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本发明提供容易进行空穴的吸引的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板，其具有漂移区和基区；晶体管部，其形成于半导体基板；以及二极管部，其与晶体管部邻接而形成于半导体基板，在晶体管部和二极管部形成有多个沟槽部和多个台面部，所述多个沟槽部分...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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