半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供容易进行空穴的吸引的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板，其具有漂移区和基区；晶体管部，其形成于半导体基板；以及二极管部，其与晶体管部邻接而形成于半导体基板，在晶体管部和二极管部形成有多个沟槽部和多个台面部，所述多个沟槽部分别沿着预定的排列方向排列，所述多个台面部形成于各个沟槽部之间，多个台面部中的、位于晶体管部与二极管部的边界处的至少一个边界台面部在半导体基板的上表面具有浓度比基区的浓度高的接触区，边界台面部中的接触区的面积大于其他台面部中的接触区的面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，已知在同一芯片上形成有IGBT等晶体管和FWD等二极管的半导体装置(例如，参照专利文献1)。日本特开2015-135954号公报
技术实现思路
技术问题在IGBT等半导体装置中，优选在关断时高效地吸引空穴。技术方案在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板。半导体基板可以具有第一导电型的漂移区。半导体基板可以具有设置于漂移区的上方的第二导电型的基区。半导体装置可以具备形成于半导体基板的晶体管部。半导体装置可以具备与晶体管部邻接地形成于半导体基板的二极管部。在晶体管部和二极管部可以形成有分别沿着预定的排列方向排列的多个沟槽部。在晶体管部和二极管部可以形成有形成在各个沟槽部之间的多个台面部。多个台面部中的、位于晶体管部与二极管部的边界处的至少一个边界台面部在半导体基板的上表面可以具有浓度比基区的浓度高的第二导电型的接触区。边界台面部中的接触区的面积可以大于其他台面部中的接触区的面积。在形成于晶体管部的台面部，在基区与漂移区之间可以设有浓度比漂移区的浓度高的蓄积区。在边界台面部中的至少一个边界台面部，可以不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区和设置于所述漂移区的上方的第二导电型的基区；晶体管部，其形成于所述半导体基板；以及二极管部，其与所述晶体管部邻接而形成于所述半导体基板，在所述晶体管部和所述二极管部形成有多个沟槽部和多个台面部，所述多个沟槽部分别沿着预定的排列方向排列，所述多个台面部形成于各个沟槽部之间，所述多个台面部中的、位于所述晶体管部与所述二极管部的边界处的至少一个边界台面部在所述半导体基板的上表面具有浓度比所述基区的浓度高的第二导电型的接触区，所述边界台面部中的所述接触区的面积大于其他台面部中的所述接触区的面积。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.10 JP 2016-047188;2016.10.13 JP 2016-201971.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区和设置于所述漂移区的上方的第二导电型的基区；晶体管部，其形成于所述半导体基板；以及二极管部，其与所述晶体管部邻接而形成于所述半导体基板，在所述晶体管部和所述二极管部形成有多个沟槽部和多个台面部，所述多个沟槽部分别沿着预定的排列方向排列，所述多个台面部形成于各个沟槽部之间，所述多个台面部中的、位于所述晶体管部与所述二极管部的边界处的至少一个边界台面部在所述半导体基板的上表面具有浓度比所述基区的浓度高的第二导电型的接触区，所述边界台面部中的所述接触区的面积大于其他台面部中的所述接触区的面积。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述边界台面部中的至少一个边界台面部设置于所述晶体管部。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在形成于所述晶体管部的所述台面部中的至少一个台面部，在所述基区与所述漂移区之间设置有浓度比所述漂移区的浓度高的第一导电型的蓄积区，在所述边界台面部中的至少一个边界台面部，未设置所述蓄积区。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述多个沟槽部中的与所述边界台面部邻接的沟槽部是虚设沟槽部。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述多个沟槽部中的、比与所述边界台面部邻接的沟槽部更靠所述晶体管部侧设置的至少一个沟槽部也是虚设沟槽部。6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述蓄积区具有：第一蓄积区，其形成于预定的深度位置；以及第二蓄积区，其形成于比所述第一蓄积区接近于所述二极管部且比所述第一蓄积区浅的位置，与所述第二蓄积区邻接的沟槽部也是虚设沟槽部。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部在所述半导体基板的上表面侧具有寿命控制体，所述晶体管部在形成有所述第一蓄积区的区域中，在所述半导体基板的上表面侧不具有所述寿命控制体。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述边界台面部在所述半导体基板的上表面侧具有寿命控制体。9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，比所述边界台面部靠所述晶体管部侧的所述台面部在所述半导体基板的上表面具有第一导电型的发射区和所述接触区，所述发射区的浓度比所述漂移区的浓度高，所述边界台面部不具有所述发射区。10.根据权利要求6～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，比所述边界台面部靠所述二极管部侧的所述台面部中的至少一部分台面部在所述半导体基板的上表面具有所述基区。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，在将从所述晶体管部与所述二极管部的边界起到具有所述发射区的所述台面部与所述边界台面部之间的所述沟槽部为止的距离记为Da，将从所述半导体基板的下表面起到所述基区的下表面为止的距离记为Dt的情况下，100μm＜Da+Dt＜150μm。12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，各个沟槽部在所述半导体基板的上表面沿着与所述排列方向不同的延伸方向延伸而形成，比所述边界台面部靠所述晶体管部侧的所述台面部在所述半导体基板的上表面沿着所述延伸方向交替地具有所述发射区和所述接触区，在所述延伸方向上，所述蓄积区形成到比形成于最外侧的所述发射区的端部靠外侧的位置。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备形成于所述半导体基板的上表面的层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜形成有使所述发射区和所述接触区露出的接触孔，在所述延伸方向上，所述接触孔形成到比所述蓄积区的端部靠外侧的位置。14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，在所述发射区的下方的至少一部分区域中，具有未形成所述蓄积区的载流子通过区。15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，在所述发射区的下方的整个区域设有所述载流子通过区。16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，所述载流子通过区也被设置于所述接触区中的与所述发射区邻接的端部的下方。17.根据权利要求14～16中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述蓄积区具有：第一蓄积区，其形成于预定的深度位置；以及第二蓄积区，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤达也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP