一种防可控硅短路的调压调速装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种防可控硅短路的调压调速装置，其包括调压调速可控硅模块电路，所述调压调速可控硅模块电路包括第一三相电接线端、第二三相电接线端、第三三相电接线端、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第一可控硅模块、第二可控硅模块、第三可控硅模块、第四可控硅模块、第五可控硅模块、第六可控硅模块、第七可控硅模块、第八可控硅模块、第九可控硅模块、第十可控硅模块、第一电机接线端、第二电机接线端和第三电机接线端，调压调速装置还包括A相光耦隔离抗干扰电路和B相光耦隔离抗干扰电路。本实用新型专利技术可以防止没有使用的可控硅在运行过程中产生误导通，防止短路现象的发生，大大提高了安全性。

A voltage regulating and regulating speed device for preventing short circuit of SCR

The utility model discloses a voltage regulating and speed regulating device for preventing silicon controlled short circuit. The device includes a voltage regulating and speed regulating silicon control module circuit. The voltage regulating speed control silicon control module circuit comprises a first three-phase electric wiring terminal, a second three-phase electric connection end, a third three-phase electric connection end, a first fuse, a second fuse, a third fuse, and a third fuse. The first SCR module, second SCR module, third SCR module, fourth SCR module, fifth SCR module, sixth SCR module, seventh SCR module, eighth SCR module, Ninth SCR module, tenth silicon controlled module, the first motor connection end, second electrical wiring terminal and third electricity. The voltage regulator also includes A phase coupler isolation anti-interference circuit and B phase optical coupler isolation anti-interference circuit. The utility model can prevent misuse of the SCR which is not used during operation and prevent the occurrence of short circuit, and greatly improves the safety.

【技术实现步骤摘要】
一种防可控硅短路的调压调速装置
本技术涉及一种调压调速装置，具体涉及一种防可控硅短路的调压调速装置。
技术介绍
在电机调速系统中，调压调速系统在可控硅不完全导通时接近正弦波，可控硅完全导通时为完全的正弦波，对电源污染小，干扰小等优点，在电机调速系统中依然有着广泛的应用。调压调速的功率模块用的是可控硅控制，控制可控硅的导通角来控制电机定子电压。在电机切换旋转方向时，采用控制不同可控硅的导通来实现。为此在换向过程中，或者在现场有电磁干扰的地方，容易产生不在控制范围内的可控硅的误导通，一旦有可控硅误导通，则容易形成短路，轻则烧坏保险，严重的情况下，烧坏可控硅模块，导致整个装置无法继续运行，造成生产的损失。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题，从而提供一种防可控硅短路的调压调速装置。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种防可控硅短路的调压调速装置，所述调压调速装置包括调压调速可控硅模块电路，所述调压调速可控硅模块电路包括第一三相电接线端、第二三相电接线端、第三三相电接线端、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第一可控硅模块、第二可控硅模块、第三可控硅模块、第四可控硅模块、第五可控硅模块、第六可控硅模块、第七可控硅模块、第八可控硅模块、第九可控硅模块、第十可控硅模块、第一电机接线端、第二电机接线端和第三电机接线端，所述第一三相电接线端分别与第一熔断器、第一可控硅模块、第二可控硅模块和第一电机接线端连接，所述第二三相电接线端分别与第二熔断器、第三可控硅模块、第四可控硅模块、第五可控硅模块、第六可控硅模块和第二电机接线端连接，所述第三三相电接线端分别与第三熔断器、第七可控硅模块、第八可控硅模块、第九可控硅模块、第十可控硅模块和第三电机接线端连接，所述调压调速装置还包括A相光耦隔离抗干扰电路和B相光耦隔离抗干扰电路，所述A相光耦隔离抗干扰电路分别与第五可控硅模块、第六可控硅模块、第七可控硅模块和第八可控硅模块连接，所述B相光耦隔离抗干扰电路分别与第三可控硅模块、第四可控硅模块、第九可控硅模块和第十可控硅模块连接。在本技术的一个优选实施例中，所述A相光耦隔离抗干扰电路包括第一电阻、第一光耦、第三光耦、第五光耦、第八光耦和第一接地端，所述第一电阻分别与第一光耦、第三光耦、第五光耦和第八光耦连接，所述第一接地端分别与第一光耦、第三光耦、第五光耦和第八光耦连接，所述第一光耦的输出端连接第五可控硅模块的控制极和阴极，所述第三光耦的输出端连接第六可控硅模块的控制极和阴极，所述第五光耦的输出端连接第七可控硅模块的控制极和阴极，所述第八光耦的输出端连接第八可控硅模块的控制极和阴极。在本技术的一个优选实施例中，所述B相光耦隔离抗干扰电路包括第二电阻、第二光耦、第四光耦、第六光耦、第七光耦和第二接地端，所述第二电阻分别与第二光耦、第四光耦、第六光耦和第七光耦连接，所述第二接地端分别与第二光耦、第四光耦、第六光耦和第七光耦连接，所述第二光耦的输出端连接第三可控硅模块的控制极和阴极，所述第四光耦的输出端连接第四可控硅模块的控制极和阴极，所述第六光耦的输出端连接第九可控硅模块的控制极和阴极，所述第七光耦的输出端连接第十可控硅模块的控制极和阴极。本技术的有益效果是：本技术可以防止没有使用的可控硅在运行过程中产生误导通，防止短路现象的发生，大大提高了安全性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为调压调速可控硅模块电路的结构示意图；图2为A相光耦隔离抗干扰电路的结构示意图；图3为B相光耦隔离抗干扰电路的结构示意图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见图1至图3，本技术提供的防可控硅短路的调压调速装置，其包括调压调速可控硅模块电路、A相光耦隔离抗干扰电路和B相光耦隔离抗干扰电路。参见图1，调压调速可控硅模块电路为现有电路结构，其包括第一三相电接线端L1、第二三相电接线端L2、第三三相电接线端L3、第一熔断器F1、第二熔断器F2、第三熔断器F3、第一可控硅模块Q1、第二可控硅模块Q2、第三可控硅模块Q3、第四可控硅模块Q4、第五可控硅模块Q5、第六可控硅模块Q6、第七可控硅模块Q7、第八可控硅模块Q8、第九可控硅模块Q9、第十可控硅模块Q10、第一电机接线端T1、第二电机接线端T2和第三电机接线端T3，第一三相电接线端L1分别与第一熔断器F1、第一可控硅模块Q1、第二可控硅模块Q2和第一电机接线端T1连接，第二三相电接线端L2分别与第二熔断器F2、第三可控硅模块Q3、第四可控硅模块Q4、第五可控硅模块Q5、第六可控硅模块Q6和第二电机接线端T2连接，第三三相电接线端L3分别与第三熔断器F3、第七可控硅模块Q7、第八可控硅模块Q8、第九可控硅模块Q9、第十可控硅模块Q10和第三电机接线端T3连接。当调压调速可控硅模块电路的方向A时，第一可控硅模块Q1、第二可控硅模块Q2、第三可控硅模块Q3、第四可控硅模块Q4、第九可控硅模块Q9和第十可控硅模块Q10运行，这时电流的方向为第一三相电接线端L1-第一电机接线端T1，第二三相电接线端L2-第二电机接线端T2，第三三相电接线端L3-第三电机接线端T3，当第二三相电接线端L2电压为正弦波的正半波时，电流从第二三相电接线端L2通过第三可控硅模块Q3流向第二电机接线端T2，当第二三相电接线端L2为负半波时，电流从第二电机接线端T2经第四可控硅模块Q4流向第二三相电接线端L2。第一三相电接线端L1和第三三相电接线端L3的工作原理与上述工作原理相同。当调压调速可控硅模块电路的方向B时，第一可控硅模块Q1、第二可控硅模块Q2、第五可控硅模块Q5、第六可控硅模块Q6、第七可控硅模块Q7和第八可控硅模块Q8投入运行，此时电路为第一三相电接线端L1-第一电机接线端T1、第二三相电接线端L2-第三电机接线端T3、第三三相电接线端L3-第二电机接线端T2，通过第二三相电接线端L2和第三三相电接线端L3换向来改变电机的旋转力矩的方向，运行原理则与方向A相同。在应用过程中，时常存在烧熔断器的现在，无一例外的发生在第二三相电接线端L2和第三三相电接线端L3项中的第二熔断器F2和第三熔断器F3上，严重还可能烧坏可控硅。这是因为在A方向运行当中，第五可控硅模块Q5、第六可控硅模块Q6、第七可控硅模块Q7和第八可控硅模块Q8并没有投入运行，当由方向B刚切换到方向A时产生电磁干扰信号，或现场产生电磁干扰时，如果在这4个可控硅中其一的控制极和阴极之间产生一个差摸干扰电压大于可控硅导通电压脉冲尖峰，则可控硅有可能会被干扰信号导通产生短路，如图中如果第五可控硅模块Q5被误导通，则第五可控硅模块Q5会与正在运行中的第十可控硅模块Q10形成第二三相电接线端L2和第三三相电接线端L3的短路，烧坏第二熔断器F2或第三熔断器F3，甚至第五可控硅模块Q5和第十可控硅模块Q10也烧坏。同样，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防可控硅短路的调压调速装置，所述调压调速装置包括调压调速可控硅模块电路，所述调压调速可控硅模块电路包括第一三相电接线端、第二三相电接线端、第三三相电接线端、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第一可控硅模块、第二可控硅模块、第三可控硅模块、第四可控硅模块、第五可控硅模块、第六可控硅模块、第七可控硅模块、第八可控硅模块、第九可控硅模块、第十可控硅模块、第一电机接线端、第二电机接线端和第三电机接线端，所述第一三相电接线端分别与第一熔断器、第一可控硅模块、第二可控硅模块和第一电机接线端连接，所述第二三相电接线端分别与第二熔断器、第三可控硅模块、第四可控硅模块、第五可控硅模块、第六可控硅模块和第二电机接线端连接，所述第三三相电接线端分别与第三熔断器、第七可控硅模块、第八可控硅模块、第九可控硅模块、第十可控硅模块和第三电机接线端连接，其特征在于，所述调压调速装置还包括A相光耦隔离抗干扰电路和B相光耦隔离抗干扰电路，所述A相光耦隔离抗干扰电路分别与第五可控硅模块、第六可控硅模块、第七可控硅模块和第八可控硅模块连接，所述B相光耦隔离抗干扰电路分别与第三可控硅模块、第四可控硅模块、第九可控硅模块和第十可控硅模块连接。...

【技术特征摘要】
1.一种防可控硅短路的调压调速装置，所述调压调速装置包括调压调速可控硅模块电路，所述调压调速可控硅模块电路包括第一三相电接线端、第二三相电接线端、第三三相电接线端、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第一可控硅模块、第二可控硅模块、第三可控硅模块、第四可控硅模块、第五可控硅模块、第六可控硅模块、第七可控硅模块、第八可控硅模块、第九可控硅模块、第十可控硅模块、第一电机接线端、第二电机接线端和第三电机接线端，所述第一三相电接线端分别与第一熔断器、第一可控硅模块、第二可控硅模块和第一电机接线端连接，所述第二三相电接线端分别与第二熔断器、第三可控硅模块、第四可控硅模块、第五可控硅模块、第六可控硅模块和第二电机接线端连接，所述第三三相电接线端分别与第三熔断器、第七可控硅模块、第八可控硅模块、第九可控硅模块、第十可控硅模块和第三电机接线端连接，其特征在于，所述调压调速装置还包括A相光耦隔离抗干扰电路和B相光耦隔离抗干扰电路，所述A相光耦隔离抗干扰电路分别与第五可控硅模块、第六可控硅模块、第七可控硅模块和第八可控硅模块连接，所述B相光耦隔离抗干扰电路分别与第三可控硅模块、第四可控硅模块、第九可控硅模块和第十可控硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘丽，王展英，沈月红，马有亮，许成，胡伟，
申请(专利权)人：上海智大电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31