A GHz near infrared single photon detector avalanche signal extraction system, gate pulse signal generator by C1 capacitor loaded in avalanche diode cathode bias voltage unit R1 through resistor loaded in avalanche diode cathode, anode avalanche diode are respectively connected with the grounding resistor R2 and differential amplifier, two output signal of the differential amplifier. Respectively output two equal and opposite phase, one without delay direct input to the combiner, a signal over a period of time after the input to the combiner output beam splitter output avalanche signal. Compared with the prior art, the utility model from the avalanche diode output avalanche signal and peak signal through the differential amplifier differential amplifier after splitting, splitting the signal of two equal and opposite phase, due to the differential amplifier in avalanche signal has been amplified, do not need to add additional means of reducing the noise of amplifier. Coupled into the avalanche signal, reduces the system circuit of miscellaneous.
【技术实现步骤摘要】
一种GHz近红外单光子探测器雪崩信号提取系统
本技术涉及光信号探测
,特别涉及一种GHz近红外单光子探测器雪崩信号提取系统。
技术介绍
在GHz近红外单光子探测器中,提取雪崩信号有多种方法,如图1所示,为其中一种常见的方法。该电路的工作流程为:①偏置电压通过电阻R1加载在雪崩光电二极管(APD)阴极上,门脉冲信号通过电容C1加载在APD阴极上;②雪崩信号及尖峰噪声由APD阳极,经过采样电阻R2输出;③输出的信号经功分器分成两个大小相等的信号,一路信号不经过延时直接输入到减法器,另一路信号经过一个周期的延时后输入到减法器;④输入到减法器中的两个信号相减,尖峰噪声被抑制,雪崩信号可以提取出来。但是提取出来的雪崩信号幅度较低,需要经过额外放大器放大后再输出给后续处理电路,增加了系统电路的冗杂度。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种GHz近红外单光子探测器雪崩信号提取系统,以解决现有技术中单光子探测过程中提取出来的雪崩信号幅度较低,需要经过额外放大器放大后再输出给后续处理电路,增加系统电路的冗杂度的技术性缺陷。本技术的技术方案是这样实现的:一种GHz近红外单光子探测器雪崩信号提取系统,包括雪崩二极管、门脉冲信号发生器以及偏置电压单元,所述门脉冲信号发生器通过电容C1加载在雪崩二极管的阴极,所述偏置电压单元通过电阻R1加载在雪崩二极管的阴极,所述雪崩二极管的阳极分别连接电阻R2接地以及差分放大器,所述差分放大器的两路输出端,分别输出两路大小相等、相位相反的信号,其中一路不经过延时直接输入到合束器,另一路信号经过一个周期的延时后输入到合束器,所述合束器输出端输出雪崩信 ...
【技术保护点】
一种GHz近红外单光子探测器雪崩信号提取系统,包括雪崩二极管、门脉冲信号发生器以及偏置电压单元,所述门脉冲信号发生器通过电容C1加载在雪崩二极管的阴极,所述偏置电压单元通过电阻R1加载在雪崩二极管的阴极,其特征在于:所述雪崩二极管的阳极分别连接电阻R2接地以及差分放大器,所述差分放大器的两路输出端,分别输出两路大小相等、相位相反的信号,其中一路不经过延时直接输入到合束器,另一路信号经过一个周期的延时后输入到合束器,所述合束器输出端输出雪崩信号。
【技术特征摘要】
1.一种GHz近红外单光子探测器雪崩信号提取系统,包括雪崩二极管、门脉冲信号发生器以及偏置电压单元,所述门脉冲信号发生器通过电容C1加载在雪崩二极管的阴极,所述偏置电压单元通过电阻R1加载在雪崩二极管的阴极,其特征在于:所述雪...
【专利技术属性】
技术研发人员:张盛祥,周朝阳,曹文钊,赵义博,
申请(专利权)人:浙江九州量子信息技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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