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本发明涉及一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，主要包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200‑450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件...
该专利属于河北同光晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光晶体有限公司授权不得商用。

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