The invention discloses a method for manufacturing a zeolite crystal, which comprises: network using 0.5mm and average pore size of 18% volume fraction, residual silicon content of silicon carbide foam 9% as the carrier; with polysilicon particles as raw material; sodium hydroxide, four isopropyl bromide solution synthesis, the synthesis solution and silicon carbide foam carrier, polysilicon particles and put into the reaction tank, the solution of silicon carbide foam covering the polysilicon and carrier particles; the reaction tank is heated to 200 degrees, get the zeolite crystal; the zeolite crystal nanowires, the nanowires can be stretched to 200% in at least one dimension, the nanowire thickness is about 20nm ~ 600nm, solve the precision components using activated carbon to remove the gas pollution and the problem of low efficiency.
【技术实现步骤摘要】
沸石晶体网的制造方法
本专利技术涉及纳米材料，具体涉及一种沸石晶体网的制造方法。
技术介绍
随着纳米技术的快速发展，对于精密元件越来越多，精密元件体积越来越小，由于外界污染或者受密闭环境中人群活动的影响，常含有体臭、吸烟臭、烹饪臭、油、有机及无机硫化物、腐蚀性成分等，会腐蚀精密仪表，通常精密元件采用活性炭滤芯对精密元件进行吸附保护，但是活性炭易受到容器大小影响，其炭粉影响过滤效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种沸石晶体网，解决精密元件利用活性炭去除污染气体效率较低的问题。为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案：一种沸石晶体网的制造方法，其包括：使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体；以多晶硅颗粒作为原料；将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液，上述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐，使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒；将上述反应罐加热至200度，得到沸石晶体；上述沸石晶体制成纳米线，上述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%，上述纳米线厚度约20nm～600nm。作为优选，上述氢氧化钠、四丙基溴...
【技术保护点】
一种沸石晶体网的制造方法，其包括：使用平均孔径0.5mm、体积分数18％、残余硅含量为9％的泡沫炭化硅为载体；以多晶硅颗粒作为原料；将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液，所述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐，使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒；将所述反应罐加热170～200度，得到沸石晶体；所述沸石晶体制成纳米线，所述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200％，所述纳米线厚度约20nm～600nm。
【技术特征摘要】
1.一种沸石晶体网的制造方法，其包括：使用平均孔径0.5mm、体积分数18％、残余硅含量为9％的泡沫炭化硅为载体；以多晶硅颗粒作为原料；将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液，所述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐，使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒；将所述反应罐加热170～200度，得到沸石晶体；所述沸石晶体制成纳米线，所述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200％，所述纳米线厚度约20nm～600nm。2.根据权利要求1所述的沸石晶体网的制造方法，其特征在于：所述氢...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐书辉，
申请(专利权)人：贵州鑫湄纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。