半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置，具备IGBT和用于保护该IGBT的二极管，能维持耐压且降成本。在有源区(41)，在半导体基板(1)的正面侧设有IGBT(10)的MOS栅。在边缘终端区(42)，在半导体基板(1)的正面隔着场氧化膜(31)设有齐纳二极管(20)。半导体基板(1)是将具备在n‑型的起始晶片(1)的一个主面的表面层使硼扩散成的p

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
作为汽车等中使用的将导入到发动机的燃料室内的混合气点燃而使其燃烧的内燃机用点火装置的构成部，有根据发动机控制单元(ECU：EngineControlUnit)的信号来控制供给到点火线圈的初级侧线圈的低压电流的半导体装置(点火器)。在该点火器中，从栅极控制的容易性考虑，目前主要使用IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅型双极晶体管)。图12是表示通常的内燃机点火装置的电路构成的电路图。图13是表示通常的点火器的电路构成的电路图。图12所示的内燃机点火装置100具备点火器101、点火线圈102和火花塞103。点火器101具备作为使流到点火线圈的初级侧线圈的低压电流通断的开关的IGBT111，和控制该IGBT111的控制电路·保护电路112。IGBT111是根据来自ECU104的电信号使从电池(14V)流到点火线圈102的初级侧线圈的低压电流通断的开关。IGBT111的集电极端子C(点火器101的高电位侧端子)与点火线圈102的初级侧线圈连接。IGBT111的发射极端子E(点火器101的低电位侧端子)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备半导体元件，所述半导体元件具有：第一导电型半导体层；第二导电型的第一半导体区，其选择性地设置于所述第一导电型半导体层的表面层；第一导电型的第二半导体区，其选择性地设置于所述第一半导体区的内部；第二导电型的第三半导体区，其选择性地设置于所述第一导电型半导体层的表面层，与所述第一半导体区和所述第二半导体区接触，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高；栅绝缘膜，其以与所述第一半导体区的位于所述第一导电型半导体层与所述第二半导体区之间的区域接触的方式设置；栅电极，其隔着所述栅绝缘膜设置于所述第一半导体区的表面上；第二导电型半导体层，其设置于所述第一导电型半导体层的与所...

【技术特征摘要】
2016.10.17 JP 2016-2035011.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体元件，所述半导体元件具有：第一导电型半导体层；第二导电型的第一半导体区，其选择性地设置于所述第一导电型半导体层的表面层；第一导电型的第二半导体区，其选择性地设置于所述第一半导体区的内部；第二导电型的第三半导体区，其选择性地设置于所述第一导电型半导体层的表面层，与所述第一半导体区和所述第二半导体区接触，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高；栅绝缘膜，其以与所述第一半导体区的位于所述第一导电型半导体层与所述第二半导体区之间的区域接触的方式设置；栅电极，其隔着所述栅绝缘膜设置于所述第一半导体区的表面上；第二导电型半导体层，其设置于所述第一导电型半导体层的与所述第一半导体区侧相反的一侧的表面；第一电极，其与所述第二半导体区和所述第三半导体区接触；以及第二电极，其与所述第二导电型半导体层接触，所述半导体装置还具备：氧化膜，其设置于所述第一导电型半导体层的所述第一半导体区侧的表面上；以及二极管，其设置于所述氧化膜的表面上，所述二极管的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井宪一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP