一种氮化镓异质结HEMT制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓异质结HEMT，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、介质层、源极、栅极和漏极，所述第一外延层、第二外延层和介质层从下到上依次生长在衬底层上，所述第一外延层和第二外延层接触形成异质结，所述介质层上开设有源极孔和栅极孔，所述源极和栅极分别设置在源极孔和栅极孔内并分别与第二外延层接触，所述衬底层和第一外延层上开设有漏极孔，所述漏极设置在漏极孔内并与第一外延层接触。本实用新型专利技术采用垂直结构，将源极、栅极和漏极设置在不同位置，便于与其他元器件的集成，有效减少集成时空间的占用。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓异质结HEMT
本技术涉及半导体领域，特别是，涉及一种氮化镓异质结HEMT。
技术介绍
HEMT是一种异质结场效应晶体管，根据半导体物理特性，异质结接触的两种材料由于禁带宽度的不同，电子会从宽禁带的材料流向窄禁带材料中，从而在半导体截面的窄禁带材料的一侧形成量子阱。在无外场条件下，处于量子阱中的电子在垂直异质结接触面方向移动，此量子阱中的电子称为二维电子气。由于沟道中的自由电子远离宽禁带中的杂质的库伦散射，故载流子能获得很高的电子迁移率。氮化镓异质结HEMT由于其禁带宽度大，约为3.36eV、电子饱和速度高，约为1540cm2/V·s和击穿电压高等优点，非常适合于高频、大功率和高温应用。在高温器件以及大功率微波器件方面已经显示出了非常出色的优势。目前市场上以平面型氮化镓异质结HEMT为主，使用时，为了发挥氮化镓异质结HEMT的优势，需要将氮化镓异质结HEMT和其他元器件集成在一起，然而，由于平面型氮化镓异质结HEMT结构的局限性，不便于和其他元器件的集成，占用大量空间，给集成应用造成困难。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供氮化镓异质结HEMT，其采用垂直结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓异质结HEMT，其特征在于，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、介质层、源极、栅极和漏极，所述第一外延层、第二外延层和介质层从下到上依次生长在衬底层上，所述第一外延层和第二外延层接触形成异质结，所述介质层上开设有源极孔和栅极孔，所述源极和栅极分别设置在源极孔和栅极孔内并分别与第二外延层接触，所述衬底层和第一外延层上开设有漏极孔，所述漏极设置在漏极孔内并与第一外延层接触。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓异质结HEMT，其特征在于，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、介质层、源极、栅极和漏极，所述第一外延层、第二外延层和介质层从下到上依次生长在衬底层上，所述第一外延层和第二外延层接触形成异质结，所述介质层上开设有源极孔和栅极孔，所述源极和栅极分别设置在源极孔和栅极孔内并分别与第二外延层接触，所述衬底层和第一外延层上开设有漏极孔，所述漏极设置在漏极孔内并与第一外延层接触。2.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述衬底层为蓝宝石衬底或硅衬底，其厚度为3-5μm。3.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述第一外延层为GaN层，其厚度为1.5-2.5μm。4.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述第二外延层为Al0.25Ga0.75N层，其厚度为20-24nm。5.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述介质层为SiO2层，其厚度为6.如权利要求1所述的氮化镓异质...

【专利技术属性】
技术研发人员：周炳，
申请(专利权)人：张家港意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32