一种芯片缺陷检测装置及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种芯片缺陷检测装置及检测方法，所述芯片缺陷检测装置包括：光源部件，用于发射至少两种波长的光束；分束器，用于接收所述光源部件发射的光束，并将其接收的光束分为第一部分和第二部分；所述光束的第一部分经所述芯片的待检测面反射形成探测光束；参考部件，用于接收所述光束的第二部分，并处理所述光束的第二部分以形成参考光束；探测部件，用于接收所述探测光束和所述参考光束，所述参考光束和探测光束具有一定的夹角，以在所述探测部件的探测面上形成干涉条纹，基于所述干涉条纹确定所述芯片的待检测面的缺陷参数。采用本申请的装置检测芯片可以提高检测精度和检测效率，并且能适应较大芯片样片的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片缺陷检测装置及检测方法
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种芯片缺陷检测装置及检测方法。
技术介绍
“超摩尔定律”等概念引领IC行业从追求工艺技术节点的时代，转向更多地依赖于芯片封装技术发展的全新时代。相比于传统封装，晶圆级封装(WaferLevelPackaging，WLP)在缩小封装尺寸、节约工艺成本方面有着显著的优势。因此，WLP将是未来支持IC不断发展的主要技术之一。WLP主要包括Pillar/Gold/SolderBump、RDL、TSV等工艺技术。为了增加芯片制造的良率，在整个封装工艺过程都需要对芯片进行缺陷检测，早期的设备主要集中在表面2D的缺陷检测，例如污染、划痕、颗粒等。随着工艺控制要求的增加，越来越需要对表面3D特征进行检测，例如Bump高度、RDL厚度、TSV(ThroughSiliconVias“通过硅片通道”)的孔深等。目前对芯片3D测量的精度相对较低，且检测效率较低，难以满足晶元全方位扫描检测的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片缺陷检测装置及检测方法，以解决现有的芯片缺陷检测装置在检测芯片时，检测精度低，效率低的问题。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片缺陷检测装置，其特征在于，包括：光源部件，用于发射至少两种波长的光束；分束器，用于接收所述光源部件发射的光束，并将其接收的光束分为第一部分和第二部分；所述光束的第一部分经所述芯片的待检测面反射形成探测光束；参考部件，用于接收所述光束的第二部分，并处理所述光束的第二部分以形成参考光束；探测部件，用于接收所述探测光束和所述参考光束，所述参考光束和探测光束具有一定的夹角，以在所述探测部件的探测面上形成干涉条纹，基于所述干涉条纹确定所述芯片的待检测面的缺陷参数。

【技术特征摘要】
1.一种芯片缺陷检测装置，其特征在于，包括：光源部件，用于发射至少两种波长的光束；分束器，用于接收所述光源部件发射的光束，并将其接收的光束分为第一部分和第二部分；所述光束的第一部分经所述芯片的待检测面反射形成探测光束；参考部件，用于接收所述光束的第二部分，并处理所述光束的第二部分以形成参考光束；探测部件，用于接收所述探测光束和所述参考光束，所述参考光束和探测光束具有一定的夹角，以在所述探测部件的探测面上形成干涉条纹，基于所述干涉条纹确定所述芯片的待检测面的缺陷参数。2.如权利要求1所述的芯片缺陷检测装置，其特征在于，所述探测部件包括至少一个探测器，用于探测所述干涉条纹。3.如权利要求2所述的芯片缺陷检测装置，其特征在于，所述探测器的数量为多个，每个所述探测器探测一种波长的光束。4.如权利要求2所述的芯片缺陷检测装置，其特征在于，所述探测器为互补金属氧化物半导体或电荷藕合器件图像传感器。5.如权利要求1所述的芯片缺陷检测装置，其特征在于，所述参考部件为反光镜，所述反光镜的表面与所述芯片的待检测面之间呈一定的夹角。6.如权利要求1所述的芯片缺陷检测装置，其特征在于，当所述光源部件发射两种波长的光束时，波长较短的光束的光照强度和两种波长的合成波长的光束的光照强度如下式：

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏黎，陆海亮，王帆，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31