有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

减少有源矩阵基板的制造工序数目。一种有源矩阵基板，其具有形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板100，其特征在于，具备：遮光膜201，形成于绝缘基板100上的遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜202，形成于遮光膜201上；透光膜204，形成于绝缘基板100的透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线111，设置于无机膜202上；栅极绝缘膜101，其设置于栅极线111上；薄膜晶体管300，以矩阵状设置于栅极绝缘膜101上；以及数据线，在遮光膜201上以与栅极线111交叉的方式设置，并与薄膜晶体管300电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法
本专利技术涉及一种有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法。
技术介绍
在显示装置中，存在有具备在基板上以矩阵状配置了薄膜晶体管的有源矩阵基板者。近年来，作为薄膜晶体管，使用具备高迁移率且漏电电流较低等的特征的氧化物半导体。例如，需要高清晰的液晶显示器、以电流驱动而薄膜晶体管的负荷大的有机EL显示器、以及需要以高速使快门运作的MEMS显示器(MicroElectroMechanicalSystemDisplay)等，利用范围较广。MEMS显示器是使用机械式(Mechanical)快门的显示装置，例如，下述专利文献1公开有透射型的MEMS显示器。该MEMS显示器中，在具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下，也称为TFT。)的第一基板，由MEMS构成的多个快门部与像素对应地以矩阵状排列。在层积于第二基板的第一基板侧的膜设置有与像素对应地以矩阵状排列的多个开口部。通过快门部移动，从而开闭开口部，使光从背光源单元朝显示面透射过或将光隔断。现有技术文献专利文件专利文献1：日本特开2013-50720号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在MEMS显示器中，通常在构成栅极线等、栅极电极等的导电膜的基板侧(显示视认侧)的表面设置有遮光膜。在未设置遮光膜的情况下，从显示视认侧侵入显示装置内的外部光在反射率较高的导电膜的显示视认侧表面反射，由此产生对比度降低等问题。因此，设置遮光膜来抑制对比度降低的问题。为了在遮光区域形成遮光膜，可以考虑在基板上使遮光膜成膜后，去除使光透射过的区域的遮光膜，并为了使去除了遮光膜的区域的平坦化而使透光膜成膜的方法。但是，在该方法中，需要将使光透射过的区域的遮光膜去除的工序、以及为了平坦化而使透光膜成膜的工序，从而制造工序数目变多。另外，具有在遮光膜的上层形成使用了高的制程温度并且容易受到杂质等影响的氧化物半导体的薄膜晶体管的工序，需要可承受所述工序的材料因此需要非常高价的材料，从而大幅增加有源矩阵基板、以及具备有源矩阵基板的显示装置的成本。另外，为了使氧化物半导体的晶体管特性稳定，也可以在氧化物半导体层的形成后以400℃以上的温度例如进行一个小时左右高温退火处理(以下，将400℃以上的退火处理称为高温退火处理)。在将非晶硅用作薄膜晶体管的情况下，有源矩阵基板的形成过程中的最高温度最高不过300℃～330℃(形成氮化硅、或非晶硅时的温度)，但在使用了氧化物半导体的有源矩阵基板的形成过程中，该高温退火处理的温度成为最高温度。再者，由于以一个小时等的较长时间进行高温退火处理，产生线有的形成有源矩阵基板时未出现的问题。例如，遮光膜的剥离、裂缝等的问题。本专利技术目的在于，提供一种减少包含形成遮光膜的工序的有源矩阵基板的制造工序数目的技术。解决问题的手段本专利技术的一实施方式的有源矩阵基板具有：形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板，其中，所述有源矩阵基板具备：遮光膜，其被着色并形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒；无机膜，其形成在所述遮光膜上；透光膜，其形成于所述绝缘基板的所述透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线，其设置于所述无机膜上；栅极绝缘膜，其设置于所述栅极线上；薄膜晶体管，其以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上；以及数据线，其在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置，并与所述薄膜晶体管电连接。专利技术效果根据本实施方式的公开，在绝缘基板上使遮光膜成膜后，不需要去除使光透射过的区域的遮光膜的工序、以及为了使将遮光膜去除的区域平坦化而使透光膜成膜的工序，因此可以可以减少有源矩阵基板的制造工序数目。附图说明图1是表示一实施方式的显示装置的构成成例的立体图。图2是显示装置的一部分的区域的等效电路图。图3是表示一个像素中的快门机构的详细的构成成例的立体图。图4是快门机构的俯视图。图5是图4的沿V-V线的剖面图。图6是快门机构的俯视图。图7是图6的沿VII-VII线的剖面图。图8是第一基板的剖面图。图9是表示遮光膜的俯视图。图10是表示遮光膜的周缘部的剖面图。图11是用以说明第一基板的制造方法的图。图12是接着图11所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图13是接着图12所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图14是接着图13所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图15是接着图14所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图16是接着图15所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图17是接着图16所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图18是接着图17所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图19是接着图18所示的状态，而用以说明第一基板的制造方法的图。图20是表示相对于通过使具有耐热性的透明的母材含有碳颗粒而被着色为暗色的暗色膜进行高温退火处理的前后的暗色膜的透射率的图。具体实施方式本专利技术的一实施方式的有源矩阵基板，形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板，其特征在于其中，所述有源矩阵基，板具备：遮光膜，形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜，形成于所述遮光膜上；透光膜，形成于所述绝缘基板的所述透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线，设置于所述无机膜上；栅极绝缘膜，设置于所述栅极线上；薄膜晶体管，以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上；以及数据线，在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置，并与所述薄膜晶体管电连接(第一构成)。根据第一构成，因为遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，透光膜在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒，所以例如在绝缘基板上形成在透明的母材含有碳颗粒的、着色的暗色膜后，使应该成为透光区域的区域中的碳颗粒氧化，从而可以在透光区域形成透光膜，在遮光区域形成遮光膜。由此，在绝缘基板上使遮光膜成膜后，不需要将使光透射过的区域的遮光膜去除的工序、以及为了去除了遮光膜的区域的平坦化而使透光膜成膜的工序，因此可以减少有源矩阵基板的制造工序数目。另外，不需要用于平坦化的透光膜，因此可以减少制造成本。在第一构成中，可以构成为：所述透光膜在从所述有源矩阵基板的水平方向观看时仅形成于所述遮光膜之间(第二构成)。根据第二构成，在绝缘基板上形成在透明的母材含有碳颗粒的、着色的暗色膜后，使应成为透光区域的区域中的碳颗粒氧化，从而可以在遮光膜之间形成透光膜，因此如所述，可以减少有源矩阵基板的制造工序数目以及制造成本。在第一或者第二构成中，可以构成为：所述透光膜，含有在透明的母材含有碳颗粒的着色的遮光膜中的所述碳颗粒被氧化而透明化的膜(第三构成)。根据第三构成，在形成通过在透明的母材含有碳颗粒而着色的暗色膜后，使应该成为透光区域的区域中的碳颗粒氧化，从而可以在透光区域形成透光膜，因此如所述，可以减少有源矩阵基板的制造工序数目以及制造成本。在第一～第三中的任一个构成中，可以构成为：所述遮光膜，在所述显示区域的外周缘部中，其终端相对于所述基板而形成斜面，该斜面与所述基板之间所成的角为3～10度(第四构成)。根据第四构成，在遮光膜的外周缘部中，配线等从基板的表面搭于遮光膜上的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵基板，形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板，其特征在于，具备：遮光膜，形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜，形成于所述遮光膜上；透光膜，形成于所述绝缘基板的所述透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线，设置于所述无机膜上；栅极绝缘膜，设置于所述栅极线上；薄膜晶体管，以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上；以及数据线，在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置，并与所述薄膜晶体管电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.09 JP 2015-137640;2015.07.17 JP 2015-143441.一种有源矩阵基板，形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板，其特征在于，具备：遮光膜，形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜，形成于所述遮光膜上；透光膜，形成于所述绝缘基板的所述透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线，设置于所述无机膜上；栅极绝缘膜，设置于所述栅极线上；薄膜晶体管，以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上；以及数据线，在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置，并与所述薄膜晶体管电连接。2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜在从所述有源矩阵基板的水平方向观看时仅形成于所述遮光膜之间。3.如权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜，含有在透明的母材碳颗粒的着色的遮光膜中的母材所述碳颗粒被氧化而透明化的膜。4.如权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述遮光膜，在所述显示区域的外周缘部中，其终端相对于所述基板而形成斜面，该斜面与所述基板之间的所成的角为3～10度。5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，在从所述有源矩阵基板的垂直方向观看时，在所述遮光区域形成有所述无机膜。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，锦博彦，原猛，小坂知裕，石田和泉，村重正悟，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP