【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】差分Σ-Δ电容感测设备和方法相关申请的交叉引用本申请是于2015年12月10日提交的第14/965,165号美国专利申请的国际申请,其要求于2015年8月31日提交的第62/212,257号美国临时专利申请的权益,所有申请通过引用以其整体并入本文。
本公开大体上涉及电容感测方法和设备,并且更具体地涉及利用“Σ-Δ”类型转换来确定电容变化的电容感测。背景电容感测技术可以检测物体彼此的接近程度。例如,电容感测技术通常用于通过测量人手指与电容传感器(例如触摸屏)之间的电容耦合来检测触摸输入设备上的人体部位(例如,手指)的位置。在一些传统的电容感测系统中,可以使用Δ-Σ调制的形式,输入信号的随着时间的连续变化被编码为值。这与可以测量输入信号的实际值的其他传统方法形成对比。在Δ-Σ情况中,典型地,每个编码值可以是比特流,其可以被集成以提供输入信号的表示。传统的Σ-Δ电容感测系统1800在图18A中示出。传统系统1800可以感测在感测节点1801处的电容变化。传统系统1800可以包括电流源1803、调制开关1805、比较器1807、逻辑电路1809、定时器/计数器1811和采样开关1813。调制电容Cmod可以连接到感测节点1801以提供基本电容。用于检测的可变电容显示为Cs。图18B是示出系统1800的操作的时序图。图18B包括示出采样定时器信号(定时器)、感测节点1801处的电压(VCmod)、比较器1807的输出(Comp输出)、定时器/计数器1811提供的计数器值(计数器)以及积分时钟信号CLK的波形。现在将参照图18A并结合图18B描述传统系统1800的 ...
【技术保护点】
一种集成电路(IC)设备,包括:参考电路,其被配置为连接到参考电容,并且生成根据所述参考电容和比较信号随时间变化的电参考信号;感测电路,其被配置为连接到感测电容,并且生成根据所述感测电容随时间变化的电感测信号;比较电路,其具有被耦合以接收所述感测信号和所述参考信号的比较输入端以及提供所述比较信号的比较输出端;和值生成电路,其被配置为在预定时间段内生成与所述比较信号成比例的输出值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.31 US 62/212,257;2015.12.10 US 14/965,1651.一种集成电路(IC)设备,包括:参考电路,其被配置为连接到参考电容,并且生成根据所述参考电容和比较信号随时间变化的电参考信号;感测电路,其被配置为连接到感测电容,并且生成根据所述感测电容随时间变化的电感测信号;比较电路,其具有被耦合以接收所述感测信号和所述参考信号的比较输入端以及提供所述比较信号的比较输出端;和值生成电路,其被配置为在预定时间段内生成与所述比较信号成比例的输出值。2.根据权利要求1所述的IC设备,其中:所述参考电路被配置为响应于所述比较信号具有第一值,以对应于所述参考电容的速率改变所述参考信号,并且响应于所述比较信号具有第二值,引起所述参考信号中的响应,该响应不同于所述比较信号具有所述第一值时的响应;和所述感测电路被配置为以对应于所述感测电容的速率改变所述感测信号。3.根据权利要求2所述的IC设备,其中:所述参考电路被配置为响应于所述比较信号具有所述第一值,根据所述感测电容增加所述参考信号的幅值,以及响应于所述比较信号具有所述第二值,将所述参考信号保持在大约其当前幅值。4.根据权利要求1所述的IC设备,其中:所述参考电路包括耦合到参考节点的第一电流源,所述第一电流源响应于所述比较信号而被启用和禁用;所述感测电路包括耦合到参考节点的第二电流源;和所述比较电路具有耦合到所述感测节点的第一输入端和耦合到所述参考节点的第二输入端;其中,所述感测节点被配置为连接到所述感测电容,并且所述参考节点被配置为连接到所述参考电容。5.根据权利要求4所述的IC设备,其中:所述参考电路还包括第一复位开关,所述第一复位开关耦合在所述参考节点与预定电压节点之间,并且具有被耦合以接收定时信号的控制输入端;和所述感测电路还包括第二复位开关,所述第二复位开关耦合在所述感测节点与所述预定电压节点之间,并且具有被耦合以接收所述定时信号的控制输入端。6.根据权利要求4所述的IC设备,其中:所述参考电路还包括第一隔离开关,所述第一隔离开关耦合在所述第一电流源与所述参考节点之间,并且具有被耦合以接收定时信号的控制输入端;和所述感测电路还包括第二隔离开关,所述第二隔离开关耦合在所述第二电流源与所述感测节点之间,并且具有被耦合以接收所述定时信号的控制输入端。7.根据权利要求1所述的IC设备,其中:所述值生成电路包括计数器电路,所述计数器电路在所述预定时间段内生成与所述比较信号成比例的数字计数值。8.一种系统,包括:至少一个感测电容;参考电容;和至少一个电容感测部分,其包括:参考部分,其被配置为生成根据所述参考电容和比较值随时间变化的电参考值;至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员:I·C·格莱汀娜里,
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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