G+G结构四线电阻式触摸屏制造技术

技术编号:17627378 阅读:39 留言:0更新日期:2018-04-04 23:01
本实用新型专利技术公开一种G+G结构四线电阻式触摸屏,其包括上层ITO导电玻璃和下层ITO导电玻璃,所述上层ITO导电玻璃与下层ITO导电玻璃的四周边缘采用边框胶粘合在一起,其中间ITO导电区之间均匀分布有支撑点胶,其外围银线线路之间印刷有导电银点胶,所述下层ITO导电玻璃的银线线路与柔性电路板连接。通过将原有的上层ITO导电薄膜更换为上层ITO导电玻璃,利用上层ITO导电玻璃具有较好的弹性和韧性,以及良好的平整性,从而使上层ITO导电玻璃上的ITO镀层较薄且电阻均匀性好,同时所述ITO导电玻璃相较ITO导电薄膜硬度高,耐磨,不易被划伤,使用寿命长,且透光率高。

【技术实现步骤摘要】
G+G结构四线电阻式触摸屏
本技术涉及触摸屏制造领域,具体涉及一种G+G结构四线电阻式触摸屏。
技术介绍
普通F+G结构的四线电阻式触摸屏由上层ITO导电薄膜和下层ITO导电玻璃组成,由于ITO导电薄膜有较好弹性和韧性,通过触摸ITO导电薄膜的触摸面(非ITO面)使其ITO导电线路与ITO玻璃的ITO导电线路连通,实现触摸屏的触摸功能。但是这种结构的触摸屏寿命低,不能满足工业控制、医疗和军事等高端装备领域的要求,原因是该触摸屏使用的ITO导电薄膜有以下缺点:(1)ITO导电薄膜上的ITO镀层很薄,镀层厚度只有300埃且电阻均匀性差;(2)ITO不耐磨,极易被划伤;(3)ITO导电薄膜易老化;(4)ITO导电薄膜透光率一般在86%-90%。为此,需要选用一种替代ITO导电薄膜的材料,并进行产品设计来解决上述问题。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的问题,提出一种能够解决目前ITO导电薄膜存在的PET老化快和透光率相对较低、ITO不耐磨和ITO镀层方阻相对差等诸多问题的电阻式触摸屏。为达到上述技术目的,本技术的技术方案提供一种G+G结构四线电阻式触摸屏,其包括上层ITO导电玻璃和下层ITO导电玻璃,所述上层ITO导电玻璃与下层ITO导电玻璃的四周边缘采用边框胶粘合在一起形成电阻式触摸屏,所述电阻式触摸屏的中间ITO导电区之间均匀分布有支撑点胶,其外围银线线路之间印刷有导电银点胶,所述下层ITO导电玻璃的银线线路与柔性电路板连接。优选的,所述边框胶中设有填充颗粒。优选的,所述导电银点胶的厚度大于支撑点胶的厚度,所述支撑点胶的厚度大于填充颗粒的厚度。优选的,所述上层ITO导电玻璃的厚度为0.2mm-0.25mm。优选的,所述上层ITO导电玻璃的上表面贴有防爆膜。本技术所述G+G结构四线电阻式触摸屏,其通过将原有的上层ITO导电薄膜更换为上层ITO导电玻璃,利用上层ITO导电玻璃具有较好的弹性和韧性,以及良好的平整性,从而使上层ITO导电玻璃上的ITO镀层较薄且电阻均匀性好,同时所述ITO导电玻璃相较ITO导电薄膜硬度高,耐磨,不易被划伤,使用寿命长,且透光率高,本技术所述G+G结构四线电阻式触摸屏具有高可靠性、长寿命、无牛顿环、高透光率的优点,加上其与电容式触摸屏相比抗干扰能力强,广泛应用于工业控制、医疗、军事等高端装备领域,是先进装备和自动化领域目前最先进的智能人机界面。附图说明图1为本技术所述G+G结构四线电阻式触摸屏的剖视图;图2为本技术所述上层ITO导电玻璃的结构示意图;图3为本技术所述下层ITO导电玻璃的结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。本技术提供一种G+G结构四线电阻式触摸屏,如图1至图3所示,其包括上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20,所述上层ITO导电玻璃10与下层ITO导电玻璃20的四周边缘采用边框胶30粘合在一起形成电阻式触摸屏;所述上层ITO导电玻璃10与下层ITO导电玻璃20的中间ITO导电区11、21之间均匀分布有支撑点胶40,所述支撑点胶40用于防止上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20之间发生短路;所述上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20的外围银线线路12、22之间印刷有导电银点胶50,具体的,所述导电银点胶50设置在上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20的底端外围银线线路12、22之间,所述上层ITO导电玻璃10的外围银线线路12、22通过导电银点胶50与下层ITO导电玻璃20的外围银线线路12、22之间形成电路连接;所述下层ITO导电玻璃20的银线线路与柔性电路板60连接。其中,所述边框胶30中设有大小一致的填充颗粒,从而确保上、下层ITO导电玻璃20的平面相对平行设置。同时,由于导电银点胶50只有在压爆的情况下才能实现导电,因此为保证导电银点胶50在上、下层ITO导电玻璃20进行粘合的过程中能够被压爆,则设置所述导电银点胶50的厚度大于支撑点胶40的厚度,则在上、下层ITO导电玻璃20进行粘合的过程中,由于导电银点胶50收到压合力的作用被压爆,实现上、下层ITO导电玻璃20的银线线路之间形成电路连接。同时为了避免出现牛顿环,则需要使上层ITO导电玻璃10与下层ITO导电玻璃20的中间ITO导电区形成鼓包,即设置所述支撑点胶40的厚度大于填充颗粒的厚度,因此,所述触摸屏的中间ITO导电区的高度高于其粘合的四边高度。进一步的,所述上层ITO导电玻璃10的上表面贴有防爆膜70,以防止上层ITO导电玻璃10受外力作用而损坏。优选的,所述上层ITO导电玻璃10的厚度为0.2mm-0.25mm,其透光率高达95%以上。本技术所述G+G结构四线电阻式触摸屏,其通过将原有的上层ITO导电薄膜更换为上层ITO导电玻璃10,利用上层ITO导电玻璃10具有较好的弹性和韧性,以及良好的平整性,从而使上层ITO导电玻璃10上的ITO镀层较薄且电阻均匀性好,同时所述ITO导电玻璃相较ITO导电薄膜硬度高,耐磨,不易被划伤,使用寿命长,且透光率高,本技术所述G+G结构四线电阻式触摸屏具有高可靠性、长寿命、无牛顿环、高透光率的优点,加上其与电容式触摸屏相比抗干扰能力强,广泛应用于工业控制、医疗、军事等高端装备领域,是先进装备和自动化领域目前最先进的智能人机界面。以上所述本技术的具体实施方式,并不构成对本技术保护范围的限定。任何根据本技术的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形,均应包含在本技术权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...
G+G结构四线电阻式触摸屏

【技术保护点】
一种G+G结构四线电阻式触摸屏,其特征在于,包括上层ITO导电玻璃和下层ITO导电玻璃,所述上层ITO导电玻璃与下层ITO导电玻璃的四周边缘采用边框胶粘合在一起形成电阻式触摸屏,所述电阻式触摸屏的中间ITO导电区之间均匀分布有支撑点胶,其外围银线线路之间印刷有导电银点胶,所述下层ITO导电玻璃的银线线路与柔性电路板连接。

【技术特征摘要】
1.一种G+G结构四线电阻式触摸屏,其特征在于,包括上层ITO导电玻璃和下层ITO导电玻璃,所述上层ITO导电玻璃与下层ITO导电玻璃的四周边缘采用边框胶粘合在一起形成电阻式触摸屏,所述电阻式触摸屏的中间ITO导电区之间均匀分布有支撑点胶,其外围银线线路之间印刷有导电银点胶,所述下层ITO导电玻璃的银线线路与柔性电路板连接。2.根据权利要求1所述G+G结构四线电阻式触摸屏,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:李望平胡应河石清波
申请(专利权)人:黄石瑞视光电技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:湖北,42

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