温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种氮化镓异质结HEMT，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、介质层、源极、栅极和漏极，所述第一外延层、第二外延层和介质层从下到上依次生长在衬底层上，所述第一外延层和第二外延层接触形成异质结，所述介质层上开设有源极孔和栅极孔...
该专利属于张家港意发功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港意发功率半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。