一种C波段数控衰减器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种C波段数控衰减器，主要解决现有技术中存在的设置单刀双掷开关增加电路损耗、附件相位较高、使用受限等问题。包括正电极分别接在射频输入的6个二极管D1至二极管D6，并联后一端接二极管D1负电极且另一端接地的电容C1、电容C2和电阻R1，并联后一端接二极管D6负电极且另一端接地的电容C3、电容C4和电阻R2，连接在射频输出、用于提供偏置电流和监测任意衰减状态所需控制电压点的DA转换芯片，连接在DA转换芯片上的CPLD可编程逻辑器，以及与CPLD可编程逻辑器连接、用于产生数字控制信号的CTL互补式晶体管逻辑闸。本实用新型专利技术具有成本低廉、衰减精度高、损耗低、故障率低、适用范围广等特点，在电子设备领域具有很高的实用价值和推广价值。

【技术实现步骤摘要】
一种C波段数控衰减器
本技术涉及电子设备领域，尤其是一种C波段数控衰减器。
技术介绍
衰减器是一种提供衰减的电子元器件，分为：固定衰减器和可变衰减器，主要用于调整电路中的信号大小；在比较法测量电路中，可用来直读被测网络的衰减值；再者，用于改善阻抗匹配，以满足多端口对电平的需求，被广泛应用于电子设备中。目前，传统的C波段数控衰减器，多采用单片集成数控衰减器加上一组或多组单刀双掷开关切换衰减的方式实现多位控制的高动态衰减，此设计的不足之处在于，设置单刀双掷开关使得电路损耗增加，插入损耗可达在7dB左右，并且其附加相移较高，当该数控衰减器的附加相移达到50°时，其应用受限。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种C波段数控衰减器，主要解决现有技术中存在的设置单刀双掷开关增加电路损耗，插入损耗高，附件相位较高，使用受限等问题。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种C波段数控衰减器，包括正电极分别接在射频输入且依次排列的二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，并联后一端接二极管D1负电极且另一端接地的电容C1、电容C2和电阻R1，并联后一端接二极管D6负电极且另一端接地的电容C3、电容C4和电阻R2，连接在射频输出、用于提供偏置电流和监测任意衰减状态所需控制电压点的DA转换芯片，连接在DA转换芯片上的CPLD可编程逻辑器，以及与CPLD可编程逻辑器连接、用于产生数字控制信号的CTL互补式晶体管逻辑闸。其中，CTL互补式晶体管逻辑闸产生的数字控制信号经CPLD可编程逻辑器展位数后输送至DA转换芯片，再经DA转换芯片转换成模拟电压信号为二极管D1至D6提供偏置电流。进一步地，二极管D2至二极管D5负电极分别接地。进一步地，二极管D1至二极管D6的型号为ADP2220-000，电容C1至电容C4均采用电容值为100pf的芯片电容，电阻R1和电阻R2电阻值为1000Ω。该衰减器的C波段射频输入采用4～8GHz。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：(1)本技术采用并联6个二极管，使传输路径的元器件减少，降低能耗，其传输途径元器件少，路径短，耗时短，插入损耗低。(2)本技术的偏置电流由DA转换芯片提供，便于监测任意衰减状态所需控制电压点，其衰减精度得到大大提高，使用范围广。(3)本技术在不同控制电压实现不同衰减时，射频信号所经历的传输路径等长，在不同衰减状态的附加相移得到降低。(4)本技术的元器件采用成熟部件，其生产成本低廉，控制方式简单，便于调试。本技术具有生产成本低廉、衰减精度高、损耗低、故障率低、应用范围广等特点，在电子设备领域具有很高的实用价值和推广价值。附图说明图1为现有的C波单片集成数控衰减器。图2为本技术的C波数控衰减器。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明，本技术的实施方式包括但不限于下列实施例。实施例如图1所示，现有的单片集成数控衰减器射频输入FRin为4～8GHz，经单刀双掷开关SPDT进入固定衰减器FixedAtten，射频输入经过四个单刀双掷开关和两个固定衰减器，最后从数控衰减器DAT输出。如图2所示，一种C波段数控衰减器，包括正电极分别接在射频输入的6个ADP2220-000二极管D1至D6，并联后一端接二极管D1负电极且另一端接地的100pf电容C1、电容C2和1000Ω电阻R1，并联后一端接二极管D6负电极且另一端接地的100pf电容C3、电容C4和1000Ω电阻R2，连接在射频输出、用于提供偏置电流和监测任意衰减状态所需控制电压点的DA转换芯片，连接在DA转换芯片上的CPLD可编程逻辑器，以及与CPLD可编程逻辑器连接、用于产生数字控制信号的CTL互补式晶体管逻辑闸。进一步地，二极管D2至二极管D5负电极分别接地。射频输入4～8GHz波形，经二极管D1至D6，其中，CTL互补式晶体管逻辑闸产生的数字控制信号经CPLD可编程逻辑器展位数后输送至DA转换芯片，再经DA转换芯片转换成模拟电压信号为二极管D1至D6提供偏置电流。上述实施例仅为本技术的优选实施例，并非对本技术保护范围的限制，但凡采用本技术的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种C波段数控衰减器，其特征在于，包括正电极分别接在射频输入且依次排列的二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，并联后一端接二极管D1负电极且另一端接地的电容C1、电容C2和电阻R1，并联后一端接二极管D6负电极且另一端接地的电容C3、电容C4和电阻R2，连接在射频输出、用于提供偏置电流和监测任意衰减状态所需控制电压点的DA转换芯片，连接在DA转换芯片上的CPLD可编程逻辑器，以及与CPLD可编程逻辑器连接、用于产生数字控制信号的CTL互补式晶体管逻辑闸。

【技术特征摘要】
1.一种C波段数控衰减器，其特征在于，包括正电极分别接在射频输入且依次排列的二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，并联后一端接二极管D1负电极且另一端接地的电容C1、电容C2和电阻R1，并联后一端接二极管D6负电极且另一端接地的电容C3、电容C4和电阻R2，连接在射频输出、用于提供偏置电流和监测任意衰减状态所需控制电压点的DA转换芯片，连接在DA转换芯片上的CPLD可编程逻辑器，以及与CPLD可编程逻辑器连接、用于产生数...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡耀徵，
申请(专利权)人：成都世源频控技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51