【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】读取干扰检测的代理字线应激
本公开涉及非易失性固态存储器,并且特别是涉及读取干扰。
技术介绍
通过识别多个区别的许可的阈值电压范围实现多个状态的闪速存储器单元。每个区别的阈值电压范围对应于数据位的集合的预先确定的值。在编程到存储器单元中的数据和存储器单元的阈值电压范围之间的特定关系取决于用于存储器单元的数据编码方案。典型地,将编程电压作为一系列脉冲施加到存储器单元的控制栅极。脉冲的幅度可以随着每个连续脉冲以预先确定的步长(例如0.2伏特、0.3伏特、0.4伏特或任何其它电压)而增加。在脉冲之间的周期中,可以进行验证操作。换言之,被并行编程的存储器单元的组中的每个存储器单元的编程级别可以在每个编程脉冲之间感测,以确定每个存储器单元的编程级别是否等于或大于单元被编程到的验证级别。一种验证编程的方法是为了在特定比较点处测试传导。例如,通过提高位线电压以停止这些存储器单元的编程过程,将验证为充分编程的存储器单元锁定。可以通过将一个或多个读取比较电压分别施加到所选择的存储器单元的控制栅极(或其它终端)并且感测所选择存储器单元是否传导了响应于读取比较电压的足够电流,来读取存储 ...
【技术保护点】
一种存储器系统,包括:非易失性固态存储器,包括耦接到所选择的字线的所选择的存储器单元、耦接到代理字线的代理存储器单元,其中所述所选择的存储器单元是与所述代理存储器单元不相邻的;以及存储器控制器,配置为:当从所述所选择存储器单元读取数据时,施加读取代理电压到所述代理字线;以及基于储存在所述代理存储器单元中的预先确定的值和从所述代理存储器单元读取的值之间的差异来确定读取干扰。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.11 US 14/851,1411.一种存储器系统,包括:非易失性固态存储器,包括耦接到所选择的字线的所选择的存储器单元、耦接到代理字线的代理存储器单元,其中所述所选择的存储器单元是与所述代理存储器单元不相邻的;以及存储器控制器,配置为:当从所述所选择存储器单元读取数据时,施加读取代理电压到所述代理字线;以及基于储存在所述代理存储器单元中的预先确定的值和从所述代理存储器单元读取的值之间的差异来确定读取干扰。2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述存储器控制器还配置为,如果所述差异超过阈值值则确定检测到读取干扰。3.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述差异为误差校正码。4.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述差异是在所述预先确定的值和从所述代理存储器单元读取的所述值之间不同的多个位。5.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述存储器控制器还配置为,附加地基于编程和擦除周期计数来确定读取干扰。6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述代理字线是待编程的串中的最后字线。7.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述代理字线是伪字线。8.一种用于读取干扰的检测方法,所述方法包括:将预先确定的值代替主机数据储存在非易失性存储器的块的代理字线的存储器单元中;如果从所述块的所选择的存储器单元读取数据并且所述所选择的存储器单元与所述代理字线的单元不相邻,那么将读取代理电压施加到所述代理字线的存储器单元的栅极;以及通过将所述预先确定值与从所述代理字线的存储器单元读取的值比较来确定所述块的读取干扰。9.根据权利要求8所述的方法,还包括,如果从所述所选择的存储器单元读取所述数据,则施加读取通过电压到与所述所选择的存储器单元相邻的单元中的晶体管的控制栅极,其中所述读取通过电压与所述读取代理电压基本上相同。10.根据权利要求8所述的方法,还包括,如果从所述所选择的存储器单元读取数据,则施加读取比较电压到所述所选择的存储器单元的控制栅极,其中所述读取比较电压小于所述读取代理电压。11.根据权利要求8所述的方法,其中施加所述读取代理电压包括如果所述块是开放的则施加所述读取代理电压,如果所述块是封闭的则不施加所述读取代理电压。12.根据权利要求8所述的方法,其中确定所述读取干扰包括,在损耗均衡读取扫描期间计数储存在耦接到所述代理字线的存储器单元中的零的数量,其中所述代理字线是伪字线,其中所述块是第一块,其中储存所述预先确定的值包括擦除耦接到所述代理字线的所述存储器单元;...
【专利技术属性】
技术研发人员:P罗伊斯维格,H辛吉迪,D拉古,G杜西加,P科,C阿维拉,
申请(专利权)人:桑迪士克科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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