一种灵敏度倍增真空规管组制造技术

本发明专利技术提供了一种灵敏度倍增真空规管组，涉及半导体技术领域，本发明专利技术通过提供的一种灵敏度倍增真空规管组采用了至少两个真空规管并联在一起，有效的提高了整个测量实施过程中电容薄膜的大小，提高了整个真空度的测量灵敏度。

A sensitivity multiplier vacuum gauge group

The invention provides a high sensitivity of the vacuum gauge group, the present invention relates to the field of semiconductor technology, double vacuum gauge group through a sensitivity provided by at least two vacuum gauge connected in parallel, and effectively improve the implementation of the whole measuring capacitor film in the process of size, improve the measurement sensitivity of the vacuum the.

【技术实现步骤摘要】
一种灵敏度倍增真空规管组
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种灵敏度倍增真空规管组。
技术介绍
随着科学技术的不断进步，许多高
需要极高的真空环境。尤其在半导体制造领域许多工艺步骤需要在高真空度下进行，比如刻蚀，沉积等工艺。在上述半导体制造中，对于真空度的测量往往采用真空规的方式予以实现，比如电容薄膜真空规的测量原理是气体通过进气管引入到测量室中，由于气体压力作用使电容薄膜发生形变，引起了电容薄膜与固定极板之间距离的变化，进而引起二者之间电容量的改变,再利用电学方法测出电容量，通过校准得到电容量与气体压力之间的关系来衡量真空度的大小。但是，本领域技术人员在实践过程中发现：现有技术中的真空规在灵敏度、稳定性上存在不足。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种灵敏度倍增真空规管组。为了解决上述问题，本申请提供一种灵敏度倍增真空规管组，所述真空规管组至少包括两个真空规管，所述至少两个真空规管采用并联的方式设置，其中，所述真空规管包括：一壳体，所述壳体内具有一容置空间；一电容薄膜，所述电容薄膜设置于所述容置空间内，并把所述容置空间分为被测空间和真空空间；一进气口，所述进气口设置于所述壳体上，且所述被测空间通过所述进气口与进气管连通；一固定电极板，所述固定电极板设置于所述真空空间内；一电极，所述电极设置于所述壳体上，且与所述固定电极板连接；其中，所述电容薄膜和所述固定电极板构成差动电容。优选的，所述真空规管还包括：一吸气剂，设置于所述壳体上。优选的，所述真空空间为真空气室。优选的，所述电容薄膜为InconelX750合金电容薄膜。优选的，所述电容薄膜为InconelX750高镍合金电容薄膜。优选的，所述电容薄膜厚度为10-50um。优选的，所述电容薄膜直径30-110mm。本申请有益效果如下：本申请提供的一种灵敏度倍增真空规管组采用了至少两个真空规管并联在一起，有效的提高了整个测量实施过程中电容薄膜的大小，提高了整个真空度的测量灵敏度。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1示出了根据本专利技术一个实施例的单个真空规管的结构示意图；图2示出了根据本专利技术又一个实施例两个真空规管的测量示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。本专利技术实施例提供了一种灵敏度倍增真空规管组采用了至少两个真空规管并联在一起，有效的提高了整个测量实施过程中电容薄膜的大小，提高了整个真空度的测量灵敏度。具体来说，要提高电容薄膜真空规的灵敏，需要根据平行板电容大小的计算公式：来予以设计，其中ε表示介电常数，S表示固定电极板的面积，d是两个固定电极板与电容薄膜之间的距离，R是电容薄膜的半径。同时根据电容并联公式C＝C1+C2，两个电容薄膜真空规并联在一起，整个测量电容也会增大。在实际操作中，改变电容薄膜的大小(即改变S或者d的大小)或者在电容连接结构上做一些改变(比如多个电容真空规的并联)来改变电容的大小，就可以增强电容薄膜真空规的灵敏度，电容越大，电路测量相对精度就越高。所以，对于本申请实施例而言，通过两个乃至多个真空规管并联在一起，即可以有效提高整个测量实施过程中的电容薄膜的大小，进而提高了整个测量的灵敏度。进一步的，通过多个一般灵敏度的真空规管并联在一起，能够有效的提高整个测量实施过程中的电容薄膜的大小，还具有提高整个真空度测量精度的效果。具体而言，对于真空规管的并联数量本申请实施例并没有特别的限定，具体可根据测量精度的需要以及电路分析的可行性来决定真空规的个数。具体来说，如图1、2所示，本申请提供一种灵敏度倍增真空规管组，所述真空规管组至少包括两个真空规管，所述至少两个真空规管采用并联的方式设置，其中，所述真空规管包括：一壳体1，所述壳体1内具有一容置空间；一电容薄膜3，所述电容薄膜3设置于所述容置空间内，并把所述容置空间分为被测空间21和真空空间22；一进气口4，所述进气口4设置于所述壳体1上，且所述被测空间21通过所述进气口4与进气管5连通；一固定电极板6，所述固定电极板6设置于所述真空空间22内；一电极7，所述电极7设置于所述壳体1上，且与所述固定电极板6连接；其中，所述电容薄膜3和所述固定电极板6构成差动电容。从上述结构可以看出，固定电极板6和活动电极薄膜3构成了差动电容，并作为测量电路9的电桥的两个活动桥臂，当活动电容薄膜3处于原始位置时，电容差值为零。当被测气体从进气管5进入后，进气口处4的被测空间21内的气压会与真空空间22中的气压形成气压差，两边的气压差使得电容薄膜3发生形变，造成电容差值不再为零，此时电桥不平衡会产生电信号。上述电信号经放到以及检波处理后就可以得到可以衡量的真实信号。对于本申请来说，两个乃至多个真空规管并联后，每个薄膜电容都会发生形变，产生的电信号经测量电路的平衡处理后得到更高的灵敏度。具体而言，将上述多个电容薄膜并联发生形变，然后把电容的变化反应为电信号，再通过电信号的分析最后得到最终的真空度结果，一般而言，该真空度结果比单个真空规管电信号分析有更高的灵敏度和测量精度。比如，用两个真空规管并联，实际测量结果比单个精度要高约一倍。具体而言，上述所述电容薄膜可以采用InconelX750合金电容薄膜，该合金不仅具有良好的耐腐蚀和抗氧化的性能，还具有良好的成形性和焊接性能。在进一步的，所述电容薄膜还可以采用InconelX750高镍合金电容薄膜。在该电容薄膜的尺寸选择上，一般而言需要考虑薄膜的厚度和薄膜的整个面积的关系，一般而言，电容的厚度在10-50um，直径30-110mm。对于一具体实施方案而言，通过实验的方法获得：采用InconelX750合金电容薄膜，其厚度为30um，直径为50mm，并采用两个真空规管并联的方式予以实验，获得的数据为：测量灵敏度比单个电容薄膜真空规管的灵敏度提高约百分之八十。进一步的，所述真空规管组还包括吸气剂8，设置于所述壳体1上，其中，吸气剂8用于真空空间22中的空气，使真空空间中的真空气室，进而提升整个测量的精度和灵敏度。本申请实施例有益效果如下：本申请实施例提供的一种灵敏度倍增真空规管组采用了至少两个真空规管并联在一起，有效的提高了整个测量实施过程中电容薄膜的大小，提高了整个真空度的测量灵敏度。进一步的，本申请实施例通过多个一般灵敏度的真空规管并联在一起，能够有效的提高整个测量实施过程中的电容薄膜的大小，还具有提高整个真空度测量精度的效果。进一步的，本申请实施例中，电容薄膜可以采用InconelX75本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灵敏度倍增真空规管组，其特征在于：所述真空规管组至少包括两个真空规管，所述至少两个真空规管采用并联的方式设置，其中，所述真空规管包括：一壳体，所述壳体内具有一容置空间；一电容薄膜，所述电容薄膜设置于所述容置空间内，并把所述容置空间分为被测空间和真空空间；一进气口，所述进气口设置于所述壳体上，且所述被测空间通过所述进气口与进气管连通；一固定电极板，所述固定电极板设置于所述真空空间内；一电极，所述电极设置于所述壳体上，且与所述固定电极板连接；其中，所述电容薄膜和所述固定电极板构成差动电容。

【技术特征摘要】
1.一种灵敏度倍增真空规管组，其特征在于：所述真空规管组至少包括两个真空规管，所述至少两个真空规管采用并联的方式设置，其中，所述真空规管包括：一壳体，所述壳体内具有一容置空间；一电容薄膜，所述电容薄膜设置于所述容置空间内，并把所述容置空间分为被测空间和真空空间；一进气口，所述进气口设置于所述壳体上，且所述被测空间通过所述进气口与进气管连通；一固定电极板，所述固定电极板设置于所述真空空间内；一电极，所述电极设置于所述壳体上，且与所述固定电极板连接；其中，所述电容薄膜和所述固定电极板构成差动电容。2.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄洛俊，景玉鹏，康恒，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11