多相指纹传感器布局和构建制造技术

电容指纹传感器包括在感测区域中的一组电容传感器电极。该组电容传感器电极包括一组发送(Tx)传感器电极、一组接收(Rx)传感器电极和一组补偿电极。指纹传感器还包括多相电容传感器，其被配置为通过将第一Tx信号施加到Tx传感器电极的第一子集并同时将第二Tx信号施加到该组Tx传感器电极的第二子集来执行对电容传感器电极的感测扫描，并且基于在该组补偿电极处接收到的补偿信号，减少源自除了感测区域处的接触之外的源的Rx信号的分量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多相指纹传感器布局和构建相关申请本申请是2015年12月9日提交的美国申请号为14/964,562的国际申请，并要求2015年9月9日提交的美国临时申请号62/216,263和2015年9月9日提交的美国临时申请号62/216,253的利益，所有申请通过引用以其整体并入本文。
本公开涉及指纹传感器的领域，且特别是涉及电容指纹传感器阵列。背景电容感测系统通过感测在电极上产生的反应电容变化的电信号而起作用。电容的这种变化可指示触摸事件或指纹的脊和谷的存在。指纹感测可以用于各种用户界面设备(诸如移动手持设备、个人计算机和平板电脑)的安全和验证应用。用于指纹检测的电容感测的使用可以允许传感器以很大程度的可配置性被放置在用户界面设备的表面中。也就是说，传感器不局限于所有设备的单个位置。相反，指纹传感器可被设置在设备上便于特定工业设计或者优化用户的体验的位置中。基于电容的指纹传感器通过测量诸如传感器电极的电容感测元件的电容并且检测指示存在或不存在指纹脊(或谷)的电容变化来起作用。可以使用感测元件阵列上的可识别位置处的脊和谷来重建指纹的图像以用于注册、验证和安全应用。当指纹脊与感测元件接触或紧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容指纹传感器，包括：在感测区域中的一组电容传感器电极，其中所述一组电容传感器电极包括一组一个或更多个发送(Tx)传感器电极和一组一个或更多个接收(Rx)传感器电极；一组一个或更多个补偿电极；多相电容传感器，其与所述一组电容传感器电极和所述一组补偿电极耦合，其中所述多相电容传感器被配置为：通过将第一Tx信号施加到所述一组一个或更多个Tx传感器电极的第一子集并同时将第二Tx信号施加到所述一组一个或更多个Tx传感器电极的第二子集来执行对所述一组电容传感器电极的感测扫描，以在所述一组一个或更多个Rx传感器电极处生成Rx信号；以及基于在所述一组一个或更多个补偿电极处接收到的补偿信号，减少所述Rx信...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.09 US 62/216,263;2015.09.09 US 62/216,253;1.一种电容指纹传感器，包括：在感测区域中的一组电容传感器电极，其中所述一组电容传感器电极包括一组一个或更多个发送(Tx)传感器电极和一组一个或更多个接收(Rx)传感器电极；一组一个或更多个补偿电极；多相电容传感器，其与所述一组电容传感器电极和所述一组补偿电极耦合，其中所述多相电容传感器被配置为：通过将第一Tx信号施加到所述一组一个或更多个Tx传感器电极的第一子集并同时将第二Tx信号施加到所述一组一个或更多个Tx传感器电极的第二子集来执行对所述一组电容传感器电极的感测扫描，以在所述一组一个或更多个Rx传感器电极处生成Rx信号；以及基于在所述一组一个或更多个补偿电极处接收到的补偿信号，减少所述Rx信号中的源自除所述感测区域处的接触之外的源的分量。2.根据权利要求1所述的电容指纹传感器，其中，所述第二Tx信号是所述第一Tx信号的相位改变形式，其中所述一组一个或更多个补偿电极包括Tx基线电极和一个或更多个Rx基线电极，其中所述补偿信号包括通过将所述第一Tx信号施加到与所述一个或更多个Rx基线电极电容耦合的所述Tx基线电极而生成的基线补偿电流，其中所述Tx基线电极和所述一个或更多个Rx基线电极与所述感测区域电容隔离，并且其中所述基线补偿电流减小由所述感测扫描生成的基线电流。3.根据权利要求2所述的电容指纹传感器，其中，所述一组Tx传感器电极由覆盖所述一组Rx传感器电极的第一导电材料层形成，并且其中所述一组Rx传感器电极由覆盖所述Tx基线电极和所述一个或更多个Rx基线电极的第二导电材料层形成。4.根据权利要求2所述的电容指纹传感器，还包括被插入在所述一组电容传感器电极与Tx基线电极和Rx基线电极之间的接地屏蔽。5.根据权利要求1所述的电容指纹传感器，其中，所述一组补偿电极包括多个Tx基线电极以及与所述多个Tx基线电极中的每一个电容耦合的单个Rx基线电极。6.根据权利要求1所述的电容指纹传感器，其中，所述一组补偿电极包括单个Tx基线电极和多个Rx基线电极，每个Rx基线电极与所述单个Tx基线电极电容耦合。7.根据权利要求6所述的电容指纹传感器，还包括：对于所述多个Rx基线电极中的每个Rx基线电极，被配置为基于用于执行所述感测扫描的多相感测模式选择性地将所述Rx基线电极连接到所述多相电容传感器的模拟输入端的开关。8.根据权利要求1所述的电容指纹传感器，其中，所述一组补偿电极包括：Tx基线电极；一个或更多个Rx基线电极；以及噪声监听器电极，其与所述多相电容传感器耦合，其中所述Tx基线电极和所述Rx基线电极与所述感测区域电容隔离，并且其中所述噪声监听器电极位于所述感测区域中且具有基本上等于所述Rx传感器电极中的一个Rx传感器电极的表面积的表面积。9.根据权利要求8所述的电容指纹传感器，其中，所述多相电容传感器还被配置为在所述感测扫描的同时通过在所述噪声监听器电极处生成所述补偿信号来测量噪声。10.一种对接触进行成像的方法，所述方法包括：在感测区域中提供一组电容传感器电极，其中所述一组电容传感器电极包括一组发送(Tx)传感器电极和一组接收(Rx)传感器电极；提供与所述感测区域电容隔离的一组一个或更多个补偿电极；通过将第一Tx信号施加到一组Tx传感器电极的第一子集并同时将第二Tx信号施加到所述一组Tx传感器电极的第二子集来执行对所述一组电容传感器电极的感测扫描，以在所述一组Rx传感器电极处生成Rx信号；以及基于在所述一组一个或更多个补偿电极处接收到的补偿信号，减少所述Rx信号中的源自除所述感测区域处的接触之外的源的分量。11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊戈尔·克拉维茨，欧勒山德·霍斯塔纳，汉斯·克莱恩，欧勒山德·卡尔宾，
申请(专利权)人：赛普拉斯半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US