半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法制造方法及图纸

半导体装置评价用工具(20)的导电性的板状的基体(21)，在表面(21a)具有对半导体装置(30)进行载置的载置区域(R1、R2、R3)，在该载置区域(R1、R2、R3)内具有将基体(21)贯穿的贯穿孔(21e)。温度检测元件(22)安装于基体(21)。电极焊盘(23)与温度检测元件(22)电连接，且形成于表面(21a)侧。

Tool for evaluation of semiconductor device, evaluation device of semiconductor device and evaluation method of semiconductor device

The conductive substrate (21) of the semiconductor device evaluation tool (20) has a conductive area (R1, R2 and R3) mounted on the surface (21a) on the semiconductor device (30), and there is a through hole (21e) running through the substrate (21) in the loading area (R1, R2, R3). The temperature detection element (22) is installed in the matrix (21). The electrode welding plate (23) is electrically connected with the temperature detection element (22) and is formed on the surface (21a) side.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法
本专利技术涉及半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法，特别是涉及具有用于对半导体装置的温度进行检测的温度检测元件的半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法。
技术介绍
在对作为被测定物的半导体装置的电气特性进行评价时，对评价时的半导体装置的温度高精度地进行测量是重要的。特别是在温度特性的评价中，如果评价时的温度测量不稳定，则温度特性本身会包含误差。另外，在应对施加大电流、高电压的要求而对电气特性进行评价时，有时由于施加大电流、高电压而使半导体装置的温度变化。在该情况下，与电气特性一起对半导体装置的温度变化进行测量是重要的。在如上所述的状况下，作为半导体装置的温度测定方法，已知接触式、非接触式的方法。例如，就接触式而言，使热电偶直接与半导体装置的表面接触，对半导体装置的表面温度进行测量。但是，在该方法中，会伴随接触而发生热量的移动，因此并未准确地测量半导体装置本身的温度。另外，就非接触式而言，存在通过光学式的辐射温度计进行的测量。但是，在半导体装置的表面为镜面的情况下，难以测定，即使能够测量，检测温度也易于根据辐射率的设定而变化，因此并未准确地测量半导体装置的温度。在例如日本特开2010－26715号公报(参照专利文献1)、日本特开2013－254873号公报(参照专利文献2)等中公开了被测定物的温度评价方法。在日本特开2010－26715号公报中，在设置被测定物的树脂制的设置台设置有温度传感器，基于由该温度传感器测量出的温度对槽内的温度进行控制。另外，在日本特开2013－254873号公报中，在功率模块内设置有带引线的热敏电阻，通过该热敏电阻对半导体元件的温度进行测量。专利文献1：日本特开2010－26715号公报专利文献2：日本特开2013－254873号公报
技术实现思路
但是，日本特开2010－26715号公报中的温度传感器设置于由树脂构成的设置台，且与被测定物分离。因此，无法对被测定物本身的温度高精度地进行检测。另外，日本特开2013－254873号公报中的热敏电阻隔着空气层对半导体元件的温度进行测量。因此，无法对半导体元件本身的温度高精度地进行检测。本专利技术就是鉴于上述的课题而提出的，其提供一种在半导体装置的评价时能够对半导体装置的温度高精度地进行测定的半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法。本专利技术的半导体装置评价用工具被用在用于对半导体装置的电气特性进行评价的半导体装置评价装置中，且是配置于半导体装置评价装置的工作台之上而使用的。该半导体装置评价用工具具有：导电性的板状的基体、第1电极焊盘、至少1个温度检测元件。导电性的板状的基体具有彼此相对的第1面及第2面，在第1面具有对半导体装置进行载置的载置区域，在载置区域内具有从第1面贯穿至第2面的贯穿孔。至少1个温度检测元件安装于基体。第1电极焊盘与温度检测元件电连接，且该第1电极焊盘形成于第1面侧。专利技术的效果根据本专利技术，在基体形成有贯穿孔，因此能够通过来自工作台的真空吸附而将半导体装置密接地固定在导电性的基体。由此，能够经过导电性的基体通过温度检测元件而对半导体装置的温度进行检测，因此能够对半导体装置的温度高精度地进行检测。另外，与温度检测元件电连接的第1电极焊盘形成于基体的第1面侧。由此，通过使用本专利技术的半导体装置评价用工具，从而能够利用已有的半导体装置评价装置，如上所述对半导体装置的温度高精度地进行检测。由此，无需准备新的半导体装置评价装置。附图说明图1是概略地表示本专利技术的实施方式1中的半导体装置评价装置的结构的图。图2是概略地表示本专利技术的实施方式1中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。图3是概略地表示在图2的半导体装置评价用工具中使用的温度检测元件的结构的剖视图。图4是概略地表示通过图1所示的半导体装置评价装置进行评价的半导体装置的结构的剖视图。图5是概略地表示使用图1所示的半导体装置评价装置对半导体装置进行评价的情形的图。图6是用于对在本专利技术的实施方式1中使用的接触探针的动作进行说明的概略图。图7是概略地表示本专利技术的实施方式2中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。图8是概略地表示本专利技术的实施方式2中的半导体装置评价用工具的结构的后视图。图9是沿图7的IX－IX线的半导体装置评价用工具及半导体装置的概略剖视图。