有源矩阵基板、显示装置以及制造方法制造方法及图纸

抑制设置在有源矩阵基板的TFT与基板之间的膜的端部产生裂缝。有源矩阵基板具有多个TFT。有源矩阵基板11具备基板100、TFT、透光膜204以及保护膜Cap4。TFT与多个像素分别对应地设置在基板100上。透光膜204设置于TFT与基板100之间。保护膜Cap4覆盖透光膜204的不与基板100平行的端面204b。TFT具有栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜、漏极电极以及源极电极。保护膜Cap4配置于透光膜204与TFT的半导体膜之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板、显示装置以及制造方法
本专利技术涉及一种具有多个薄膜晶体管的有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法。
技术介绍
显示装置大多具备：具有与多个像素对应的薄膜晶体管的有源矩阵基板。作为如此的显示装置，例如，可举出：液晶显示器、有机EL显示器、或者MEMS(MicroElectroMechanicalSystemDisplay)显示器等。MEMS显示器是使用了机械式(Mechanical)快门的显示装置。例如，下述专利文献1公开有透射型的MEMS显示器。该MEMS显示器中，在具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下，也称为TFT。)的第一基板，由MEMS构成的多个快门与像素对应地以矩阵状排列。在第二基板的层积于第一基板侧的遮光膜，设置与像素对应地以矩阵状排列的多个开口部。通过快门移动，从而开闭开口部，从背光源单元向显示面使光透射过或将光隔断。近年来，作为TFT的半导体膜，使用具有高迁移率、并且具有漏电电流较低等的特征的氧化物半导体。具备由氧化物半导体构成的TFT的有源矩阵基板利用范围广泛。例如，利用于需要高清晰的液晶显示器、或因电流驱动而薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：基板；多个薄膜晶体管，以矩阵状配置；透光膜，设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行；所述薄膜晶体管，具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的半导体膜、以及连接于所述半导体膜，且隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极，所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.09 JP 2015-137642;2015.07.17 JP 2015-143441.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：基板；多个薄膜晶体管，以矩阵状配置；透光膜，设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行；所述薄膜晶体管，具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的半导体膜、以及连接于所述半导体膜，且隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极，所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜的所述端面，以随着远离配置所述像素的区域而距离所述基板的高度变小的方式倾斜。3.如权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，还具备连接于所述薄膜晶体管的配线；所述配线中的至少一部分，在覆盖所述透光膜的所述端面的所述保护膜上被引出。4.如权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜包含遮光区域。5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述保护膜，从所述透光膜的端面延伸至所述透光膜的上表面，且与所述上表面接触而形成。6.如权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，还具备设置于所述透光膜与所述基板之间的遮光膜；所述透光膜以与所述遮光膜的上表面接触的方式设置。7.如权利要求1至6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述保护膜，以覆盖所述透光膜的所述端面以及所述透光膜的上表面的方式形成；在所述保护膜与所述透光膜的上表面之间设置有透明绝缘膜；所述保护膜的厚度与所述透明绝缘膜的厚度之和小于200nm。8.如权利要求1至7中任一项所述的有源矩阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：村重正悟，石田和泉，小坂知裕，冈部达，原猛，锦博彦，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP