一种QKD干涉环制作装置制造方法及图纸

技术编号:38558799 阅读:15 留言:0更新日期:2023-08-22 21:01
本实用新型专利技术公开了一种QKD干涉环制作装置,包括光器件固定组件、干涉环熔纤底板、光纤夹具压块以及光纤夹具,所述光器件固定组件设置在干涉环熔纤底板的一侧,所述光纤夹具设置在干涉环熔纤底板上,所述光纤夹具压块对应盖合在匹配的光纤夹具上。与现有技术相比,本实用新型专利技术运用了磁吸错位式压紧固定方式,利用压块凸台侧端面及磁铁吸引力紧贴光器件封装金属端面,光器件封装金属另一端面与干涉环熔接底板凸台面紧密接触且固定不动,光纤夹具端也采用此方式,运用了平行两平面之间距离处处相等的定理,可以达到精确定长的效果。可以达到精确定长的效果。可以达到精确定长的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种QKD干涉环制作装置


[0001]本技术涉及光通信器件
,特别涉及一种QKD干涉环制作装置。

技术介绍

[0002]目前,在QKD系统中会用到等臂Mach

Zehnder干涉环、不等臂M

Z干涉环等其他干涉环。针对不等臂M

Z干涉环,其原理:Alice和Bob各自有一个独立的M

Z干涉仪,该M

Z干涉仪两条臂不相等(分为长臂和短臂),但是干涉仪的长短臂之差相同(理想情况下),一般将长短臂的长度差称为“臂长差”。从不等臂干涉环的结构可以看出,不论信道有多长,研发人员只需要制造两个相同的不等臂干涉环即可,其长度在米量级,误差精度只需控制在0.1~1%以内即可。
[0003]在QKD系统中有着不同的干涉环,都需对其所需的光器件尾纤进行定长后熔接,在干涉环光路中会产生臂长差,臂长差在Ncm
±
0.1~1%Nmm。传统的利用直尺去测量光器件出纤长度误差精度控制在毫米量级是非常困难的,在制作过程中能成功的概率非常低,需要反复去熔接实验,这就导致了光器件损坏,人力物力的极大消耗。
[0004]在一些QKD系统中使用的是不等臂Mach

Zehnder干涉环,其原理图如图6所示,其臂长差在100cm
±
0.01mm(即Δ=2(L1+L2

L3=100cm
±
0.01mm)),在原理上收发端干涉环需要熔接三处,传统的利用直尺去测量光器件出纤长度误差精度控制在毫米量级是非常困难的,成功率极低,器件损耗大,损失成本较大。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在以上缺陷,本技术提供一种QKD干涉环制作装置如下:
[0006]本技术的技术方案是这样实现的:
[0007]一种QKD干涉环制作装置,包括光器件固定组件、干涉环熔纤底板、光纤夹具压块以及光纤夹具,所述光器件固定组件设置在干涉环熔纤底板的一侧,所述光纤夹具设置在干涉环熔纤底板上,所述光纤夹具压块对应盖合在匹配的光纤夹具上。
[0008]优选地,所述光器件固定组件包括光器件固定底板,所述光器件固定底板上设置有用于放置光器件的若干凹槽以及抵住光器件的限位块,所述若干凹槽上部均设置有用于将光器件压固在对应凹槽内的压盖块,所述凹槽内设置有强力钕磁铁,对应所述凹槽的压盖块上设置有匹配的强力钕磁铁,所述凹槽为三个,分别为偏振分束器PBS凹槽、保偏分束器BS凹槽以及相位调制器PM凹槽。
[0009]优选地,所述凹槽内强力钕磁铁与对应压盖块上的强力钕磁铁错位设置,所述凹槽内强力钕磁铁与限位块的距离小于对应压盖块上的强力钕磁铁与限位块的距离。
[0010]优选地,所述凹槽内设置有定位槽,对应压盖块上设置有匹配的定位销,所述定位槽的容置空间大于定位销。
[0011]优选地,所述凹槽内设置有连线与限位块接触面平行的两个强力钕磁铁,且对应所述压盖块上设置有连线与限位块接触面平行的两个强力钕磁铁。
[0012]优选地,所述干涉环熔纤底板与光器件固定底板一体制成。
[0013]优选地,所述光纤夹具在干涉环熔纤底板上成排设置,且与偏振分束器PBS凹槽、保偏分束器BS凹槽以及相位调制器PM凹槽的光纤出口对应。
[0014]优选地,所述光纤夹具在干涉环熔纤底板上成多列设置,构成裁剪光纤长度不同档位。
[0015]优选地,所述光纤夹具压块以及光纤夹具采用强力钕磁铁吸合固定方式。
[0016]与现有技术相比,本技术有以下有益效果:
[0017]本技术提供的QKD干涉环制作装置,运用了磁吸错位式压紧固定方式,利用压块凸台侧端面及磁铁吸引力紧贴光器件封装金属端面,光器件封装金属另一端面与干涉环熔接底板凸台面紧密接触且固定不动,光纤夹具端也采用此方式,运用了平行两平面之间距离处处相等的定理,可以达到精确定长的效果,能有效解决以下问题:1、干涉环制作消耗时间长;2、制作操作复杂,投入人力大;3、制作精度不高,导致成功率低下,光器件损毁等,4、器件制作不成功后,无法重复再使用。
附图说明
[0018]图1为本技术QKD干涉环制作装置的结构图;
[0019]图2为本技术QKD干涉环制作装置的主视图;
[0020]图3为本技术光器件固定组件的结构图;
[0021]图4为本技术光器件固定组件的主视图;
[0022]图5为本技术光器件固定组件的结构图(压盖块为盖合状态);
[0023]图6为不等臂Mach

Zehnder干涉环制作原理图;
[0024]图7为QKD干涉环多档制作尺寸图。
[0025]图中:光器件固定底板100,光器件200,凹槽300,定位槽310,限位块400,压盖块500,定位销510,强力钕磁铁600,干涉环熔纤底板700,光纤夹具压块800,光纤夹具900。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术进行清楚、完整地描述。
[0027]如图1至图5所示,一种QKD干涉环制作装置,包括光器件固定组件、干涉环熔纤底板700、光纤夹具压块800以及光纤夹具900,所述光器件固定组件设置在干涉环熔纤底板700的一侧,所述光纤夹具900设置在干涉环熔纤底板700上,所述光纤夹具900压块对应盖合在匹配的光纤夹具800上。所述光器件固定组件包括光器件固定底板100,所述光器件固定底板100上设置有用于放置光器件200的若干凹槽300以及抵住光器件200的限位块400,所述若干凹槽300上部均设置有用于将光器件200压固在对应凹槽300内的压盖块500,所述凹槽300内设置有强力钕磁铁600,对应所述凹槽300的压盖块500上设置有匹配的强力钕磁铁600,所述凹槽300为三个,分别为偏振分束器PBS凹槽、保偏分束器BS凹槽以及相位调制器PM凹槽,压盖块500通过对应强力钕磁铁600吸力牢牢的压在光器件200上,从而使光器件200固定在凹槽内。所述凹槽300内强力钕磁铁与600对应压盖块500上的强力钕磁铁600错位设置,所述凹槽300内强力钕磁铁600与限位块400的距离小于对应压盖块500上的强力钕磁铁600与限位块400的距离,该种错位设置可使压盖块500对光器件200不仅具有向下的压
力,还具有向限位块400方向的水平推力,即利用钕磁铁异极相吸原理,把吸力分解成垂直方向压紧固定光器件的压力和水平方向紧固光器件的推力,致使光器件200顶紧限位块400,以保证光器件200定位的位置均由与限位块400接触的地方为初始位置。所述凹槽300内设置有定位槽310,对应压盖块500上设置有匹配的定位销510,所述定位槽310的容置空间大于定位销510,盖合时,定位销310容置在定位槽310内。所述凹槽300内设置有连线与限位块400接触面平行的两本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QKD干涉环制作装置,其特征在于,包括光器件固定组件、干涉环熔纤底板、光纤夹具压块以及光纤夹具,所述光器件固定组件设置在干涉环熔纤底板的一侧,所述光纤夹具设置在干涉环熔纤底板上,所述光纤夹具压块对应盖合在匹配的光纤夹具上。2.如权利要求1所述的QKD干涉环制作装置,其特征在于,所述光器件固定组件包括光器件固定底板,所述光器件固定底板上设置有用于放置光器件的若干凹槽以及抵住光器件的限位块,所述若干凹槽上部均设置有用于将光器件压固在对应凹槽内的压盖块,所述凹槽内设置有强力钕磁铁,对应所述凹槽的压盖块上设置有匹配的强力钕磁铁,所述凹槽为三个,分别为偏振分束器PBS凹槽、保偏分束器BS凹槽以及相位调制器PM凹槽。3.如权利要求2所述的QKD干涉环制作装置,其特征在于,所述凹槽内强力钕磁铁与对应压盖块上的强力钕磁铁错位设置,所述凹槽内强力钕磁铁与限位块的距离小于对应压盖块上的强力钕磁铁与限位块的距离。4.如权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋秋良黄大骏杜深川齐若琳
申请(专利权)人:浙江九州量子信息技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1