一种实现物理不可克隆功能的增强型电路结构制造技术

本发明专利技术提供一种实现物理不可克隆功能(PUF)的增强型电路结构，用以实现物理不可克隆功能。利用在芯片划片过程中，划片刀通过划片槽中心线存在偏差的原理，使放置在划片槽不同位置的熔丝(fuse)，被概率性的划断。由于在划片槽中有连接fuse的电路，使被划断和没被划断的fuse中传递的信号呈现不同的信号状态，通过信号处理单元识别这些状态，并输出fuse PUF的数据结果。相对于已有的普通实现物理不可克隆功能的电路结构，安全性更高，不易窃取和克隆PUF数据。

An enhanced circuit architecture for realizing the physical non cloning function

The invention provides an enhanced circuit structure for realizing the physical non cloned function (PUF) for the realization of the non cloned physical function. In the process of chip dicing, the scribing knife has the deviation principle through the central line of the scribing groove, so that the fuse (fuse) placed at different positions of the scribing groove is probabilistically cut off. The circuit is connected with the fuse in the scribing groove, the transmission signal is cut off and is not fuse in the different state of signal, the signal processing unit through the identification of these state, and the output of fuse PUF data. Compared with the existing physical uncloned circuit structure, the security is higher, and it is not easy to steal and clone PUF data.

【技术实现步骤摘要】
一种实现物理不可克隆功能的增强型电路结构
本专利技术涉及物理不可克隆技术和信息安全技术，具体涉及一种实现物理不可克隆功能的增强型电路结构。
技术介绍
近年来，物理不可克隆功能(physicallyunclonablefunction，PUF)作为芯片的可信识别的一种方法，在芯片身份识别和加密运算领域得到广泛的应用，对提高芯片安全性起到了至关重要要的作用。由于PUF要利用芯片物理系统中只与工艺偏差相关的随机元素，固化形成某颗芯片的某个独特的物理特性，实现该芯片的唯一的不可复制的身份信息。如利用器件特性偏差(如基于涂层电容偏差、阈值电压偏差、电阻偏差等)；利用模拟电路特性偏差(如基于offset电压偏差、RC偏差等)；利用数字电路特性偏差(如SRAMPUF、ROPUF、latchPUF、DFFPUF、buskeeperPUF等)。这些被利用的偏差特性的主要问题是温度性差、电压特性差、老化特性差，表现出来的结果是PUF的重复性不好。为了解决PUF重复性的问题，业界通过纠错算法(如ECC算法等)将重复性不好的bit位纠正或者去除。但纠错算法会占用芯片资源，同时增加设计难度。另外，PUF设计中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现物理不可克隆功能的增强型电路结构，其特征在于，所述结构包括用于实现物理不可克隆功能的增强型Fuse结构(110)和信号处理单元(120)；激励信号通过增强型Fuse结构(110)和信号处理单元(120)获得响应信号。

【技术特征摘要】
1.一种实现物理不可克隆功能的增强型电路结构，其特征在于，所述结构包括用于实现物理不可克隆功能的增强型Fuse结构(110)和信号处理单元(120)；激励信号通过增强型Fuse结构(110)和信号处理单元(120)获得响应信号。2.根据权利要求1所述的增强型电路结构，其特征在于，所述用于实现物理不可克隆功能的增强型Fuse结构(110)包括多条距离芯片有效图形不同距离的fuse线及多个fuse电路；一对输入输出fuse线对应一个fuse电路，fuse线的条数和电路的个数，定义为i，i为大于0的自然数。3.根据权利要求1所述的增强型电路结构，其特征在于，所述增强型Fuse结构(110)的fuse线，包含几字图形及其它类似图形，其线宽、间距及比例不受实际应用限制。4.根据权利要求1所述的增强型电路结构，其特征在于，所述增强型Fuse结构(110)的fuse电路，包含反相器、与门、或门、同或电路、异或电路及其它同类逻辑电路。5.根据权利要求1所述的增强型电路结构，其特征在于，所述增强型Fuse结构(110)的fuse...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖昱旻，刘戬，
申请(专利权)人：北京中电华大电子设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11