A preparation method of a hydrophilic shape memory epoxy resin and its microarray and a method for regulating the hydrophilicity of microarray. The epoxy resin microarray preparation method is as follows: for the silicon etching using photolithography; using poly two methyl siloxane was shaped on the silicon wafer, get two polydimethylsiloxane template instead of silicon array; using shaped shape memory epoxy resin array two polydimethylsiloxane template, obtained hydrophilic shape memory epoxy resin microarray. The control method is that when the epoxy resin micro array is in the original vertical state, the surface shows super hydrophilic state. When the epoxy resin array is overwhelmed, the surface appears hydrophilic state. The advantages of the invention are: the hydrophilic shape memory polymer with hydrophilic modifier blends, the epoxy resin itself into a hydrophobic hydrophilic material, and the shape memory effect, control the microstructure of the surface, the surface of the hydrophilic microarray in the conversion between hydrophilic and super hydrophilic.
【技术实现步骤摘要】
一种亲水性形状记忆环氧树脂及其微阵列的制备方法及微阵列亲水性调控的方法
本专利技术涉及一种亲水性形状记忆环氧树脂及其微阵列的制备方法及微阵列亲水性调控的方法。
技术介绍
超亲水表面通常指接触角接近于0°的表面。基于WenzelandCassieandBaxter理论,表面粗糙度是超亲水表面的一个必须因素。对于一个亲水的粗糙表面,水可以进入粗糙表面的沟槽中,使得表观接触角接近于0°。超亲水表面具有广阔的应用前景,如防雾、防污、自清洁等。制备超亲水表面时,亲水聚合物可以作为涂层材料的主基团存在,使亲水聚合物表面变粗糙或者在粗糙的表面引入共轭亲水基团是制备超亲水聚合物的两种方法。制备超亲水表面常用的技术有:离子辐射、电子射线法,等离子体处理法等。形状记忆聚合物广泛应用于航天航空、纺织工业、生物医学等领域,但是由于高分子材料较高的表面能,其多为疏水材料,因而目前报道的形状记忆聚合物也以疏水形状记忆聚合物为主,对于亲水的形状记忆材料鲜有报道,依靠材料表面的微观结构调控表面的亲水性的变化更是少见,这极大的限制了其在人类的生产生活等各个领域的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决亲水形状记忆聚合物的制备及利用表面的微观结构调控表面亲水变化的问题,提供一种亲水性形状记忆环氧树脂及其微阵列的制备方法及微阵列亲水性调控的方法,该种方法通过聚合物的形状记忆性能实现表面浸润性的调控。为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案如下:一种亲水性形状记忆环氧树脂的制备方法,所述方法如下:将环氧树脂、固化剂和亲水改性剂按照100:(20-40):(20-40)的重量比混合,搅拌均匀, ...
【技术保护点】
一种亲水性形状记忆环氧树脂的制备方法,其特征在于:所述方法如下:将环氧树脂、固化剂和亲水改性剂按照100:(20‑40):(20‑40)的重量比混合,搅拌均匀,10‑24 h固化,得到亲水性形状记忆环氧树脂。
【技术特征摘要】
1.一种亲水性形状记忆环氧树脂的制备方法,其特征在于:所述方法如下:将环氧树脂、固化剂和亲水改性剂按照100:(20-40):(20-40)的重量比混合,搅拌均匀,10-24h固化,得到亲水性形状记忆环氧树脂。2.一种利用权利要求1所述的亲水性形状记忆环氧树脂实现微阵列的制备方法,其特征在于:所述方法具体步骤如下:步骤一:使用光刻法对硅片进行刻蚀,使硅片表面呈现出不同的阵列,刻蚀的硅片的阵列长宽为10μm×10μm,阵列间距为5μm~30μm,阵列高度为10~30μm;步骤二:利用聚二甲基硅氧烷对硅片进行赋形,硅橡胶与固化剂的重量比为90~150:10,固化温度为65-100℃,固化后脱模,得到与硅片阵列相反的聚二甲基硅氧烷模板;步骤三:利用聚二甲基硅氧烷模板进行形状记忆环氧树脂阵列的赋形,使用环氧树脂、固化剂和亲水改性剂,并按照100:(20-40):(20-40)的重量比混合,搅拌均匀;步骤四:将步骤三得到的混合物倒入...
【专利技术属性】
技术研发人员:成中军,张东杰,刘宇艳,钱艺豪,余松吉,万钧君,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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