有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

减少有源矩阵基板的制造工序数目。一种有源矩阵基板，其具有形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板100，其特征在于，具备：遮光膜201，形成于绝缘基板100上的遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜202，形成于遮光膜201上；透光膜204，形成于绝缘基板100的透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线111，设置于无机膜202上；栅极绝缘膜101，其设置于栅极线111上；薄膜晶体管300，以矩阵状设置于栅极绝缘膜101上；以及数据线，在遮光膜201上以与栅极线111交叉的方式设置，并与薄膜晶体管300电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法
本专利技术涉及一种有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法。
技术介绍
在显示装置中，存在有具备在基板上以矩阵状配置了薄膜晶体管的有源矩阵基板者。近年来，作为薄膜晶体管，使用具备高迁移率且漏电电流较低等的特征的氧化物半导体。例如，需要高清晰的液晶显示器、以电流驱动而薄膜晶体管的负荷大的有机EL显示器、以及需要以高速使快门运作的MEMS显示器(MicroElectroMechanicalSystemDisplay)等，利用范围较广。MEMS显示器是使用机械式(Mechanical)快门的显示装置，例如，下述专利文献1公开有透射型的MEMS显示器。该MEMS显示器中，在具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下，也称为TFT。)的第一基板，由MEMS构成的多个快门部与像素对应地以矩阵状排列。在层积于第二基板的第一基板侧的膜设置有与像素对应地以矩阵状排列的多个开口部。通过快门部移动，从而开闭开口部，使光从背光源单元朝显示面透射过或将光隔断。现有技术文献专利文件专利文献1：日本特开2013-50720号公报
技术实现思路
本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵基板，形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板，其特征在于，具备：遮光膜，形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜，形成于所述遮光膜上；透光膜，形成于所述绝缘基板的所述透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线，设置于所述无机膜上；栅极绝缘膜，设置于所述栅极线上；薄膜晶体管，以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上；以及数据线，在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置，并与所述薄膜晶体管电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.09 JP 2015-137640;2015.07.17 JP 2015-143441.一种有源矩阵基板，形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板，其特征在于，具备：遮光膜，形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜，形成于所述遮光膜上；透光膜，形成于所述绝缘基板的所述透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线，设置于所述无机膜上；栅极绝缘膜，设置于所述栅极线上；薄膜晶体管，以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上；以及数据线，在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置，并与所述薄膜晶体管电连接。2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜在从所述有源矩阵基板的水平方向观看时仅形成于所述遮光膜之间。3.如权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜，含有在透明的母材碳颗粒的着色的遮光膜中的母材所述碳颗粒被氧化而透明化的膜。4.如权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述遮光膜，在所述显示区域的外周缘部中，其终端相对于所述基板而形成斜面，该斜面与所述基板之间的所成的角为3～10度。5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，在从所述有源矩阵基板的垂直方向观看时，在所述遮光区域形成有所述无机膜。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，锦博彦，原猛，小坂知裕，石田和泉，村重正悟，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP