有源矩阵基板、显示装置以及制造方法制造方法及图纸

抑制设置在有源矩阵基板的TFT与基板之间的膜的端部产生裂缝。有源矩阵基板具有多个TFT。有源矩阵基板11具备基板100、TFT、透光膜204以及保护膜Cap4。TFT与多个像素分别对应地设置在基板100上。透光膜204设置于TFT与基板100之间。保护膜Cap4覆盖透光膜204的不与基板100平行的端面204b。TFT具有栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜、漏极电极以及源极电极。保护膜Cap4配置于透光膜204与TFT的半导体膜之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板、显示装置以及制造方法
本专利技术涉及一种具有多个薄膜晶体管的有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法。
技术介绍
显示装置大多具备：具有与多个像素对应的薄膜晶体管的有源矩阵基板。作为如此的显示装置，例如，可举出：液晶显示器、有机EL显示器、或者MEMS(MicroElectroMechanicalSystemDisplay)显示器等。MEMS显示器是使用了机械式(Mechanical)快门的显示装置。例如，下述专利文献1公开有透射型的MEMS显示器。该MEMS显示器中，在具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下，也称为TFT。)的第一基板，由MEMS构成的多个快门与像素对应地以矩阵状排列。在第二基板的层积于第一基板侧的遮光膜，设置与像素对应地以矩阵状排列的多个开口部。通过快门移动，从而开闭开口部，从背光源单元向显示面使光透射过或将光隔断。近年来，作为TFT的半导体膜，使用具有高迁移率、并且具有漏电电流较低等的特征的氧化物半导体。具备由氧化物半导体构成的TFT的有源矩阵基板利用范围广泛。例如，利用于需要高清晰的液晶显示器、或因电流驱动而薄膜晶体管的负荷大的有机EL显示器、以及需要以高速使快门运作进行运作的MEMS显示器等。现有技术文献专利文件专利文献1:日本特开2013-50720号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在具有TFT的有源矩阵基板中，可以在TFT与基板之间设置透明且具有绝缘性的透光膜。例如，在MEMS显示器的有源矩阵基板中，可以在由TFT控制的快门与设置有快门的基板之间配置透光膜。在如此的有源矩阵基板的形成工序中，可以在TFT的氧化物半导体膜的成膜后，以400℃以上的温度实施一个小时～两个小时左右的高温退火处理。以下，将400℃以上的退火处理称为高温退火处理。通过高温退火，可以使利用了氧化物半导体的TFT的晶体管特性稳定。该高温退火的温度成为有源矩阵基板的形成工序中的最高温度。与此相对，在将非晶硅用作TFT的半导体膜的情况下，有源矩阵基板的形成工序中的最高温度最高不过是300℃～330℃(例如，使氮化硅、非晶硅成膜时的温度)左右。另外，使用了氧化物半导体的TFT的高温退火的时间例如存在变长为一个小时以上的趋势。因此，在TFT使用氧化物半导体的情况下，产生以往的有源矩阵基板的形成中未出现的问题。例如，本申请专利技术者们发现：在制造工序中，由于TFT的形成时的高温退火处理等，有时在透光膜的端部产生裂缝，该裂缝对透光膜上的层的功能带来影响。如此的课题例如会在液晶显示装置等、在具有在形成于基板上的透光膜上配置薄膜晶体管的构成的显示装置中产生。因此，本申请公开了一种可以抑制设置于薄膜晶体管与基板之间的膜的端部产生裂缝的有源矩阵基板、显示装置以及制造方法。解决问题的手段本专利技术的一实施方式所涉及的具有多个像素的有源矩阵基板具备：基板；多个薄膜晶体管，它们以矩阵状配置；透光膜，其设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，其覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行。所述薄膜晶体管具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜而与所述栅极电极对向的半导体膜、以及与所述半导体膜连接并隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极。所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。专利技术效果根据本申请公开的有源矩阵基板或者其制造方法，可以抑制设置于薄膜晶体管与基板之间的膜的端部产生裂缝。附图说明图1是表示显示装置的概略构成的立体图。图2是显示装置的等效电路图。图3是快门部的立体图。图4是说明快门部的运作的俯视图。图5是图4的沿V-V线的剖面图。图6是说明快门部的运作的俯视图。图7是图6的沿VII-VII线的剖面图。图8是第一基板的剖面图。图9是表示遮光膜的俯视图。图10A是表示透光膜的周缘部的剖面图。图10B是表示透光膜的周缘部的变形例的剖面图。图11是表示第一基板的制造方法的说明图。图12是表示第一基板的制造方法的说明图。图13是表示第一基板的制造方法的说明图。图14是表示第一基板的制造方法的说明图。图15是表示第一基板的制造方法的说明图。图16是表示第一基板的制造方法的说明图。图17是表示第一基板的制造方法的说明图。图18是表示第一基板的制造方法的说明图。图19是表示图11～图18所示的制造方法的流程的概略的图。图20是表示实施方式二的透光膜的周缘部的剖面图。图21是表示图20所示的显示装置的制造流程的概略的图。图22是表示实施方式三的透光膜的周缘部的剖面图。图23是表示图22所示的显示装置的制造流程的概略的图。图24是表示实施方式四的透光膜的周缘部的剖面图。具体实施方式本专利技术的一实施方式的具有多个像素的有源矩阵基板，具有：基板；多个薄膜晶体管，以矩阵状配置；透光膜，设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行。所述薄膜晶体管具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的半导体膜、以及连接于所述半导体膜，且隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极。所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。根据所述的构成，透光膜的周缘的端面被保护膜覆盖。另外，保护膜配置于半导体膜与透光膜之间。由此，在被保护膜覆盖的端面的透光膜上形成薄膜晶体管。因此，即使在薄膜晶体管的形成工序中以高温进行退火，也难以在透光膜产生裂缝。进而，可抑制透光膜上的层产生裂缝的影响。所述透光膜的所述端面以随着远离配置所述像素的区域而距离所述基板的高度变小的方式倾斜。由此，可以使透光膜的端部的阶梯差变缓。其结果，可以缓和因透光膜的端部的阶梯差而产生的向透光膜的上层的部件的影响。也可以设置连接于所述薄膜晶体管的配线。该情况下，所述配线中的至少一部分，可以构成为在覆盖所述透光膜的所述端面的所述保护膜上被引出。在该构成中，在覆盖透光膜的端面的所述保护膜上配置有配线。因此，配线难以因产生于透光膜的裂缝而断线。所述透光膜可以包含遮光区域。由此，可以在基板设置遮光层。所述遮光区域例如可以通过设置于所述透光膜与所述基板之间的遮光膜而形成。在该构成中，可以通过透光膜来缓和因遮光膜产生的阶梯差。因此，使覆盖遮光膜的透光膜的表面平坦化变容易。另外，易于通过透光膜，来确保层积在透光膜上的部件与遮光膜的距离。所述保护膜也可以是，从所述透光膜的所述端面延伸至所述透光膜的上表面，且与所述上表面接触而形成。由此，可以通过保护膜来保护透光膜的上表面。所述显示装置可以还具备设置于所述透光膜与所述基板之间的遮光膜。该情况下，所述透光膜也可以设置为与所述遮光膜的上表面接触。在该构成中，在透光膜与遮光膜之间未插入其他的膜，因此制造工序变简单。所述保护膜可以以为覆盖所述透光膜的所述端面以及所述透光膜的上表面的方式形成。可以在所述保护膜与所述透光膜的上表面之间设置透明绝缘膜。所述保护膜的厚度与所述透明绝缘膜的厚度之和也可以小于200nm。由此，可以使透光膜与其他的层的膜的密合性变得良好。所述透光膜可以由作为涂布型材料的一个的SOG膜形成。由此，容易缓和遮光膜的阶梯差。另外，虽然SOG膜的材料在高温时容易产生裂缝，但是由于设置有保护膜，因此即使在由SOG膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：基板；多个薄膜晶体管，以矩阵状配置；透光膜，设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行；所述薄膜晶体管，具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的半导体膜、以及连接于所述半导体膜，且隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极，所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.09 JP 2015-137642;2015.07.17 JP 2015-143441.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：基板；多个薄膜晶体管，以矩阵状配置；透光膜，设置于所述基板与所述薄膜晶体管之间；以及保护层，覆盖所述透光膜的周缘的端面且该端面不与所述基板平行；所述薄膜晶体管，具有：栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的半导体膜、以及连接于所述半导体膜，且隔着所述半导体膜而相互对向的漏极电极以及源极电极，所述保护膜配置于所述透光膜与所述半导体膜之间。2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜的所述端面，以随着远离配置所述像素的区域而距离所述基板的高度变小的方式倾斜。3.如权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，还具备连接于所述薄膜晶体管的配线；所述配线中的至少一部分，在覆盖所述透光膜的所述端面的所述保护膜上被引出。4.如权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述透光膜包含遮光区域。5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述保护膜，从所述透光膜的端面延伸至所述透光膜的上表面，且与所述上表面接触而形成。6.如权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，还具备设置于所述透光膜与所述基板之间的遮光膜；所述透光膜以与所述遮光膜的上表面接触的方式设置。7.如权利要求1至6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述保护膜，以覆盖所述透光膜的所述端面以及所述透光膜的上表面的方式形成；在所述保护膜与所述透光膜的上表面之间设置有透明绝缘膜；所述保护膜的厚度与所述透明绝缘膜的厚度之和小于200nm。8.如权利要求1至7中任一项所述的有源矩阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：村重正悟，石田和泉，小坂知裕，冈部达，原猛，锦博彦，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP