的表面层反应。5.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述包含过渡金属的膜的所述过渡金属物质的所述表面层与所述分子氧化剂物质反应包括：从具有活性氮基骨架的分子中转移氧。6.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述过渡金属物质的所述氧化表面层与所述分子蚀刻剂反应包括与六氟乙酰丙酮反应。7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过挥发去除所述过渡金属物质的所述反应后的氧化表面层和所述反应后的分子蚀刻剂包括：去除包含由两个二齿配位体螯合的过渡金属中心的过渡金属络合物，以及去除H2O。8.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：在层间电介质(ILD)层中形成沟槽；在所述沟槽中形成包含过渡金属的膜；以及使所述包含过渡金属的膜凹陷在所述沟槽内，所述凹陷包括：使所述包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应；去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供所述过渡金属物质的氧化表面层；使所述过渡金属物质的所述氧化表面层与分子蚀刻剂反应；以及通过挥发去除所述过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。9.根据权利要求8所述的方法，还包括在凹陷的包含过渡金属的膜上形成电介质覆盖层。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述半导体结构是后端金属化结构的导电过孔或金属线。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述半导体结构是金属栅电极。12.根据权利要求8所述的方法，还包括：使所述包含过渡金属的膜的所述过渡金属物质的第二表面层与所述分子氧化剂物质反应；去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供所述过渡金属物质的第二氧化表面层；使所述过渡金属物质的所述第二氧化表面层与所述分子蚀刻剂反应；以及通过挥发去除所述过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。13.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·E·罗梅罗，J·J·普罗姆伯恩，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US