图10是概略地表示本专利技术的实施方式3中的半导体装置评价用工具及半导体装置的结构的局部剖视图。图11是概略地表示本专利技术的实施方式4中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。图12是概略地表示本专利技术的实施方式5中的半导体装置评价用工具及半导体装置的结构的剖视图。具体实施方式下面，基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。实施方式1.首先，使用图1对本实施方式的半导体装置评价装置的结构进行说明。图1是概略地表示本实施方式中的半导体装置评价装置的结构的图。如图1所示，半导体装置评价装置10主要具有：卡盘台(工作台)1、多个接触探针(探针)2、绝缘基体(绝缘支撑部件)3、连接部4、信号线5、评价部(控制部)6、移动臂7、半导体装置评价用工具20。卡盘台1是基座，其具有表面1a，使半导体装置评价用工具20接触并固定在该表面1a。该卡盘台1具有能够通过真空吸附对半导体装置评价用工具20及半导体装置30进行固定的结构。具体地说，在卡盘台1形成有吸附槽1b、吸附孔1c、1d。吸附槽1b形成于卡盘台1的表面1a。吸附孔1c形成于卡盘台1内，且与吸附槽1b的底面连接。吸附孔1d在卡盘台1的内部延伸，到达至卡盘台1的表面1a而形成开口。向吸附孔1c、1d分别连接有真空泵等排气装置(未图示)。半导体装置评价用工具20载置于卡盘台1的表面1a。该半导体装置评价用工具20将吸附槽1b及吸附孔1d的开口部覆盖。半导体装置评价用工具20在半导体装置30的评价时被真空吸附于卡盘台1。另外，在半导体装置30的评价时，在半导体装置评价用工具20之上载置有作为被测定物的半导体装置30。关于半导体装置评价用工具20的详细的结构在后面记述。多个接触探针2支撑于绝缘基体3。多个接触探针2分别具有：接触部2a、前端部2b、压入部2c、绝缘基体设置部2d、电连接部2e。接触部2a设置于前端部2b的前端。该接触部2a是与半导体装置评价用工具20的电极焊盘(第1电极焊盘)23、电极焊盘(第2电极焊盘)24、半导体装置30的表面焊盘部机械且电连接的部分。压入部2c在一端侧与前端部2b连接，且另一端侧的一部分插入至绝缘基体设置部2d内。绝缘基体设置部2d形成为基台，且与绝缘基体3连接。在绝缘基体设置部2d的内部组装有弹簧等弹性部件(未图示)。压入部2c由绝缘基体设置部2d内的弹性部件，相对于绝缘基体设置部2d而向前端部2b侧被预紧。由此，在接触探针2的接触部2a没有与被测定物的表面接触的状态下，压入部2c相对于绝缘基体设置部2d而向前端部2b侧移动，成为接触探针2完全伸长后的状态。另外，在接触探针2的接触部2a与被测定物的表面接触的状态下，压入部2c一边对抗弹性部件的预紧力、一边以规定量压入至绝缘基体设置部2d内。如上所述，压入部2c能够相对于绝缘基体设置部2d进行滑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置评价用工具，其被用在用于对半导体装置的电气特性进行评价的半导体装置评价装置中，且是配置于所述半导体装置评价装置的工作台之上而使用的，该半导体装置评价用工具具有：导电性的板状的基体，其具有彼此相对的第1面及第2面，在所述第1面具有对所述半导体装置进行载置的载置区域，在所述载置区域内具有从所述第1面贯穿至所述第2面的贯穿孔；至少1个温度检测元件，其安装于所述基体；以及第1电极焊盘，其与所述温度检测元件电连接，且形成于所述第1面侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置评价用工具，其被用在用于对半导体装置的电气特性进行评价的半导体装置评价装置中，且是配置于所述半导体装置评价装置的工作台之上而使用的，该半导体装置评价用工具具有：导电性的板状的基体，其具有彼此相对的第1面及第2面，在所述第1面具有对所述半导体装置进行载置的载置区域，在所述载置区域内具有从所述第1面贯穿至所述第2面的贯穿孔；至少1个温度检测元件，其安装于所述基体；以及第1电极焊盘，其与所述温度检测元件电连接，且形成于所述第1面侧。2.根据权利要求1所述的半导体装置评价用工具，其中，还具有第2电极焊盘，该第2电极焊盘形成于所述基体的所述第1面侧，且与所述基体电连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置评价用工具，其中，所述基体在所述第1面具有第2电极焊盘用凹部，所述第2电极焊盘配置于所述第2电极焊盘用凹部内。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置评价用工具，其中，所述第2电极焊盘配置于隔着所述贯穿孔而与所述第1电极焊盘相反侧的所述基体的所述第1面的端部。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置评价用工具，其中，所述温度检测元件在所述第1面侧安装于所述基体。6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置评价用工具，其中，所述温度检测元件在所述第2面侧安装于所述基体。7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置评价用工具，其中，所述至少1个温度检测元件包含第1及第2温度检测元件，所述第1温度检测元件在所述第1面侧安装于所述基体，所述第2温度检测元件在所述第2面侧安装于所述基体。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置评价用工具，其中，所述基体在所述第1面及所述第2面的至少1个面具有第1电极焊盘用凹部，所述至少1个温度检测元件配置于所述第1电极焊盘用凹部内。9.根据权利要求8所述的半导体装置评价用工具，其中，还具有配线部，该配线部将所述温度检测元件和所述第1电极焊盘电连接，所述配线部配置于所述第1电极焊盘用凹部内。10.根据权利要求9所述的半导体装置评价用工具，其中，所述配线部包含安装于所述基体的母材部和安装于所述母材部的配线，所述母材部由陶瓷形成。11.根据权利要求9所述的半导体装置评价用工具，其中，所述配线部包含安装于所述基体的母材部和安装于所述母材部的配线，所述母材部由树脂形成。12.根据权利要求8至11中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口贵也，冈田章，望月浩一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP