一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法技术

本发明专利技术涉及一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，主要包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200‑450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H‑SiC晶型，否则为4H‑SiC晶型。本发明专利技术利用4H‑SiC及6H‑SiC禁带宽度差及200‑450℃之间对可见光吸收的差异，通过颜色的变化实现晶型判断，本发明专利技术简单便捷，测试成本低且无需昂贵复杂的表征设备。

A method for identifying single crystal form of industrial block SiC

The invention relates to a method for identifying the single crystal crystal type of an industrial block SiC, which mainly includes the following steps: (1) the sample of the body block SiC is placed in the heating furnace, the illumination conditions are controlled, the color of the SiC sample is observed at room temperature; (2) the samples of the SiC are heated to 200 450 degrees C; (3) the control and the steps (1) are the same. Under the illumination conditions, the color of SiC samples after heating was observed, and the color of 6H was significantly enhanced, otherwise the 4H SiC SiC crystal was formed. The invention makes use of the difference between the gap of the band gap of the 4H SiC and the 6H SiC and the difference between the visible light absorption between 200 and 450 degrees C, and realizes the crystal form judgment by the change of color. The invention is simple, convenient, low test cost and no expensive and complicated characterization equipment.

【技术实现步骤摘要】
一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法
本专利技术涉及晶体生长领域，尤其涉及一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法。
技术介绍
作为第三代宽带隙半导体材料的一员，相对于常见Si和GaAs等半导体材料，碳化硅材料具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高，热导率高、临界击穿场强高等诸多优异的性质。基于这些优良的特性，碳化硅材料是制备高温电子器件、高频、大功率器件更为理想的材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。同时SiC另一种宽禁带半导体材料GaN最好的衬底材料，使用SiC衬底制备的GaN基白光LED发光效率远高于传统的Si及蓝宝石衬底。而SiC由于Si-C双原子层堆垛顺序的不同，存在超过200种的不同构型，目前能够工业化制备体块单晶的只有4H-SiC和6H-SiC。二者之间在禁带宽度及电学、光学性质上存在明显差异，如：4H-SiC的禁带宽度约为3.2eV，而6H为3.0eV，4H晶型的电学各向异性较6H-SiC更弱。目前大多鉴定的方法为：使用拉曼光谱仪采集能够反映样品结构信息的拉曼光谱，通过与已知不同晶型的SiC的特征光谱进行比对，获知样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200‑450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H‑SiC晶型，否则为4H‑SiC晶型。

【技术特征摘要】
1.一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200-450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H-SiC晶型，否则为4H-SiC晶型。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光照条件为...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨昆，杨继胜，牛晓龙，刘新辉，路亚娟，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13