含铟金属的制造方法技术

本发明专利技术涉及含铟金属的制造方法，该制造方法是一种新的可以有效且高收率地得到铟的含铟金属的制造方法，所述方法以下述物质作为起始原料：将制造ＩＴＯ薄膜时所飞散的铟进行回收，得到含铟物质，将该含铟物质用酸等进行溶解，利用所获得的含铟溶液作为起始原料。在该方法中，在含铟溶液中混合草酸作为沉淀剂而生成草酸铟沉淀物，通过固液分离回收该沉淀物，将该沉淀物溶解在酸中形成酸溶解液，将铝板置入酸溶解液中，通过与铝的置换反应而生成海绵铟，对其进行碱熔铸得到含铟金属。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造含有高纯度铟的，在该制造方法中，将制造ITO薄膜时飞散的ITO回收物、废弃的ITO靶、含有ITO的废料等进行溶解而形成含铟溶液，由该含铟溶液制造含有高纯度铟的含铟金属。
技术介绍
铟是在光学材料、光电子材料、化合物半导体、焊料等各种领域中被有效利用的金属，最近被广泛用作液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)等的电极材料原料等，但是由于铟昂贵，正寻求由含有铟的回收物、废弃物等对铟进行再利用。由铟-锡氧化物(ITO)形成的ITO薄膜由于同时具有高的导电性和可见光透过性，被应用于太阳能电池、液晶显示装置、触摸屏、窗玻璃用防结露发热膜等各种透明导电膜的用途。作为制造ITO薄膜的方法，可举出溅射、真空蒸镀、溶胶·凝胶法、成团离子线束蒸镀(クラスタ一ビ一ム蒸着)、PLD等方法。其中，由于溅射法可以在比较低的温度下在大面积基板上制作低阻抗的薄膜，因此在工业上被广泛利用。利用溅射法制造ITO薄膜时，通常是将烧结氧化铟和氧化锡的混合物而得到的ITO烧结体作为靶，照射等离子等而溅射ITO，从而在基板上蒸镀形成ITO薄膜。此时，溅射的ITO会产生并没有蒸镀在基板上、而在周围飞散本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含铟金属的制造方法，该制造方法是由含有铟的含铟溶液制造含铟金属的方法，该方法具有在含铟溶液中混合草酸作为沉淀剂而生成草酸铟沉淀物的工序以及通过固液分离回收所述草酸铟沉淀物的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤堀道弘，中吉康隆，矢野正和，牛山和哉，内野义嗣，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]